R
EM微电子
- MARIN SA
EM4100
只读非接触式识别装置
描述
该EM4100 （以前称为H4100 ）是CMOS
在电子只读射频应用的集成电路
转发器。该电路由外部线圈供电
放置在电磁场中，并得到它的主
经由线圈端子中的一个来自相同场时钟。通过
接通和关断调制电流，芯片将发送
备份信息包含在一个因子y的前64位
编程存储器阵列。
芯片的编程是通过激光熔接进行
的，以便存储对每个唯一码多晶硅链接
芯片。
的EM4100具有用于多种金属的选择
定义代码类型和数据速率。 64个数据传输速率， 32
和载波频率的每个数据位16个周期是
可用。数据可以被编码为曼彻斯特，双相或
PSK 。
由于该逻辑核心的低功耗，无电源
缓冲电容是必需的。只有一个外部线圈需要
以得到芯片的功能。并联谐振电容器
74 pF的还集成。
特点
□
□
□
□
□
□
□
□
□
□
64位存储器阵列激光可编程
数据速率和编码可用的几个选项
片上谐振电容器
在芯片供应缓冲电容器
片上电压限制器
在芯片上的全波整流
大调制深度由于低阻抗
调制器
工作频率为100 - 150千赫
非常小的芯片尺寸便于植入
非常低的功耗
应用
□
□
□
□
物流自动化
防伪
访问控制
工业转发
典型工作配置
引脚分配
Coil1
VSS
VDD
EM4100
EM4100
Coil2
L：典型21.9mH为FO = 125kHz的
COIL1
COIL2
图。 1
COIL2
COIL1
线圈端子/时钟输入
线圈端子
图。 2
2004 ， EM微电子，马林SA
1
www.emmicroelectronic.com
R
EM4100
绝对最大额定值
参数
最大直流电流被迫
在COIL1 & COIL2
电源
储存温度。裸片形式
储存温度。 PCB形式
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
方法3015
符号
I
COIL
V
DD
T
商店
T
商店
V
ESD
条件
±30mA
-0.3 7.5V
-55 + 200℃
-55到+ 125°C
1000V
*）的交流电压上的线圈是通过在芯片上电压的限制
限制电路。这是根据参数予
COIL
in
绝对最大额定值。
工作条件
参数
工作温度。
最大线圈
当前
交流电压线圈上
供应频率
符号
T
op
I
COIL
V
COIL
f
COIL
3
100
14*
150
分钟。
-40
典型值。
MAX 。单位
°C
+85
10
mA
VPP
千赫
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。
曝光超出规定的工作条件下最大影响
设备可靠性或导致故障。
办理程序
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而由于独特的
该器件的性能，防静电措施应
取作为任何其它的CMOS组件。
系统原理
TRANCEIVER
转发
Coil1
振荡器
天线
司机
EM4100
Coil2
滤波器
和
收益
解调器
数据解码器
数据接收
从转发
信号的线圈
应答器线圈
Transeiver线圈
RF载波
数据
图。 3
2004 ， EM微电子，马林SA
2
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EM4100
电气特性
V
DD
= 1.5V, V
SS
= 0V ，女
C1
= 134kHz方波，T
a
= 25°C
V
C1
= 1.0V用在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
-1V除非另有规定
参数
电源电压
整流电源电压
Coil1 - Coil2电容
电源电容器
双相&曼彻斯特
版本
电源电流
C2垫调制器开
电压降
C1垫调制器开
电压降
PSK版本
电源电流PSK
C2垫调制器开
电压降
注1 ）
注2 ）
符号测试条件
V
DD
V
DDREC
C
水库
C
SUP
I
DD
V
ONC2
V
ONC1
I
DDPSK
V
ONC2PSK
V
DD
=1.5V
I
VDDC2
= 100μA与参考。到V
DD
V
DD
=1.5V
V
DD
=5.0V
V
DD
=5.0V
I
VDDC2
= 100μA与参考。到V
DD
I
VDDC2
= 1毫安与参考。到V
DD
I
VDDC1
=1mA
与参考。到V
DD
V
COIL1
- V
COIL2
= 2.8 VDC
调制器开关= “ON”时
V
COIL
= 100mVRMS F = 10kHz的
分钟。
1.5
1.5
典型值。
马克斯。
1)
单位
V
V
74
2)
120
0.63
0.9
2.1
2.1
1.1
2.3
2.3
1.5
1.3
2.8
2.8
pF
pF
A
V
V
V
0.92
0.3
0.6
2
0.9
A
V
的最大电压被强迫10毫安上COIL1定义 - COIL2
谐振电容的容差是在整个生产±15％。
根据要求选配耐受性降低
在晶片的基础上，容差为± 2％的
时序特性
V
DD
= 1.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 134kHz方波，T
a
= 25°C
V
C1
= 1.0V用在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
-1V除非另有规定
定时被来自于场频和被指定为数字射频周期。
参数
阅读位周期
符号
T
RDB
测试条件
根据选项
价值
64, 32, 16
单位
RF期
时序波形
T
OC
COIL1
64 ， 32或16吨
OC
根据选项
串行数据输出
n位
位n + 1
位n + 2
图。 4
2004 ， EM微电子，马林SA
3
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R
EM4100
框图
时钟
EXTRACTOR
a
COIL1
VDD
AC1
逻辑
时钟
CRES
+
全波
整流器器
AC2
-
CSUP
SEQUENCER
内存
ARRAY
COIL2
VSS
串行
数据输出
数据
调制器
数据
编码器
调制
控制
答：只为PSK版本中打开
图。五
功能说明
一般
的EM4100通过电磁方式供给
场感应所连接的线圈上。交流电压
整流以提供直流内部电源电压。
当最后一位被发送，该芯片将继续与第
位，直到电源关闭。
全波整流器
AC输入由一个事件引起的外部线圈
磁场由一个格雷茨桥式整流。桥
将限制内部直流电压，以避免在发生故障
强大的领域。
时钟提取
一个线圈端子（ COIL1 ）被用来产生
主时钟的逻辑功能。时钟的输出
提取驱动音序器。
SEQUENCER
音序器提供了所有必要的信号处理
存储器阵列和串行数据进行编码的。
三种面膜编程编码逻辑版本
可用。这三种编码类型是曼彻斯特，
双相和PSK 。的比特率，第一和第二
类型可以是场频为64或32周期。对于
PSK的版本中，比特率是16 。
定序器接收来自COIL1时钟的时钟
提取器生成的每个内部信号控制所述
存储器和数据编码器的逻辑。
数据调制器
该数据调制器由信号调制控
控制，以诱导高电流在线圈中。在
PSK版本中，只有COIL2晶体管驱动高电流。
在其他版本中，无论coil1和coil2晶体管驱动它
至VDD。这将根据影响磁场
存储在存储器阵列中的数据。
谐振电容器
该电容可以在0.5pF步骤进行修整工厂
实现74pf的绝对值一般。此选项，
这是根据要求，允许在一个更小的电容容差
整个生产。
2004 ， EM微电子，马林SA
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R
EM4100
曼彻斯特&双相编码器IC内存阵列
的EM4100包含64位在五组的划分
信息。 9位被用于报头， 10行的奇偶校验
比特（ P0 P9） ， 4列校验位（ PC0 - PC3） ， 40个数据位
（ D00 - D93 ） ， 1位停止位设置为0 。
对于PSK编码芯片内存阵列
该PSK编码芯片的编程与奇校验为P0
和P1始终与一个逻辑零。
的奇偶校验位从P2至P9是偶数。
列校验PC0至PC3计算包括
版位，是偶校验位。
代码说明
曼彻斯特
总是有从ON到OFF或从OFF转变
为ON，在比特周期的中间。在从过渡
逻辑比特“1”到逻辑比特“0”或逻辑比特“0”到逻辑“1”位的
相位变化。数据流的价值高介绍如下
调制器的开关，低代表开关ON
（参见图6）。
双相代码
在每个比特的开始处，会发生转变。逻辑
位“1”将保持其状态为全比特持续时间和
逻辑比特“0”将显示在该位的中间的过渡
持续时间（参照图7）。
PSK码
调制开关转到ON和OFF交替每
期载频。当相移发生时，一
逻辑"0"从存储器读出。如果没有移相
一数据速率周期后发生时，一个逻辑"1"读
（参照图8）。
1
1
1
版本8位或
客户ID
32个数据位
1
1
1
D00 D01
D10 D11
D20 D21
D30 D31
D40 D41
D50 D51
D60 D61
D70 D71
D80 D81
D90 D91
PC0 PC1
1
D02
D12
D22
D32
D42
D52
D62
D72
D82
D92
PC2
1
D03
D13
D23
D33
D43
D53
D63
D73
D83
D93
PC3
1
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
S0
9头位
10号线的奇偶
位
4列校验位
标题是由哪个都是9第一比特
掩模编程，以"1".由于数据和奇偶校验
组织，该序列不能在再现
数据串。首标后面是10个组的4个数据
位允许100十亿组合和1个连行校验
位。然后，最后一组由4个事件列校验
位而不行奇偶校验位。 S0是被写入到一个停止位
"0"
位D00至D03和D10位为D13是客户特定的
识别。
这些64位，以控制所述串行输出
调制器。当64位数据串被输出时，该
输出序列不断重复，直到电量耗尽
关。
曼彻斯特码
二进制数据
内存输出
调制器控制
调制控制"low"意味着高电流
图。 6
X
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
0
0
1
1
0
双相代码
二进制数据
内存输出
0
1
1
0
1
0
0
1
调制器控制
调制控制"low"意味着高电流
图。 7
2004 ， EM微电子，马林SA
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EM微电子
- MARIN SA
EM4100
只读非接触式识别装置
描述
该EM4100 （以前称为H4100 ）是CMOS
在电子只读射频应用的集成电路
转发器。该电路由外部线圈供电
放置在电磁场中，并得到它的主
经由线圈端子中的一个来自相同场时钟。通过
并打开断调制电流，芯片会
发回的信息中包含的一个因素y中的64位
预编程的存储器阵列。
芯片的编程是通过激光熔接进行
的，以便存储对每个唯一码多晶硅链接
芯片。
的EM4100具有用于多种金属的选择
定义代码类型和数据速率。 64个数据传输速率， 32
和载波频率的每个数据位16个周期是
可用。数据可以被编码为曼彻斯特，双相或
PSK 。
由于该逻辑核心的低功耗，无电源
缓冲电容是必需的。只有一个外部线圈是
根据需要，得到的芯片功能。并联谐振
74 pF的电容也集成。
特点
64位存储器阵列激光可编程
数据速率和编码可用的几个选项
片上谐振电容器
在芯片供应缓冲电容器
片上电压限制器
在芯片上的全波整流
大调制深度由于低阻抗
调制器
工作频率为100 - 150千赫
非常小的芯片尺寸便于植入
非常低的功耗
应用
物流自动化
防伪
访问控制
工业转发
典型工作配置
引脚分配
Coil1
VSS
VDD
EM4100
EM4100
Coil2
L：典型21.9mH为FO = 125kHz的
COIL1
COIL2
图。 1
COIL2
COIL1
线圈端子/时钟输入
线圈端子
图。 2
版权
2002年， EM微电子，马林SA
1
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EM4100
绝对最大额定值
参数
最大直流电流被迫
在COIL1 & COIL2
电源
储存温度。裸片形式
储存温度。 PCB形式
静电放电
最大限度的MIL -STD- 883C
方法3015
符号
I
COIL
V
DD
T
商店
T
商店
V
ESD
条件
±30mA
-0.3 7.5V
-55 + 200℃
-55到+ 125°C
1000V
*）的交流电压上的线圈是通过在芯片上电压的限制
限制电路。这是根据参数予
COIL
in
绝对最大额定值。
工作条件
参数
工作温度。
最大线圈
当前
交流电压线圈上
供应频率
符号
T
op
I
COIL
V
COIL
f
COIL
3
100
14*
150
分钟。
-40
典型值。
MAX 。单位
°C
+85
10
mA
VPP
千赫
强调以上这些上市最大额定值可能会导致
永久损坏设备。
曝光超出规定的工作条件下最大影响
设备可靠性或导致故障。
办理程序
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而由于独特的
该器件的性能，防静电措施应
取作为任何其它的CMOS组件。
系统原理
TRANCEIVER
转发
Coil1
振荡器
天线
司机
EM4100
Coil2
滤波器
和
收益
解调器
数据解码器
数据接收
从转发
信号的线圈
应答器线圈
Transeiver线圈
RF载波
数据
图。 3
版权
2002年， EM微电子，马林SA
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EM4100
电气特性
V
DD
= 1.5V, V
SS
= 0V ，女
C1
= 134kHz方波，T
a
= 25°C
V
C1
= 1.0V用在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
-1V除非另有规定
参数
电源电压
整流电源电压
Coil1 - Coil2电容
电源电容器
双相&曼彻斯特
版本
电源电流
C2垫调制器开
电压降
C1垫调制器开
电压降
PSK版本
电源电流PSK
C2垫调制器开
电压降
注1 ）
注2 ）
符号测试条件
V
DD
V
DDREC
C
水库
C
SUP
I
DD
V
ONC2
V
ONC1
V
DD
=1.5V
V
DD
=5.0V
V
DD
=5.0V
I
VDDC2
= 100μA与参考。到V
DD
I
VDDC2
= 1毫安与参考。到V
DD
I
VDDC1
=1mA
与参考。到V
DD
V
COIL1
- V
COIL2
= 2.8 VDC
调制器开关= “ON”时
V
COIL
= 100mVRMS F = 10kHz的
分钟。
1.5
1.5
典型值。
马克斯。
1)
单位
V
V
74
2)
120
0.63
0.9
2.1
2.1
1.1
2.3
2.3
1.5
1.3
2.8
2.8
pF
pF
A
V
V
V
I
DDPSK
V
ONC2PSK
V
DD
=1.5V
I
VDDC2
= 100μA与参考。到V
DD
0.3
0.92
0.6
2
0.9
A
V
的最大电压被强迫10毫安上COIL1定义 - COIL2
谐振电容的容差是在整个生产±15％。
根据要求选配耐受性降低
在晶片的基础上，容差为± 2％的
时序特性
V
DD
= 1.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 134kHz方波，T
a
= 25°C
V
C1
= 1.0V用在V正峰
DD
而在V负峰值
DD
-1V除非另有规定
定时被来自于场频和被指定为数字射频周期。
参数
阅读位周期
符号
T
RDB
测试条件
根据选项
价值
64, 32, 16
单位
RF期
时序波形
T
OC
COIL1
64 ， 32或16吨
OC
根据选项
串行数据输出
n位
位n + 1
位n + 2
图。 4
版权
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框图
时钟
EXTRACTOR
a
COIL1
VDD
AC1
逻辑
时钟
CRES
+
全波
整流器器
AC2
-
CSUP
SEQUENCER
内存
ARRAY
COIL2
VSS
串行
数据输出
数据
调制器
数据
编码器
调制
控制
答：只为PSK版本中打开
图。五
功能说明
一般
的EM4100通过电磁方式供给
场感应所连接的线圈上。交流电压
整流以提供直流内部电源电压。
当最后一位被发送，该芯片将继续与第
位，直到电源关闭。
全波整流器
AC输入由一个事件引起的外部线圈
磁场由一个格雷茨桥式整流。桥
将限制内部直流电压，以避免在发生故障
强大的领域。
时钟提取
一个线圈端子（ COIL1 ）被用来产生
主时钟的逻辑功能。时钟的输出
提取驱动音序器。
SEQUENCER
音序器提供了所有必要的信号处理
存储器阵列和串行数据进行编码的。
三种面膜编程编码逻辑版本
可用。这三种编码类型是曼彻斯特，
双相和PSK 。的比特率，第一和第二
类型可以是场频为64或32周期。为
该PSK版本，位速率是16 。
定序器接收来自COIL1时钟的时钟
提取并生成每一个内部信号控制
存储器和数据编码器逻辑。
版权
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4
数据调制器
该数据调制器由信号调制控
控制，以诱导高电流在线圈中。在
PSK版本中，只有COIL2晶体管驱动高电流。
在其他版本中，无论coil1和coil2晶体管驱动器
它到Vdd 。这将根据影响磁场
存储在存储器阵列中的数据。
谐振电容器
该电容可以在0.5pF步骤进行修整工厂
实现74pf的绝对值一般。此选项，
这是根据要求，允许更小的电容容差
在整个生产。
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EM4100
曼彻斯特&双相编码器IC内存阵列
的EM4100包含64位在五组的划分
信息。 9位被用于报头， 10行的奇偶校验
比特（ P0 P9） ， 4列校验位（ PC0 - PC3） ， 40个数据位
（ D00 - D93 ） ， 1位停止位设置为0 。
对于PSK编码芯片内存阵列
该PSK编码芯片的编程奇数奇偶校验
P0和P1 ，始终为逻辑零。
的奇偶校验位从P2至P9是偶数。
列校验PC0至PC3计算包括
版位，是偶校验位。
代码说明
曼彻斯特
总是有从ON到OFF或从OFF转变
为ON，在比特周期的中间。在从过渡
逻辑比特“1”到逻辑比特“0”或逻辑比特“0”到逻辑“1”位的
相位变化。数据流的价值高介绍如下
调制器的开关，低代表开关ON
（参见图6）。
双相代码
在每个比特的开始处，会发生转变。逻辑
位“1”将保持其状态为全比特持续时间和
逻辑比特“0”将显示在该位的中间的过渡
持续时间（参照图7）。
PSK码
调制开关转到ON和OFF交替每
期载频。当相移发生时，一
逻辑"0"从存储器读出。如果没有移相
一数据速率周期后发生时，一个逻辑"1"读
（参照图8）。
1
1
1
版本8位或
客户ID
32个数据位
1
1
1
D00 D01
D10 D11
D20 D21
D30 D31
D40 D41
D50 D51
D60 D61
D70 D71
D80 D81
D90 D91
PC0 PC1
1
D02
D12
D22
D32
D42
D52
D62
D72
D82
D92
PC2
1
D03
D13
D23
D33
D43
D53
D63
D73
D83
D93
PC3
1
P0
P1
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9
S0
9头位
10号线的奇偶
位
4列校验位
标题是由哪个都是9第一比特
掩模编程，以"1".由于数据和奇偶校验
组织，该序列不能在再现
数据串。首标后面是10个组的4个数据
位允许100十亿组合和1个连排
奇偶校验位。然后，最后一组由4个活动专栏
奇偶校验位无行奇偶校验位。 S0是停止位是
写"0"
位D00至D03和D10位为D13是客户特定的
识别。
这些64位，以控制所述串行输出
调制器。当64位数据串被输出时，该
输出序列不断重复，直到电量耗尽
关。
曼彻斯特码
二进制数据
内存输出
调制器控制
调制控制"low"意味着高电流
图。 6
X
1
1
1
1
1
1
1
1
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0
1
0
1
0
0
0
1
1
0
双相代码
二进制数据
内存输出
0
1
1
0
1
0
0
1
调制器控制
调制控制"low"意味着高电流
图。 7
版权
2002年， EM微电子，马林SA
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