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FAN5009
双自举12V MOSFET驱动器
特点
驱动N沟道高边和低边MOSFET的
同步降压CON组fi guration
12V高侧和低12V侧驱动
内置自适应“贯通”保护
集成的自举二极管的高边驱动器
快速上升和下降时间
开关频率高达500kHz
OD输入输出禁用 - 允许同步
与PWM控制器
SOIC- 8封装
提供低热阻封装MLP
概述
该FAN5009是一款双通道，高频MOSFET驱动器，
具体来说，可用于驱动N沟道功率MOSFET
在同步整流器版降压转换器。这些驱动程序，
结合飞兆半导体多相PWM控制器和
功率MOSFET ，组成一个完整的内核稳压器
解决方案的先进微处理器。
在FAN5009驱动的高端和低端MOSFET栅极
一个同步降压型稳压至12V
GS
。上面的门
驱动器包括一个集成的自举二极管，只有一个要求
外部自举电容（C
BOOT
） 。在输出驱动器
该FAN5009有EF网络ciently开关电源的容量
MOSFET的工作频率高达500kHz 。该电路的
自适应贯通保护可以防止MOSFET的
同时导通。
该FAN5009的额定工作在0 ° C至+ 85 ° C和
在低成本的SOIC - 8或MLP封装。
应用
多相位VRM / VRD监管机构的微处理器
动力
高电流/高频DC / DC转换器
大功率模块电源
典型用途
12V
FAN5009
4
VCC
C
VCC
1
BOOT
Q1
C
BOOT
PWM
2
8
HDRV
SW
Q2
L1
V
OUT
C
OUT
OD
3
交叠
保护
电路
7
VCC
5
LDRV
保护地
6
图1.典型应用。
REV 。 1.0.5 04年7月22日
FAN5009
产品speci fi cation
引脚CON组fi guration
桨
（接地）
BOOT
PWM
OD
VCC
1
2
3
4
FAN5009
8
7
6
5
HDRV
SW
保护地
LDRV
BOOT 1
PWM
2
外径3
4 VCC
FAN5009
8
7
6
5
HDRV
SW
保护地
LDRV
FAN5009M 8引脚SO -8封装
FAN5009MP 8引脚MLP封装
（桨应连接到地或者向左浮动）
引脚德网络nitions
引脚号引脚名
1
2
3
4
5
6
7
8
BOOT
PWM
OD
VCC
LDRV
保护地
SW
HDRV
引脚功能说明
自举电源输入。
提供供电电压高边MOSFET驱动器。连接
自举电容器。参见应用部分。
PWM信号输入。
该管脚接收来自所述控制器的逻辑电平PWM信号。
输出禁用。
低电平时，此引脚禁用FET开关（ HDRV和LDRV保持低电平） 。
电源输入
。 + 12V芯片的偏置电源。绕过一个1μF的陶瓷电容。
低侧栅极驱动输出。
连接到低侧功率MOSFET （多个）的栅极。
电源地。
直接连接至低边MOSFET （ S）源。
开关节点输入
。 Connect在如图所示1.软件提供的回报高边
自举驱动器并作为检测点自适应击穿直通保护。
高侧栅极驱动输出
–
连接到高侧功率MOSFET （多个）的栅极。
功能框图
4
VCC
BOOT
HDRV
OD
PWM
2
3
1
8
+
2.2
1.2
7
SW
1.2
VCC
5
6
LDRV
保护地
2
REV 。 1.0.5 04年7月22日
产品speci fi cation
FAN5009
绝对最大额定值
应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值和器件运行在超过那些表明这些或其他条件
本规范的操作部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。绝对最大额定值单独适用，而不是组合。
除非另有规定ED ，电压参考PGND 。
参数
VCC与PGND
PWM和OD引脚
申银万国PGND
启动到SW
引导至PGND
HDRV
LDRV
连续
瞬态（T = 200nsec ）
注意事项：
1.对于超出所指示的电平瞬时降额，请参考图7页上。
分钟。
–0.3
–0.3
连续
瞬态（T = 100nsec ，女
≤
500kHz)
连续
瞬态（T = 100nsec ，女
≤
500kHz)
V
SW
–1
–0.5
–2
(1)
–1
–5
(1)
–0.3
–0.3
马克斯。
15
5.5
15
25
15
30
33
(1)
V
BOOT
+0.3
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
热信息
参数
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
汽相， 60秒
红外， 15秒
功耗（P
D
) T
A
= 25°C
热阻， SO8 - 结到管壳
θ
JC
热阻， SO8 - 结到环境
θ
JA
热阻， MLP - 结桨
θ
JC
40
140
4
分钟。
0
–65
典型值。
马克斯。
150
150
300
215
220
715
单位
°C
°C
°C
°C
°C
mW
° C / W
° C / W
° C / W
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
环境温度（T
A
)
结温（T
J
)
条件
VCC与PGND
分钟。
10
0
0
典型值。
12
马克斯。
13.5
85
125
单位
V
°C
°C
REV 。 1.0.5 04年7月22日
3
FAN5009
产品speci fi cation
电气连接特定的阳离子
V
CC
= 12V，和T
A
=使用图2所示电路，除非另有说明25 ℃。本表示适用特定网络阳离子
在整个工作温度范围内。
参数
输入电源
VCC电压范围
VCC电流
自举二极管
连续正向电流
反向击穿电压
反向恢复时间
2
正向电压
2
OD输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
传播延迟
2
PWM输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
高侧驱动器
输出阻抗，采购
当前
输出电阻，下沉
当前
转换时间
2,4
传播延迟
2,3
R
HUP
R
HDN
t
R（ HDRV ）
t
F（ HDRV ）
t
PDH （ HDRV ）
t
PDL （ HDRV ）
参见图2 ，和图4
V
BOOT
–V
SW
= 12V
V
BOOT
–V
SW
= 12V
见图2
3.8
1.4
40
20
50
25
4.4
1.8
55
30
65
40
ns
ns
ns
ns
V
IH（ PWM）的
V
白细胞介素（PWM）的
I
白细胞介素（PWM）的
-1
3.5
0.8
+1
V
V
A
V
IH （OD）的
V
白细胞介素（OD）的
I
OD
t
PDL （OD）的
t
PDH （OD）的
OD = 3.0V
见图3
–300
30
30
2.5
0.8
+300
40
45
V
V
nA
ns
ns
I
F（ AVG）
V
R
t
RR
V
F
I
F
= 10毫安
15
10
0.8
0.95
25
mA
V
ns
V
V
CC
I
CC
OD = 0V
6.4
12
3.5
13.5
8
V
mA
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
12V
33K
FAN5009
1 BOOT
2 PWM
3 OD
HDRV 8
SW 7
保护地6
LDRV 5
3000pf
3000pf
10K
4 VCC
1f
图2.测试电路
4
REV 。 1.0.5 04年7月22日
产品speci fi cation
FAN5009
电气连接特定的阳离子
（续）
参数
低侧驱动器
输出阻抗，采购
当前
输出电阻，下沉
当前
转换时间
2,4
传播延迟
2,3
R
LUP
R
LDN
t
R（ LDRV ）
t
F（ LDRV ）
t
PDH （ LDRV ）
t
PDL （ LDRV ）
t
PDH （ ODRV ）
见自适应栅极
驱动电路
描述
参见图2，图4
见图2
3.4
1.4
40
20
20
25
240
4.0
1.8
50
30
30
40
ns
ns
ns
ns
ns
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
1.所有极限工作温度下的极限设计，鉴定和统计质量控制有保证
设计/特性保证2. AC规格（未经过生产测试） 。
3.对于传播延迟， “ tPDH时间”是指从低到高的信号跃变和“保持tPDL ”指的是高至低的信号过渡
4.转换时间被定义为10 ％和90％的DC值的
V
IH （OD）的
OD
V
白细胞介素（OD）的
t
PDL （OD）的
t
PDH （OD）的
LDRV / HDRV
图3.输出禁止时间
V
IH（ PWM）的
PWM
t
PDL （ LDRV ）
V
白细胞介素（PWM）的
LDRV
1.2V
t
PDH （ HDRV ）
t
PDL （ HDRV ）
HDRV -SW
t
PDH （ LDRV ）
SW
2.2V
图4.自适应栅极驱动时序
REV 。 1.0.5 04年7月22日
5
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FAN5009
双自举12V MOSFET驱动器
特点
驱动N沟道高边和低边MOSFET的
同步降压CON组fi guration
12V高侧和低12V侧驱动
内置自适应“贯通”保护
集成的自举二极管的高边驱动器
快速上升和下降时间
开关频率高达500kHz
OD输入输出禁用 - 允许同步
与PWM控制器
SOIC- 8封装
提供低热阻封装MLP
概述
该FAN5009是一款双通道，高频MOSFET驱动器，
具体来说，可用于驱动N沟道功率MOSFET
在同步整流器版降压转换器。这些驱动程序，
结合飞兆半导体多相PWM控制器和
功率MOSFET ，组成一个完整的内核稳压器
解决方案的先进微处理器。
在FAN5009驱动的高端和低端MOSFET栅极
一个同步降压型稳压至12V
GS
。上面的门
驱动器包括一个集成的自举二极管，只有一个要求
外部自举电容（C
BOOT
） 。在输出驱动器
该FAN5009有EF网络ciently开关电源的容量
MOSFET的工作频率高达500kHz 。该电路的
自适应贯通保护可以防止MOSFET的
同时导通。
该FAN5009的额定工作在0 ° C至+ 85 ° C和
在低成本的SOIC - 8或MLP封装。
应用
多相位VRM / VRD监管机构的微处理器
动力
高电流/高频DC / DC转换器
大功率模块电源
典型用途
12V
FAN5009
4
VCC
C
VCC
1
BOOT
Q1
C
BOOT
PWM
2
8
HDRV
SW
Q2
L1
V
OUT
C
OUT
OD
3
交叠
保护
电路
7
VCC
5
LDRV
保护地
6
图1.典型应用。
REV 。 1.0.5 04年7月22日
FAN5009
产品speci fi cation
引脚CON组fi guration
桨
（接地）
BOOT
PWM
OD
VCC
1
2
3
4
FAN5009
8
7
6
5
HDRV
SW
保护地
LDRV
BOOT 1
PWM
2
外径3
4 VCC
FAN5009
8
7
6
5
HDRV
SW
保护地
LDRV
FAN5009M 8引脚SO -8封装
FAN5009MP 8引脚MLP封装
（桨应连接到地或者向左浮动）
引脚德网络nitions
引脚号引脚名
1
2
3
4
5
6
7
8
BOOT
PWM
OD
VCC
LDRV
保护地
SW
HDRV
引脚功能说明
自举电源输入。
提供供电电压高边MOSFET驱动器。连接
自举电容器。参见应用部分。
PWM信号输入。
该管脚接收来自所述控制器的逻辑电平PWM信号。
输出禁用。
低电平时，此引脚禁用FET开关（ HDRV和LDRV保持低电平） 。
电源输入
。 + 12V芯片的偏置电源。绕过一个1μF的陶瓷电容。
低侧栅极驱动输出。
连接到低侧功率MOSFET （多个）的栅极。
电源地。
直接连接至低边MOSFET （ S）源。
开关节点输入
。 Connect在如图所示1.软件提供的回报高边
自举驱动器并作为检测点自适应击穿直通保护。
高侧栅极驱动输出
–
连接到高侧功率MOSFET （多个）的栅极。
功能框图
4
VCC
BOOT
HDRV
OD
PWM
2
3
1
8
+
2.2
1.2
7
SW
1.2
VCC
5
6
LDRV
保护地
2
REV 。 1.0.5 04年7月22日
产品speci fi cation
FAN5009
绝对最大额定值
应力超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值和器件运行在超过那些表明这些或其他条件
本规范的操作部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。绝对最大额定值单独适用，而不是组合。
除非另有规定ED ，电压参考PGND 。
参数
VCC与PGND
PWM和OD引脚
申银万国PGND
启动到SW
引导至PGND
HDRV
LDRV
连续
瞬态（T = 200nsec ）
注意事项：
1.对于超出所指示的电平瞬时降额，请参考图7页上。
分钟。
–0.3
–0.3
连续
瞬态（T = 100nsec ，女
≤
500kHz)
连续
瞬态（T = 100nsec ，女
≤
500kHz)
V
SW
–1
–0.5
–2
(1)
–1
–5
(1)
–0.3
–0.3
马克斯。
15
5.5
15
25
15
30
33
(1)
V
BOOT
+0.3
V
CC
+0.3
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
热信息
参数
结温（T
J
)
储存温度
引线焊接温度10秒
汽相， 60秒
红外， 15秒
功耗（P
D
) T
A
= 25°C
热阻， SO8 - 结到管壳
θ
JC
热阻， SO8 - 结到环境
θ
JA
热阻， MLP - 结桨
θ
JC
40
140
4
分钟。
0
–65
典型值。
马克斯。
150
150
300
215
220
715
单位
°C
°C
°C
°C
°C
mW
° C / W
° C / W
° C / W
推荐工作条件
参数
电源电压VCC
环境温度（T
A
)
结温（T
J
)
条件
VCC与PGND
分钟。
10
0
0
典型值。
12
马克斯。
13.5
85
125
单位
V
°C
°C
REV 。 1.0.5 04年7月22日
3
FAN5009
产品speci fi cation
电气连接特定的阳离子
V
CC
= 12V，和T
A
=使用图2所示电路，除非另有说明25 ℃。本表示适用特定网络阳离子
在整个工作温度范围内。
参数
输入电源
VCC电压范围
VCC电流
自举二极管
连续正向电流
反向击穿电压
反向恢复时间
2
正向电压
2
OD输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
传播延迟
2
PWM输入
输入高电压
输入低电压
输入电流
高侧驱动器
输出阻抗，采购
当前
输出电阻，下沉
当前
转换时间
2,4
传播延迟
2,3
R
HUP
R
HDN
t
R（ HDRV ）
t
F（ HDRV ）
t
PDH （ HDRV ）
t
PDL （ HDRV ）
参见图2 ，和图4
V
BOOT
–V
SW
= 12V
V
BOOT
–V
SW
= 12V
见图2
3.8
1.4
40
20
50
25
4.4
1.8
55
30
65
40
ns
ns
ns
ns
V
IH（ PWM）的
V
白细胞介素（PWM）的
I
白细胞介素（PWM）的
-1
3.5
0.8
+1
V
V
A
V
IH （OD）的
V
白细胞介素（OD）的
I
OD
t
PDL （OD）的
t
PDH （OD）的
OD = 3.0V
见图3
–300
30
30
2.5
0.8
+300
40
45
V
V
nA
ns
ns
I
F（ AVG）
V
R
t
RR
V
F
I
F
= 10毫安
15
10
0.8
0.95
25
mA
V
ns
V
V
CC
I
CC
OD = 0V
6.4
12
3.5
13.5
8
V
mA
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
12V
33K
FAN5009
1 BOOT
2 PWM
3 OD
HDRV 8
SW 7
保护地6
LDRV 5
3000pf
3000pf
10K
4 VCC
1f
图2.测试电路
4
REV 。 1.0.5 04年7月22日
产品speci fi cation
FAN5009
电气连接特定的阳离子
（续）
参数
低侧驱动器
输出阻抗，采购
当前
输出电阻，下沉
当前
转换时间
2,4
传播延迟
2,3
R
LUP
R
LDN
t
R（ LDRV ）
t
F（ LDRV ）
t
PDH （ LDRV ）
t
PDL （ LDRV ）
t
PDH （ ODRV ）
见自适应栅极
驱动电路
描述
参见图2，图4
见图2
3.4
1.4
40
20
20
25
240
4.0
1.8
50
30
30
40
ns
ns
ns
ns
ns
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
1.所有极限工作温度下的极限设计，鉴定和统计质量控制有保证
设计/特性保证2. AC规格（未经过生产测试） 。
3.对于传播延迟， “ tPDH时间”是指从低到高的信号跃变和“保持tPDL ”指的是高至低的信号过渡
4.转换时间被定义为10 ％和90％的DC值的
V
IH （OD）的
OD
V
白细胞介素（OD）的
t
PDL （OD）的
t
PDH （OD）的
LDRV / HDRV
图3.输出禁止时间
V
IH（ PWM）的
PWM
t
PDL （ LDRV ）
V
白细胞介素（PWM）的
LDRV
1.2V
t
PDH （ HDRV ）
t
PDL （ HDRV ）
HDRV -SW
t
PDH （ LDRV ）
SW
2.2V
图4.自适应栅极驱动时序
REV 。 1.0.5 04年7月22日
5
QQ：2880707522 复制
