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SOT223 PNP硅平面高增益
中功率晶体管
第3期 - 1995年11月
特点
*高增益和极低的饱和电压
应用
*电池供电的电路
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
FZT692B
FZT792A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
FZT792A
C
E
C
B
绝对最大额定值
价值
-75
-70
-5
-5
-2
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
截止电流
I
CBO
分钟。
-75
-70
-5
典型值。
-100
-90
-8.5
-0.1
-10
-0.1
-0.30
-0.30
-0.30
-0.80
-0.45
-0.50
-0.50
-0.95
MAX 。 UNIT
V
V
V
A
A
A
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-40V
V
CB
=-40V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-25mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-25mA*
I
EBO
饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
V
V
V
V
BE （ SAT ）
3 - 250
FZT792A
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
基射
导通电压
静态前进
电流传输
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
V
BE（上）
h
FE
300
250
200
100
160
225
22
35
750
分钟。
典型值。
-0.75
800
MAX 。 UNIT
V
条件。
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
兆赫
pF
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-5V
f=50MHz
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
=-500mA,
I
B1
=-50mA,
I
B2
= -50mA ，V
CC
=-10V
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 251
FZT792A
典型特征
1.8
1.6
1.4
I
C
/I
B
=40
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
T
AMB
=25°C
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=100
- （伏）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
V
- （伏）
1.2
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=2V
750
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=40
- 归一化增益
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
500
- （伏）
V
1.2
- 典型增益
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
250
h
I
C
-
集电极电流（安培）
h
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
V
CE
=2V
10
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
1
0.1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
V
0.01
0.1
1
10
100
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 252
SOT223 PNP硅平面高增益
中功率晶体管
第3期 - 1995年11月
特点
*高增益和极低的饱和电压
应用
*电池供电的电路
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
FZT692B
FZT792A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
FZT792A
C
E
C
B
绝对最大额定值
价值
-75
-70
-5
-5
-2
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
截止电流
I
CBO
分钟。
-75
-70
-5
典型值。
-100
-90
-8.5
-0.1
-10
-0.1
-0.30
-0.30
-0.30
-0.80
-0.45
-0.50
-0.50
-0.95
MAX 。 UNIT
V
V
V
A
A
A
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
A
V
CB
=-40V
V
CB
=-40V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ，我
B
=-5mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-25mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-25mA*
I
EBO
饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
V
V
V
V
BE （ SAT ）
3 - 250
FZT792A
电气特性（在T
AMB
= 25°C)
参数
基射
导通电压
静态前进
电流传输
跃迁频率
输入电容
输出电容
开关时间
符号
V
BE（上）
h
FE
300
250
200
100
160
225
22
35
750
分钟。
典型值。
-0.75
800
MAX 。 UNIT
V
条件。
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
兆赫
pF
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-5V
f=50MHz
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
=-500mA,
I
B1
=-50mA,
I
B2
= -50mA ，V
CC
=-10V
f
T
C
IBO
C
敖包
t
on
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 251
FZT792A
典型特征
1.8
1.6
1.4
I
C
/I
B
=40
I
C
/I
B
=20
I
C
/I
B
=10
T
AMB
=25°C
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=100
- （伏）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
V
- （伏）
1.2
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
V
CE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
+100°C
+25°C
-55°C
V
CE
=2V
750
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
+175°C
I
C
/I
B
=40
- 归一化增益
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
500
- （伏）
V
1.2
- 典型增益
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
250
h
I
C
-
集电极电流（安培）
h
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.6
1.4
-55°C
+25°C
+100°C
V
CE
=2V
10
- （伏）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.1
1
10
1
0.1
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
s
V
0.01
0.1
1
10
100
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3 - 252
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FM1100L
FM1100-L
FDB8132
F-46X
FCQ30B06
FM24VN10-GTR
FRP2015CC
FBR163SED014UK-CSA
FDH34T
FJC1963
FGT03SCM060
FMXA-4202S
FM1233E
F66623-000
FU-68SDF-V802MXXXB
FS8853-24PL
FSOC270RN
FS8855-20PL
F971A226MCC
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厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FZT792A
    -
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    -
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深圳市灿亿佳电子科技有限公司
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联系人：肖佳欣
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联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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NA
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电话：755-83616256 // 83210909
联系人：王小姐
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电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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DIODES
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13513
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