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ES1PA通ES1PD
新产品
威世半导体
原通用半导体
高电流密度表面贴装超快整流器
机箱样式SMP
阴极带
特点
反向电压
50至200伏
正向电流
1.0 A
反向恢复时间
15纳秒
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
非常低调 - 1.0毫米典型的高度
对于表面安装应用程序
玻璃钝化结
超快恢复时间效率高
低正向电压,低功耗
内置应变救灾,非常适于自动贴片
高温焊接:
260 ° C(最大值) / 10秒码头
符合每J- STD- 020C MSL等级1
机械数据
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30)
0.000 (0.00)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
案例:
SMP
终端:
雾锡镀( E3后缀)的线索,焊
按J- STD- 002B和MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:
颜色频带端为负极
重量:
0.0009盎司, 0.024克
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
贴装焊盘布局
0.012 ( 0.30 ) REF
尺寸以英寸
(毫米)
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.030
(0.762)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.100
(2.54)
0.050
(1.27)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
最大额定值&热特性
(T
参数
器件标识代码
最大反向电压
最大正向平均整流电流见图1
峰值正向浪涌电流10ms的单一正弦半波
叠加在额定负荷
典型热阻
(1)
工作结存储温度范围
符号
V
RM
I
F( AV )
I
FSM
R
θJA
R
θJL
R
θJC
T
J
, T
英镑
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
ES1PA
EA
50
ES1PB
EB
100
1.0
30
ES1PC
EC
150
ES1PD
ED
200
单位
V
A
A
° C / W
°C
105
15
20
-55到+150
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
参数
符号
最大正向电压
(2)
在我
F
= 0.6A ,T
J
=25°C
V
F
在我
F
= 1A ,T
J
=25°C
最大反向电流
T
J
= 25°C
I
R
额定VRM
(2)
T
J
=125°C
以我的最大反向恢复时间
F
= 0.5A ,我
R
= 1A ,我
rr
=0.25A
TRR
在典型的反向恢复时间
T
J
=25°C
TRR
在我
F
= 1.0A ,V
R
= 30V的dv / dt = 50A / μs的,我
rr
= 10 % IRM牛逼
J
=100°C
在典型的反向恢复时间
T
J
=25°C
QRR
在我
F
= 1.0A ,V
R
= 30V的dv / dt = 50A / μs的,我
rr
= 10 % IRM牛逼
J
=100°C
在4.0V , 1MHz的典型结电容
C
J
价值
0.865
0.920
5.0
500
15
25
30
8
10
10
单位
V
A
ns
ns
nC
pF
注意事项:
( 1 )从结点到环境和结热阻铅安装在PCB用5.0× 5.0毫米铜垫的地方。
θJL
处测得的三 -
minal阴极带。
θJC
的测量是在所述主体的顶部中心
(2 )脉冲测试: 300μS脉冲宽度, 1 %的占空比
文档编号88918
23-Sep-04
www.vishay.com
1
ES1PA通ES1PD
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
图。 1 - 最大正向电流
降额曲线
1.2
30
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
正向平均整流电流( A)
峰值正向浪涌电流( A)
1.0
0.8
0.6
0.4
T
L
在阴极频带终端
0.2
0
80
90
100
110
120
130
140
150
25
20
15
10
05
0
1
10
100
铅温度( ℃)
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
10000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向电流( μA )
1000
100
T
J
= 125°C
10
T
J
= 150°C
正向电流(A )
10
T
J
= 150°C
1
T
J
= 25°C
0.1
1
0.1
0.01
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向电压( V)
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5 - 典型结电容
100
1000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
Transien热阻( ° C / W)
结电容(pF )
100
10
10
1
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压( V)
T,脉冲持续时间(秒)。
www.vishay.com
2
文档编号88918
23-Sep-04
ES1PA通ES1PD
新产品
威世半导体
原通用半导体
高电流密度表面贴装超快整流器
机箱样式SMP
阴极带
特点
反向电压
50至200伏
正向电流
1.0 A
反向恢复时间
15纳秒
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
非常低调 - 1.0毫米典型的高度
对于表面安装应用程序
玻璃钝化结
超快恢复时间效率高
低正向电压,低功耗
内置应变救灾,非常适于自动贴片
高温焊接:
260 ° C(最大值) / 10秒码头
符合每J- STD- 020C MSL等级1
机械数据
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30)
0.000 (0.00)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
案例:
SMP
终端:
雾锡镀( E3后缀)的线索,焊
按J- STD- 002B和MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:
颜色频带端为负极
重量:
0.0009盎司, 0.024克
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
贴装焊盘布局
0.012 ( 0.30 ) REF
尺寸以英寸
(毫米)
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.030
(0.762)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.100
(2.54)
0.050
(1.27)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
最大额定值&热特性
(T
参数
器件标识代码
最大反向电压
最大正向平均整流电流见图1
峰值正向浪涌电流10ms的单一正弦半波
叠加在额定负荷
典型热阻
(1)
工作结存储温度范围
符号
V
RM
I
F( AV )
I
FSM
R
θJA
R
θJL
R
θJC
T
J
, T
英镑
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
ES1PA
EA
50
ES1PB
EB
100
1.0
30
ES1PC
EC
150
ES1PD
ED
200
单位
V
A
A
° C / W
°C
105
15
20
-55到+150
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
参数
符号
最大正向电压
(2)
在我
F
= 0.6A ,T
J
=25°C
V
F
在我
F
= 1A ,T
J
=25°C
最大反向电流
T
J
= 25°C
I
R
额定VRM
(2)
T
J
=125°C
以我的最大反向恢复时间
F
= 0.5A ,我
R
= 1A ,我
rr
=0.25A
TRR
在典型的反向恢复时间
T
J
=25°C
TRR
在我
F
= 1.0A ,V
R
= 30V的dv / dt = 50A / μs的,我
rr
= 10 % IRM牛逼
J
=100°C
在典型的反向恢复时间
T
J
=25°C
QRR
在我
F
= 1.0A ,V
R
= 30V的dv / dt = 50A / μs的,我
rr
= 10 % IRM牛逼
J
=100°C
在4.0V , 1MHz的典型结电容
C
J
价值
0.865
0.920
5.0
500
15
25
30
8
10
10
单位
V
A
ns
ns
nC
pF
注意事项:
( 1 )从结点到环境和结热阻铅安装在PCB用5.0× 5.0毫米铜垫的地方。
θJL
处测得的三 -
minal阴极带。
θJC
的测量是在所述主体的顶部中心
(2 )脉冲测试: 300μS脉冲宽度, 1 %的占空比
文档编号88918
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1
ES1PA通ES1PD
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
图。 1 - 最大正向电流
降额曲线
1.2
30
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
正向平均整流电流( A)
峰值正向浪涌电流( A)
1.0
0.8
0.6
0.4
T
L
在阴极频带终端
0.2
0
80
90
100
110
120
130
140
150
25
20
15
10
05
0
1
10
100
铅温度( ℃)
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
10000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向电流( μA )
1000
100
T
J
= 125°C
10
T
J
= 150°C
正向电流(A )
10
T
J
= 150°C
1
T
J
= 25°C
0.1
1
0.1
0.01
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向电压( V)
1999额定峰值反向电压百分比(% )
图。 5 - 典型结电容
100
1000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
Transien热阻( ° C / W)
结电容(pF )
100
10
10
1
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
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反向电压( V)
T,脉冲持续时间(秒)。
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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