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EMIF06-HMC01F2
6号线EMI滤波器
包括ESD保护
IPAD
主要应用
高速多媒体卡
描述
该EMIF06 - HMC01F2是一个高度集成的阵列
旨在抑制EMI / RFI噪声高
高速多媒体卡端口过滤。
该EMIF06 - HMC01F2倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
此外,该过滤器包括静电放电保护
电路,它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出,
15千伏。
好处
6线低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗: < 4.4毫米
2
无铅封装
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装
符合以下标准:
IEC61000-4-2
外部pins15kV 4级(空气放电)
8千伏(接触放电)
MIL STD 883E
- 方法3015-6 3级
图2 :配置
R10
R11
R12
R13
R14
VMMC
MMCclk
MMCCMD
MMCdat0
MMCdat1
MMCdat2
MMCdat3
VMMC
R2
R3
R4
R5
R6
R7
CLK
CMD
dat0
dat1
dat2
dat3
倒装芯片
( 16焊球)
表1 :订购代码
产品型号
EMIF06-HMC01F2
记号
GH
图1 :引脚配置(球侧)
4
3
2
1
A
B
C
D
表2 :球配置
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
GND
CMD
CLK
VMMC / Vdd的
MMCclk
dat1
dat0
GND
MMCCMD
C1
C2
C3
C4
D1
D2
D3
D4
dat2
GND
MMCdat1
MMCdat0
dat3
GND
MMCdat3
MMCdat2
B4
TM :
IPAD是意法半导体公司的商标。
2005年1月
第1版
1/7
EMIF06-HMC01F2
表3 :绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C))
符号
参数和测试条件
内部销( A4,B4 ,C3,C4 ,D3,D4 ) :
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触放电
外部引脚(A1 ,A2,A3 ,B1,B2 ,C1,D1 ) :
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触放电
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
2
2
15
8
125
- 40至+ 85
- 55至+ 150
°C
°C
°C
单位
V
PP
kV
T
j
T
op
T
英镑
表4 :电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
每行输入电容
V
BR
V
RM
I
RM
I
RM
V
RM
V
BR
V
I
符号
V
BR
I
RM
C
LINE
R
2
,R
3
,R
4
, R
5
, R
6
, R
7
R
10
, R
11
, R
12
, R
13
R
14
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
@ 0V
I = 50毫安
I = 50 μA
I = 200 μA
公差
分钟。
14
典型值。
马克斯。
单位
V
0.1
20
± 20%
± 30%
± 30%
50
75
7
A
pF
k
k
2/7
EMIF06-HMC01F2
图3 : S21 ( dB)的衰减测量
0.00
dB
- 10.00
图4 :模拟串扰测量
0.00
dB
- 10.00
- 20.00
- 20.00
- 30.00
- 40.00
- 30.00
- 50.00
- 60.00
- 40.00
- 70.00
- 50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
- 80.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
图5 : ESD回应IEC61000-4-2
( + 15kV空气放电)上的一个输入V (中)和上
一个输出端( Vout)外部
图6 : ESD回应IEC61000-4-2 ( -15kV
空气放电)上的一个输入V (中),并在一个
输出( Vout)外部
输入
10V/d
输入
10V/d
产量
10V/d
产量
10V/d
200ns/d
图7 :结电容与反向
施加的电压(典型值)的
C
LINE
(PF )
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Vosc=30mV
F=1MHz
TA = 25℃
200ns/d
V
LINE
(V)
3/7
EMIF06-HMC01F2
图8 : APLAC模型,器件结构
R10
R11
Lbump Rbump
Vmmc_Vdd
Cbump RSUB
A3
Lbump Rbump
MMCclk
Cbump RSUB
A4
Lbump
Rbump
MMCCMD
Cbump RSUB
B4
Lbump
Rbump
MMCdat0
Cbump RSUB
C4
Lbump Rbump
Cbump RSUB
C3
Lbump Rbump
MMCdat2
Cbump RSUB
D4
Lbump Rbump
MMCdat3
Cbump RSUB
D3
体积
RGND
CGND
体积
LGND
体积
Rbump
体积
dat3
Rbump Lbump
RSUB Cbump
D1
体积
体积
Lbump
dat2
Rbump Lbump
RSUB Cbump
C1
体积
MMCdat1
MODEL = demif06_gnd
体积
MMCdat2
R7
MMCdat3
MODEL = demif06
dat3
dat0
MODEL = demif06
体积
体积
dat1
Rbump Lbump
RSUB Cbump
B1
RSUB Cbump
B2
体积
MMCdat0
R5
MMCdat1
R6
dat2
体积
Rbump Lbump
dat1
MMCclk
R3
MMCCMD
R4
dat0
CMD
RSUB
Cbump
A1
CMD
体积
Rbump Lbump
体积
Vmmc_Vdd
R14
R2
CLK
CLK
Rbump Lbump
RSUB
Cbump
A2
R12
R13
图9 : APLAC模型参数
变量
R2 50
R3 50
R4 50
R5 50
R6 50
R7 50
R10 75K
R11 75K
R12 75K
R13 75K
R14 7K
RSUB百米
变量
CZ 11pF
Cz_gnd 45pF
RS_gnd 480米
LS 950pH
RS 150米
Rbump百米
Lbump 50PH
Cbump 0.15pF
LGND 50PH
RGND百米
CGND 0.15pF
demif06_gnd
BV=14
IBV=1m
CJO = Cz_gnd
M=0.31
RS = RS_gnd
VJ=0.6
TT=100n
demif06
BV=14
IBV=1m
CJO =锆石
M=0.31
RS=1
VJ=0.6
TT=100n
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EMIF06-HMC01F2
图10 :订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值(欧姆)
Z =电容值/ 10 (PF )
or
3字母=应用
2位=版本
F =倒装芯片
X = 1 : 500微米,凹凸=为315μm
= 2 :无铅间距= 500μm的,凹凸=为315μm
= 3 :无铅间距= 400μm的,凹凸= 250微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
图11 :倒装芯片封装机械数据
500m ± 10
315m ± 50
650m ± 65
500m ± 10
1.92mm ± 50m
图12 :脚打印推荐
1.92mm ± 50m
图13 :标记
点, ST标志
XX =标记
Z =包装的位置
YWW =日期代码
( Y =年
WW =周)
365
240
365
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
E
焊锡模板开口道: 330μm
阻焊层开口的建议:
340μm分的为315μm的铜焊盘直径
X X Z
WW
40
220
在微米所有尺寸
5/7
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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