EMIF06-HMC01F2
6号线EMI滤波器
包括ESD保护
IPAD
主要应用
■
高速多媒体卡
描述
该EMIF06 - HMC01F2是一个高度集成的阵列
旨在抑制EMI / RFI噪声高
高速多媒体卡端口过滤。
该EMIF06 - HMC01F2倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
此外,该过滤器包括静电放电保护
电路,它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出,
15千伏。
好处
■
6线低通滤波器
■
高效率的EMI滤波
■
极低PCB空间消耗: < 4.4毫米
2
■
无铅封装
■
非常薄的封装: 0.65毫米
■
高效率的ESD抑制
■
的单片集成提供高可靠性
■
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装
符合以下标准:
IEC61000-4-2
外部pins15kV 4级(空气放电)
8千伏(接触放电)
MIL STD 883E
- 方法3015-6 3级
图2 :配置
R10
R11
R12
R13
R14
VMMC
MMCclk
MMCCMD
MMCdat0
MMCdat1
MMCdat2
MMCdat3
VMMC
R2
R3
R4
R5
R6
R7
CLK
CMD
dat0
dat1
dat2
dat3
倒装芯片
( 16焊球)
表1 :订购代码
产品型号
EMIF06-HMC01F2
记号
GH
图1 :引脚配置(球侧)
4
3
2
1
A
B
C
D
表2 :球配置
A1
A2
A3
A4
B1
B2
B3
GND
CMD
CLK
VMMC / Vdd的
MMCclk
dat1
dat0
GND
MMCCMD
C1
C2
C3
C4
D1
D2
D3
D4
dat2
GND
MMCdat1
MMCdat0
dat3
GND
MMCdat3
MMCdat2
B4
TM :
IPAD是意法半导体公司的商标。
2005年1月
第1版
1/7
EMIF06-HMC01F2
表3 :绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C))
符号
参数和测试条件
内部销( A4,B4 ,C3,C4 ,D3,D4 ) :
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触放电
外部引脚(A1 ,A2,A3 ,B1,B2 ,C1,D1 ) :
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触放电
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
2
2
15
8
125
- 40至+ 85
- 55至+ 150
°C
°C
°C
单位
V
PP
kV
T
j
T
op
T
英镑
表4 :电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
每行输入电容
V
BR
V
RM
I
RM
I
RM
V
RM
V
BR
V
I
符号
V
BR
I
RM
C
LINE
R
2
,R
3
,R
4
, R
5
, R
6
, R
7
R
10
, R
11
, R
12
, R
13
R
14
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
@ 0V
I = 50毫安
I = 50 μA
I = 200 μA
公差
分钟。
14
典型值。
马克斯。
单位
V
0.1
20
± 20%
± 30%
± 30%
50
75
7
A
pF
k
k
2/7
EMIF06-HMC01F2
图3 : S21 ( dB)的衰减测量
0.00
dB
- 10.00
图4 :模拟串扰测量
0.00
dB
- 10.00
- 20.00
- 20.00
- 30.00
- 40.00
- 30.00
- 50.00
- 60.00
- 40.00
- 70.00
- 50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
- 80.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
图5 : ESD回应IEC61000-4-2
( + 15kV空气放电)上的一个输入V (中)和上
一个输出端( Vout)外部
图6 : ESD回应IEC61000-4-2 ( -15kV
空气放电)上的一个输入V (中),并在一个
输出( Vout)外部
输入
10V/d
输入
10V/d
产量
10V/d
产量
10V/d
200ns/d
图7 :结电容与反向
施加的电压(典型值)的
C
LINE
(PF )
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Vosc=30mV
F=1MHz
TA = 25℃
200ns/d
V
LINE
(V)
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EMIF06-HMC01F2
图10 :订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值(欧姆)
Z =电容值/ 10 (PF )
or
3字母=应用
2位=版本
包
F =倒装芯片
X = 1 : 500微米,凹凸=为315μm
= 2 :无铅间距= 500μm的,凹凸=为315μm
= 3 :无铅间距= 400μm的,凹凸= 250微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
图11 :倒装芯片封装机械数据
500m ± 10
315m ± 50
650m ± 65
500m ± 10
1.92mm ± 50m
图12 :脚打印推荐
1.92mm ± 50m
图13 :标记
点, ST标志
XX =标记
Z =包装的位置
YWW =日期代码
( Y =年
WW =周)
365
240
365
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
E
焊锡模板开口道: 330μm
阻焊层开口的建议:
340μm分的为315μm的铜焊盘直径
X X Z
WW
40
220
在微米所有尺寸
5/7