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FDN86246的N-沟道PowerTrench

MOSFET

2010年12月

FDN86246

N沟道的PowerTrench

MOSFET

150 V， 1.6 A ， 261米：

特点

最大

DS （ ON）

= 261米：在V

= 10 V，I

= 1.6 A

最大

DS （ ON）

= 359米：在V

= 6 V，I

= 1.4 A

高性能沟道技术极低r

DS （ ON）

高功率和电流处理能力的一种广泛使用的

表面贴装封装

开关速度快

100 ％ UIL测试

符合RoHS

概述

这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产

安森美半导体先进电源海沟

过程中有

经过优化的R

DS （ ON）

，开关性能和

耐用性。

应用

PD开关

MOSFET的最大额定值

= 25 C ，除非另有说明

符号

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

-Continuous

-Pulsed

单脉冲雪崩能量

功耗

工作和存储结温范围

（注3）

（注1A ）

（注1B ）

（注1A ）

参数

评级

150

±20

1.6

1.5

0.6

-55到+150

单位

°C

热特性

TJC

TJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1 ）

（注1A ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

246

设备

FDN86246

包

SSOT-3

带尺寸

7 ’’

胶带宽度

8 mm

QUANTITY

3000台

2010仙童半导体公司

FDN86246 Rev.C

www.fairchildsemi.com

FDN86246的N-沟道PowerTrench

MOSFET

电气特性

= 25 C ，除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

“ BV

DSS

GSS

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

= 250

PA ，

= 0 V

= 250

PA ，

参考25 ℃下

= 120 V, V

= 0 V

= ±20 V, V

= 0 V

150

106

±100

毫伏/°C的

基本特征

（注2 ）

GS （ TH）

DS （ ON）

门源阈值电压

温度COEF网络cient

静态漏极至源极导通电阻

正向跨导

= V

, I

= 250

PA ，

参考25 ℃下

= 10 V，I

= 1.6 A

= 6 V，I

= 1.4 A

= 10 V，I

= 1.6 A，T

= 125 °C

= 10 V，I

= 1.6 A

3.4

-9

195

242

359

261

359

481

毫伏/°C的

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

= 75 V, V

= 0 V,

F = 1 MHz的

168

1.6

0.9

225

开关特性

D（上）

D（关闭）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源栅极电荷

栅漏“米勒”充电

= 0 V至10 V

= 0 V至5 V

= 75 V,

= 1.6 A

= 75 V，I

= 1.6 A,

= 10 V ，R

根

= 6

4.5

1.1

2.9

1.6

0.9

0.8

漏源二极管的特性

源极到漏极二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

= 0 V，I

= 1.6 A

（注2 ）

0.83

1.3

= 1.6 A ， di / dt的= 100 A / PS

注意事项：

1. R

TJA

是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。

TJC

由设计而

TCA

是通过用户的电路板的设计来确定。

安装在当80℃ / W的

1年

2盎司纯铜垫

安装在一个时180℃ / W的

最小焊盘。

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300

PS，

占空比< 2.0 ％。

3.起始物为

= 25

℃; N沟道： L = 3 mH的，我

= 3 A，V

= 150 V, V

= 10 V.

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FDN86246的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

= 25 C ，除非另有说明

= 10 V

= 7 V

= 6 V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

归

漏极至源极导通电阻

漏电流（ A）

= 5 V

= 5.5 V

= 6 V

= 5.5 V

= 7 V

= 5 V

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

= 10 V

漏源极电压（ V）

漏电流（ A）

图1.区域特征

图2.归一导通电阻

VS漏极电流和栅极电压

800

源导通电阻

(

)

2.2

归

漏极至源极导通电阻

I = 1.6 A

2.0

= 10 V

= 1.6 A

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-75

-50

-25

25 50 75 100 125 150

结温

(

)

DS （ON ），

漏

600

= 125

400

200

= 25

门源电压（ V）

图3.归一导通电阻

VS结温

，漏电流（ A）

脉冲持续时间= 80

占空比= 0.5 ％ MAX

图4.导通电阻与栅极到

源极电压

，反向漏电流（ A）

= 0 V

= 5 V

= 150

= 25

= 150

0.1

= 25

0.01

= -55

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

，门源电压（ V）

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性

图6.源极到漏极二极管

正向电压随电流源

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FDN86246的N-沟道PowerTrench

MOSFET

典型特征

= 25 C ，除非另有说明

，门源电压（ V）

= 1.6 A

= 50 V

电容（pF）

300

100

国际空间站

= 75 V

= 100 V

OSS

F = 1 MHz的

= 0 V

RSS

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.1

100

，栅极电荷（ NC）

，漏源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.电容VS漏

至源极电压

3.5

，雪崩电流（ A）

，漏电流（ A）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.01

100美

1毫秒

= 25

0.1

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

10毫秒

100毫秒

= 100

0.01

单脉冲

=最大额定

= 180

C / W

= 25

10 s

= 125

0.1

，一次雪崩（毫秒）

0.001

0.1

100

500

，漏源极电压（ V）

图9.松开电感

交换能力

200

（ PK）

，瞬态峰值功率（ W）

图10.正向偏置安全

工作区

100

单脉冲

= 180℃ / W

= 25 C

0.5

-4

-3

-2

-1

100

1000

T，脉冲宽度（秒）

图11.单脉冲最大功率耗散

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MOSFET

典型特征

= 25 C ，除非另有说明

归热

阻抗Z

占空比，降序排列

0.1

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

= 180℃ / W

注意事项：

DUTY因子：D = T

PEAK牛逼

= P

X Z

TJA

个R

TJA

+ T

0.01

0.001

-4

-3

-2

-1

100

1000

吨，矩形脉冲持续时间（秒）

图12.结至环境瞬态热响应曲线

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