FDC604P
2000年6月
初步
FDC604P
P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道1.8V指定用途MOSFET
飞兆半导体低电压的PowerTrench工艺。它有
经过优化的电池电源管理
应用程序。
特点
-5.5 A， -20 V.
R
DS （ ON）
= 0.033
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.043
@ V
GS
= –2.5 V
R
DS （ ON）
= 0.060
@ V
GS
= –1.8 V
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
D
D
S
1
2
G
6
5
4
SuperSOT -6
TM
D
D
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
-5.5
-20
1.6
0.8
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.604
设备
FDC604P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC604P版本B （ W）
FDC604P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
===T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
===T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –16 V,
V
GS
= 8 V,
V
GS
= –8 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–12
–1
100
–100
–0.4
–0.7
3
0.024
0.030
0.042
–20
23
1926
530
185
13
11
90
45
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.5 A,
19
4
7.5
–1.3
（注2 ）
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
0.033
0.043
0.060
A
S
pF
pF
pF
23
20
144
72
30
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= –2.5 V,
V
GS
= –1.8 V,
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V,
I
D
= –5.5 A
I
D
= –4.8 A
I
D
= –4.0 A
V
DS
= –5 V
I
D
= –3.5 A
–1.5
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
动态特性
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –1.3 A
–0.7
–1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳体至环境阻力，其中的情况下热参考被定义为漏极的焊料安装面
销。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
安装在一个1英寸时， 78℃ / W的
2
的2盎司覆铜的FR- 4电路板焊盘。
安装在一个最小焊盘时为156℃ / W 。
a.
b.
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤=300 s,
占空比
≤=2.0%
FDC604P版本B （ W）
FDC604P
2000年6月
初步
FDC604P
P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道1.8V指定用途MOSFET
飞兆半导体低电压的PowerTrench工艺。它有
经过优化的电池电源管理
应用程序。
特点
-5.5 A， -20 V.
R
DS （ ON）
= 0.033
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.043
@ V
GS
= –2.5 V
R
DS （ ON）
= 0.060
@ V
GS
= –1.8 V
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
D
D
S
1
2
G
6
5
4
SuperSOT -6
TM
D
D
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
-5.5
-20
1.6
0.8
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.604
设备
FDC604P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC604P版本B （ W）
FDC604P
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
===T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
===T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –16 V,
V
GS
= 8 V,
V
GS
= –8 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–12
–1
100
–100
–0.4
–0.7
3
0.024
0.030
0.042
–20
23
1926
530
185
13
11
90
45
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.5 A,
19
4
7.5
–1.3
（注2 ）
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
0.033
0.043
0.060
A
S
pF
pF
pF
23
20
144
72
30
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= –2.5 V,
V
GS
= –1.8 V,
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V,
I
D
= –5.5 A
I
D
= –4.8 A
I
D
= –4.0 A
V
DS
= –5 V
I
D
= –3.5 A
–1.5
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
动态特性
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –1.3 A
–0.7
–1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳体至环境阻力，其中的情况下热参考被定义为漏极的焊料安装面
销。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
安装在一个1英寸时， 78℃ / W的
2
的2盎司覆铜的FR- 4电路板焊盘。
安装在一个最小焊盘时为156℃ / W 。
a.
b.
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤=300 s,
占空比
≤=2.0%
FDC604P版本B （ W）
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