ESDA6V1-4F1
A.S.D.
QUAD TRANSIL 阵列
对于ESD保护
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的，如：
电脑
打印机
通信系统
GSM手机及配件
其他电话机
机顶盒
s
s
s
s
s
s
3
A
B
Z1
Z2
2
GND
1
Z3
Z4
GND
描述
该ESDA6V1-4F1是一个4位单片宽
抑制器的设计，以防止ESD
它们被连接到数据组件和
传输线。
它钳位电压的正上方的逻辑电平
供应为正瞬变，以及一个二极管
下面地面的正向压降为负
瞬变。
特点
s
s
FL IP芯片
（凹凸面）
工作原理图
A3
A2
A1
s
s
4 Unirectional TRANSIL功能
击穿电压： V
BR
= 6.1Vmin
低漏电流< 10
A
极低PCB空间消耗
好处
s
s
s
> ±15kV ESD保护
高集成度
适用于高密度电路板
B3
B2
B1
ESD响应IEC61000-4-2标准
（空气放电16kV的，正的浪涌）
符合以下STAN-
DARDS ：
- IEC61000-4-2 ： 4级
15千伏（空气放电）
8千伏
（接触放电）
- MIL STD 883E -法3015-6 ： 3类
（人体模型）
2002年7月 - 埃德： 2A
1/6
ESDA6V1-4F1
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
测试条件
静电放电 - MIL STD 883E - 法3015-6
IEC61000-4-2空气放电
IEC61000-4-2接触放电
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）
结温
存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
工作温度范围
价值
±25
±15
±8
150
150
-55到+150
260
-40至+85
单位
kV
P
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
W
°C
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
αT
C
Rd
V
F
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度系数
每行电容
动态阻抗
正向电压降
斜率= 1 /路
I
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
I
PP
V
BR
TYPE
分钟。
@
马克斯。
I
R
I
RM
@ V
RM
马克斯。
Rd
典型值。
注1
T
最大
注2
10
-4
/°C
6
C
最大
0V偏置
pF
250
V
ESDA6V1- 4F1
注1 ：
方波脉冲IPP = 15A ， TP = 2.5μs之
注2 ：
V
BR =
αT
* （环境温度Tamb - 25 ） * VBR （ 25 ° C）
V
7.2
mA
1
A
10
V
5
m
350
6.1
2/6
ESDA6V1-4F1
图。 1 ：
峰值功耗与初始junc-
化温度
PPP【 TJ初始] / PPP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1000
图。 2 ：
峰值脉冲功率与脉冲指数
持续时间（ TJ初始= 25°C ）
的ppp （W）的
100
TJ初期（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
175
10
1
TP （微秒）
10
100
图。 3 ：
钳位电压与峰值脉冲电流
（ TJ初始= 25°C ） 。矩形波形吨
P
= 2.5s.
IPP （ A）
50.0
10.0
图。 4 ：
电容与反向施加电压
（典型值）。
C（ pF）的
250
225
200
175
F=1MHz
Vosc=30mV
TP = 2.5μs之
1.0
150
125
VCL （ V）
100
20
25
30
VR （ V）
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.1
0
5
10
15
75
0.0
图。 5 ：
漏电流与相对变化
结温度（典型值）。
IR [ TJ ] / IR [ TJ = 25 ° C]
1.8
1.6
1.4
1.2
TJ （ ° C）
1.0
25
50
75
100
125
150
3/6
ESDA6V1-4F1
计算钳位电压
使用动态电阻
该ESDA6V1-4F1已被设计为像钳制ESD快速冲高。一般的PCB设计人员需要
容易计算钳位电压VCL 。这就是为什么我们得到的动态电阻，除了
经典的参数。
穿过保护单元上的电压，可以计算用下面的公式：
V
CL
=
V
BR
+
R
d
I
PP
其中， IPP是峰值电流通过ESDA细胞。
动态电阻测量法
静电放电的持续时间短使我们更喜欢一个更适合的测试波形，如下定义，对
古典8/20 μs至10/1000微秒电涌
I
I
PP
t
2s
2.5 s
2.5 μs的时间测量波
作为动态电阻的值的浪涌持续时间保持稳定超过20μs的低， 2.5μs之
矩形调压很好地适应。除了上升和下降时间进行了优化，以避免任何寄生
路的测量过程中的现象。
ESD保护与ESDA6V1-4F1
以降低操作电平的聚焦，故障所造成的环境问题是
关键的。静电放电（ESD ）是失败的电子系统的一个主要原因。
瞬态电压抑制器ESD保护的理想选择，并在证明能够
抑制ESD事件。它们能够夹住进入瞬变到一个足够低的电平这样的
防止了损坏被保护半导体。表面贴装TVS阵列提供了最好的选择
对于最小的引线电感。它们用作并联保护元件，连接在信号线之间
到地面。作为瞬时上升到高于该装置的工作电压时， TVS阵列变为低
阻抗路径转向瞬态电流到地。
4/6
ESDA6V1-4F1
连接器
ESDA6V1-4F1
该ESDA6V1-4F1阵列用作ESD敏感的板级防护的理想产品
半导体元件。
倒装芯片封装使ESDA6V1-4F1设备的一些最小的ESD保护器件
可用。它也允许设计灵活性的“拥挤”板的设计，其中节省空间是在一
溢价。这使得能够缩短路由，并且可以有助于改善ESD性能。
布局建议
铜焊盘
铜 - 镍（ 2-6μm ） - 金（ 0.2μm的最大值）
= 250微米（ 300μm的最大值）
500m
500m
500m
= 320μm最大（网孔）
锡膏
模板设计
150微米的厚度
电路板的布局是在ESD引起的瞬变抑制一个关键的设计步骤。以下
指南建议：
该ESDA6V1-4F1应放置在尽可能靠近输入端子或连接器。
尽量减少ESD抑制器和被保护设备之间的路径长度
最小化所有导电回路，包括电源和接地回路
该ESD瞬变接地回路应保持尽可能的短。
使用地平面尽可能。
s
s
s
s
s
IC
= 340μm分钟（为300μm的
PAD
非阻焊层开口
to
be
pr
ot
ec
te
d
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ESDA6V1-4F1
A.S.D.
QUAD TRANSIL 阵列
对于ESD保护
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的，如：
电脑
打印机
通信系统
GSM手机及配件
其他电话机
机顶盒
s
s
s
s
s
s
3
A
B
Z1
Z2
2
GND
1
Z3
Z4
GND
描述
该ESDA6V1-4F1是一个4位单片宽
抑制器的设计，以防止ESD
它们被连接到数据组件和
传输线。
它钳位电压的正上方的逻辑电平
供应为正瞬变，以及一个二极管
下面地面的正向压降为负
瞬变。
特点
s
s
FL IP芯片
（凹凸面）
工作原理图
A3
A2
A1
s
s
4 Unirectional TRANSIL功能
击穿电压： V
BR
= 6.1Vmin
低漏电流< 10
A
极低PCB空间消耗
好处
s
s
s
> ±15kV ESD保护
高集成度
适用于高密度电路板
B3
B2
B1
ESD响应IEC61000-4-2标准
（空气放电16kV的，正的浪涌）
符合以下STAN-
DARDS ：
- IEC61000-4-2 ： 4级
15千伏（空气放电）
8千伏
（接触放电）
- MIL STD 883E -法3015-6 ： 3类
（人体模型）
2002年7月 - 埃德： 2A
1/6
ESDA6V1-4F1
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
PP
测试条件
静电放电 - MIL STD 883E - 法3015-6
IEC61000-4-2空气放电
IEC61000-4-2接触放电
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）
结温
存储温度范围
无铅焊锡温度（10秒持续时间）
工作温度范围
价值
±25
±15
±8
150
150
-55到+150
260
-40至+85
单位
kV
P
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
W
°C
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
RM
V
BR
V
CL
I
RM
I
PP
αT
C
Rd
V
F
参数
对峙电压
击穿电压
钳位电压
漏电流
峰值脉冲电流
电压温度系数
每行电容
动态阻抗
正向电压降
斜率= 1 /路
I
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
I
PP
V
BR
TYPE
分钟。
@
马克斯。
I
R
I
RM
@ V
RM
马克斯。
Rd
典型值。
注1
T
最大
注2
10
-4
/°C
6
C
最大
0V偏置
pF
250
V
ESDA6V1- 4F1
注1 ：
方波脉冲IPP = 15A ， TP = 2.5μs之
注2 ：
V
BR =
αT
* （环境温度Tamb - 25 ） * VBR （ 25 ° C）
V
7.2
mA
1
A
10
V
5
m
350
6.1
2/6
ESDA6V1-4F1
图。 1 ：
峰值功耗与初始junc-
化温度
PPP【 TJ初始] / PPP [ TJ初始= 25 ° C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1000
图。 2 ：
峰值脉冲功率与脉冲指数
持续时间（ TJ初始= 25°C ）
的ppp （W）的
100
TJ初期（ ° C）
0
25
50
75
100
125
150
175
10
1
TP （微秒）
10
100
图。 3 ：
钳位电压与峰值脉冲电流
（ TJ初始= 25°C ） 。矩形波形吨
P
= 2.5s.
IPP （ A）
50.0
10.0
图。 4 ：
电容与反向施加电压
（典型值）。
C（ pF）的
250
225
200
175
F=1MHz
Vosc=30mV
TP = 2.5μs之
1.0
150
125
VCL （ V）
100
20
25
30
VR （ V）
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.1
0
5
10
15
75
0.0
图。 5 ：
漏电流与相对变化
结温度（典型值）。
IR [ TJ ] / IR [ TJ = 25 ° C]
1.8
1.6
1.4
1.2
TJ （ ° C）
1.0
25
50
75
100
125
150
3/6
ESDA6V1-4F1
计算钳位电压
使用动态电阻
该ESDA6V1-4F1已被设计为像钳制ESD快速冲高。一般的PCB设计人员需要
容易计算钳位电压VCL 。这就是为什么我们得到的动态电阻，除了
经典的参数。
穿过保护单元上的电压，可以计算用下面的公式：
V
CL
=
V
BR
+
R
d
I
PP
其中， IPP是峰值电流通过ESDA细胞。
动态电阻测量法
静电放电的持续时间短使我们更喜欢一个更适合的测试波形，如下定义，对
古典8/20 μs至10/1000微秒电涌
I
I
PP
t
2s
2.5 s
2.5 μs的时间测量波
作为动态电阻的值的浪涌持续时间保持稳定超过20μs的低， 2.5μs之
矩形调压很好地适应。除了上升和下降时间进行了优化，以避免任何寄生
路的测量过程中的现象。
ESD保护与ESDA6V1-4F1
以降低操作电平的聚焦，故障所造成的环境问题是
关键的。静电放电（ESD ）是失败的电子系统的一个主要原因。
瞬态电压抑制器ESD保护的理想选择，并在证明能够
抑制ESD事件。它们能够夹住进入瞬变到一个足够低的电平这样的
防止了损坏被保护半导体。表面贴装TVS阵列提供了最好的选择
对于最小的引线电感。它们用作并联保护元件，连接在信号线之间
到地面。作为瞬时上升到高于该装置的工作电压时， TVS阵列变为低
阻抗路径转向瞬态电流到地。
4/6
ESDA6V1-4F1
连接器
ESDA6V1-4F1
该ESDA6V1-4F1阵列用作ESD敏感的板级防护的理想产品
半导体元件。
倒装芯片封装使ESDA6V1-4F1设备的一些最小的ESD保护器件
可用。它也允许设计灵活性的“拥挤”板的设计，其中节省空间是在一
溢价。这使得能够缩短路由，并且可以有助于改善ESD性能。
布局建议
铜焊盘
铜 - 镍（ 2-6μm ） - 金（ 0.2μm的最大值）
= 250微米（ 300μm的最大值）
500m
500m
500m
= 320μm最大（网孔）
锡膏
模板设计
150微米的厚度
电路板的布局是在ESD引起的瞬变抑制一个关键的设计步骤。以下
指南建议：
该ESDA6V1-4F1应放置在尽可能靠近输入端子或连接器。
尽量减少ESD抑制器和被保护设备之间的路径长度
最小化所有导电回路，包括电源和接地回路
该ESD瞬变接地回路应保持尽可能的短。
使用地平面尽可能。
s
s
s
s
s
IC
= 340μm分钟（为300μm的
PAD
非阻焊层开口
to
be
pr
ot
ec
te
d
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