添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第127页 > FDB8132
FDB8132_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2011年2月
FDB8132_F085
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V , 80A , 1.6mΩ
特点
典型
DS ( ON)
= 1.4mΩ在V
GS
= 10V ,我
D
= 80A
典型Q
g(10)
= 209nC在V
GS
= 10V
典型Q
g(10)
= 269nC在V
GS
= 13V
低米勒电荷
低Q
rr
体二极管
UIS能力(单脉冲,重复脉冲)
符合AEC Q101
符合RoHS
应用
12V汽车负载控制
起动/发电机系统
电子动力转向系统
DC / DC转换器
TO-263AB
FDB系列
2011仙童半导体公司
FDB8132_F085牧师C1
1
www.fairchildsemi.com
FDB8132_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
漏源极电压
V
DSS
V
GS
I
D
E
AS
P
D
栅极至源极电压
漏电流连续(T
C
& LT ;
脉冲
单脉冲雪崩能量
功耗
减免上述25
o
C
参数
评级
30
±20
80
参见图4
(注1 )
1904
341
2.3
-55到+175
单位
V
V
A
mJ
W
W/
o
C
o
167
o
C,
V
GS
= 10V)
T
J
, T
英镑
工作和存储温度
C
热特性
R
θJC
R
θJA
最大热阻结到外壳
最大热阻结到环境TO- 263,1in
2
垫区
0.44
43
o
o
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB8132
设备
FDB8132_F085
TO-263AB
带尺寸
330mm
胶带宽度
24mm
QUANTITY
800个
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
T
J
= 150 C
o
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
μA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA
I
D
= 80A ,V
GS
= 10V
I
D
= 80A ,V
GS
= 10V ,T
J
= 175°C
2
-
-
2.8
1.4
2.3
4
1.6
2.7
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Rg
Q
G( TOT )
Q
g(10)
Q
G( TH )
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷,在13V
栅极电荷,在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值,以高原
栅漏“米勒”充电
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
V
GS
= 0 13V
V
GS
= 0至10V
V
GS
= 0 2V
V
DD
= 15V
I
D
= 80A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14100
2135
1400
1.4
269
209
22
50
28
46
-
-
-
-
350
272
29
-
-
-
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
nC
nC
FDB8132_F085牧师C1
2
www.fairchildsemi.com
FDB8132_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25
o
C除非另有说明
符号
参数
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
t
on
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
打开-O FF时间
V
DD
= 15V ,我
D
= 80A,
V
GS
= 5V ,R
GS
= 2Ω
-
-
-
-
-
-
-
20
29
79
30
-
80
-
-
-
-
173
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 80A
I
SD
= 40A
I
F
= 80A ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
0.9
0.8
53
54
1.25
1.0
69
71
V
V
ns
nC
注意事项:
1:
起始物为
J
= 25
o
C,L = 0.93mH ,我
AS
= 64A
该产品的设计,以满足极端测试条件和环境,汽车行业要求。为
的要求的副本,请参阅AEC Q101在: http://www.aecouncil.com/
所有飞兆半导体产品的制造,在ISO9000和QS9000质量体系的组装和测试
认证。
FDB8132_F085牧师C1
3
www.fairchildsemi.com
FDB8132_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
功耗乘法器
1.2
I
D
,漏电流( A)
400
350
300
250
200
150
100
50
电流限制
按封装
V
GS
= 10V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
o
C
)
T
C
,外壳温度
(
175
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度
(
o
C
)
175
图1.归功耗与案例
温度
2
归热
阻抗Z
θ
JC
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
1
占空比 - 降序排列
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
C
0.01
-5
10
单脉冲
10
-4
10
10
10
吨,矩形脉冲持续时间( S)
-3
-2
-1
1
10
图3.归一化最大瞬态热阻抗
10000
V
GS
= 10V
I
DM
,
峰值电流( A)
可能限流
在这个区域
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
1000
I = I
2
175 - T
C
150
100
单脉冲
10
-5
10
10
-4
10
10
10
吨,矩形脉冲持续时间( S)
-3
-2
-1
1
10
图4.峰值电流容量
FDB8132_F085牧师C1
4
www.fairchildsemi.com
FDB8132_F085的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
5000
I
D
,漏电流( A)
500
I
AS
,雪崩电流( A)
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
1000
100us
100
100
1ms
起始物为
J
= 25
o
C
10
1
0.1
1
10ms
DC
操作在此
区域可以
限制根据RDS ( ON)
单脉冲
TJ =最大额定
TC
= 25℃
10
起始物为
J
= 150
o
C
10
V
DS
,漏源极电压( V)
50
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
160
I
D
,漏电流( A)
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 20V
10V
8V
7V
6V
5V
4.5V
4V
160
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 5V
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
I
D
,漏电流( A)
120
120
80
80
40
40
0
2
3
4
V
GS
,门源电压( V)
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
,漏源极电压( V)
2.0
图7.传热特性
图8.饱和特性
r
DS ( ON)
,漏极到源极
导通电阻
(
m
Ω
)
I
D
=
80A
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 % MAX
漏极至源极导通电阻
10
8
6
4
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
I
D
= 80A
V
GS
= 10V
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 % MAX
T
J
= 175
o
C
2
0
T
J
= 25 C
o
2
4
6
8
10
V
GS
,门源电压
(
V
)
-40
0
40
80
120
160
T
J
,结温
(
o
C
)
200
图9.漏极至源极导通电阻
变异VS门源电压
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
FDB8132_F085牧师C1
5
www.fairchildsemi.com
查看更多FDB8132PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDB8132
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
FDB8132
Fairchild仙童
21+
15360
D2PAK
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FDB8132
Fairchild仙童
21+
15360
D2PAK
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
FDB8132
ON
2025+
26820
TO-263
【原装优势★★★绝对有货】
查询更多FDB8132供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!