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FDC6327C
2000年7月
FDC6327C
双N & P沟道2.5V指定的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这些N & P沟道2.5V指定的MOSFET是
利用飞兆半导体先进的生产
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持低栅极
收取出色的开关性能。
这些器件的设计提供出色的功率
耗散在一个非常小的足迹的应用场合
更大更昂贵的SO -8和TSSOP -8封装
是不切实际的。
特点
N通道2.7A ， 20V 。
DS （ ON）
= 0.08 @ V
GS
= 4.5V
R
DS （ ON）
= 0.12 @ V
GS
= 2.5V
P沟道-1.6A ， -20V.R
DS （ ON）
= 0.17 @ V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
= 0.25 @ V
GS
= -2.5V
快速开关速度。
低栅极电荷。
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
.
SuperSOT
TM
-6包：占地面积小（ 72 ％小
比SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚） 。
应用
DC / DC转换器
负荷开关
电机驱动
D2
S1
D1
4
3
5
2
G2
SuperSOT
TM
-6
S2
G1
T
A
= 25 ° C除非另有说明
6
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗
参数
N沟道
20
（注1A ）
P沟道
-20
±
8
-1.9
-8
0.96
0.9
0.7
单位
V
V
A
W
±
8
2.7
8
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储结温范围
-55到+150
°
C
°
C / W
°
C / W
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
130
60
包装标志和订购信息
器件标识
.327
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDC6327C
带尺寸
7”
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000
FDC6327C ，英文内容
FDC6327C
电气特性
符号
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
输入最小值典型值最大值单位
开关特性
BV
DSS
BV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿
电压
击穿电压
温度COEF网络cient
零栅压漏
当前
门体泄漏，正向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
I
D
= - 250
A，参考25
°
C
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
所有
所有
20
-20
12
-19
1
-1
100
-100
V
毫伏/
°
C
A
nA
nA
门体泄漏，反向V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
（注2 ）
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
I
D（上）
g
FS
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
A
I
D
= 250
A，参考25
°
C
I
D
= - 250
A，参考25
°
C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.7 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.7 A，T
J
= 125
°
C
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.2 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.6 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.6 A，T
J
= 125
°
C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1.3 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 2.7 A
V
DS
= -5 V，I
D
= -1.9 A
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.4
-0.4
0.9
-0.9
-2.1
2.3
0.069
0.094
0.093
0.141
0.203
0.205
1.5
-1.5
V
毫伏/
°
C
0.08
0.13
0.12
0.17
0.27
0.25
8
-8
7.7
4.5
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
P沟道
反向传输电容V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
N沟道
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
325
315
75
65
35
24
pF
pF
pF
FDC6327C ，英文内容
FDC6327C
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
键入敏
典型值
最大单位
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
N沟道
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 4.5V ，R
根
= 6
P沟道
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
N沟道
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.7 A，V
GS
= 4.5V
P沟道
V
DS
= -10 V，I
D
= -1.9 A，V
GS
= -4.5V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
5
7
9
14
12
14
3
3
3.25
2.85
0.65
0.68
0.90
0.65
15
14
18
25
22
25
9
9
4.5
4.0
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向V
GS
= 0 V，I
S
= 0.8 A
（注2 ）
电压
V
GS
= 0 V，I
S
= - 0.8 A
（注2 ）
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
0.76
-0.79
0.8
-0.8
1.2
-1.2
A
V
注意事项：
1:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳体至环境阻力，其中的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面。
R
θJC
由设计而
θJA
是通过用户的电路板的设计来确定。这两款器件均假定为操作和共享的耗散的热能
同样。
a) 130
° C / W
当
安装在一个0.125
2
垫的2盎司铜。
b) 140
° C / W
当
安装在一个0.005
2
垫的2盎司铜。
c) 180
° C / W
当
安装在一个0.0015
2
垫的2盎司铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
FDC6327C ，英文内容
FDC6327C
典型特征： N沟道
10
V
GS
= 4.5V
3.0V
2.5V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
V
GS
= 2.0V
8
6
2.0V
4
1.4
1.2
2.5V
3.0V
3.5V
4.5V
2
1
1.5V
0
0
1
2
3
4
0.8
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
R
DS （ ON）
归一化的漏 - 源
导通电阻
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
I
D
= 2.7A
V
GS
= 4.5V
0.25
I
D
= 1.3A
0.2
0.15
T
A
= 125 C
0.1
o
1
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
A
= 25 C
0.05
o
125
150
0
1
2
3
4
5
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
，结温（ C）
图3.导通电阻变化
与温度。
10
图4.导通电阻变化
同门 - 源电压。
10
V
DS
= 5V
8
T
A
= -55 C
o
25 C
125 C
o
o
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125 C
25 C
o
o
6
0.1
-55 C
0.01
o
4
2
0.001
0
0
1
2
3
4
0.0001
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDC6327C ，英文内容
FDC6327C
典型特征： N沟道
（续）
5
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 2.7A
4
15V
3
V
DS
= 5V
10V
500
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
400
C
国际空间站
300
2
200
1
100
C
OSS
C
RSS
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
4
8
12
16
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
10
R
DS （ ON）
极限
1ms
10ms
1
100ms
1s
DC
100
s
5
单脉冲
4
R
θ
JA
= 180℃ / W
T
A
= 25 C
o
o
3
2
0.1
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 180℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏源电压（V ）
o
o
1
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
单脉冲时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
FDC6327C ，英文内容
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FST16233MTD
供货商
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数量
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单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    FDC6327C
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13410665908
联系人：王小姐
地址：福田区华强北远望数码城一楼B1016
FDC6327C
FAIRCHILD/仙童
21+
1000
DFN8-64
原装正品
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
FDC6327C
TE/泰科
24+
18650
34pin
原装新到货，公司现货
辉华拓展
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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
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Freescale(飞思卡尔)
22+
6067
原装原厂公司现货
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
FDC6327C
ON(安森美)
24+
7800
SOT-23-6
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深圳市集创讯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
FDC6327C
ON/安森美
24+
68500
SOT23-6
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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2418+
24000
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电话：0755-88917652分机801-83200050
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
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电话：0755-82578309/18898790342
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ON
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