【订购数量： ENA1387AECH8315三洋半导体数据表ECH8315特点P沟道MOSFET硅通用】,IC型号ECH8315-TL-H,ECH8315-TL-H PDF资料,ECH8315-TL-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1387A

ECH8315

三洋半导体

数据表

ECH8315

特点

P沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

低导通电阻

4V DRIVE

无卤合规

在保护二极管

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

条件

评级

--30

±20

--7.5

--40

1.5

150

-55到+150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）。

7011A-002

ECH8315-TL-H

产品&包装信息

包

： ECH8

JEITA ， JEDEC

最小包装数量： 3000个/卷。

顶视图

0.25

2.9

0.15

包装类型： TL

0吨 0.02

记号

LOT号

2.8

2.3

0.25

0.65

0.3

电气连接

0.9

1 ：源

2 ：源

3 ：源

4 ：门

5 ：排水

6 ：排水

7 ：漏

8 ：排水

博特吨OM查看

0.07

三洋： ECH8

http://semicon.sanyo.com/en/network

50112 TKIM / D2408PE MSIM TC- 00001772号A1387-1 / 7

ECH8315

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = - 7.5A ， VGS = 0V

VDS = - 15V ， VGS = - 10V ， ID = - 7.5A

请参阅特定网络版测试电路。

条件

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = - 1毫安

VDS = - 10V ， ID = - 3.5A

ID = - 3.5A ， VGS = - 10V

ID = - 2A ， VGS = - 4.5V

ID = - 2A ， VGS = - 4V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

评级

分钟。

--30

--1

±10

--1.2

8.4

875

200

150

8.1

2.1

4.7

--0.82

--1.2

--2.6

典型值。

马克斯。

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

VIN

VDD = --15V

--10V

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

ID = --3.5A

RL=4.3Ω

VOUT

P.G

ECH8315

50Ω

订购信息

设备

ECH8315-TL-H

包

ECH8

航运

3,000pcs./reel

备忘录

无铅和无卤素

第A1387-2 / 7

ECH8315

--15.0V

--10.0V

--4.5V

--4.0

--3.

--7.5

--7.0

--6.5

--6.0

--5.5

--5.0

--4.5

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

ID - VDS

--3

.0V

--10

--9

--8

ID - VGS

VDS = --10V

漏极电流ID -

--6.

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

VGS = --2.5V

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--2.5

--3.0

--25

--3.5

漏极至源极电压VDS - V

RDS （ ON） - VGS

IT14298

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

IT14299

Ta=25°C

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

ID = --2A

--60

--3.5A

2.0A

= --

V， I D

--4.0

.0A

= --2

VGS

V， I D

--4.5

VGS

--3.5A

， I D =

--10.0

--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--40

--20

100

120

140

160

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT14300

环境温度，钽 -

IS - VSD

IT14301

正向转移导纳，

-- S

1.0

0.1

--0.01

VDS = --10V

--10

VGS=0V

--2

源出电流，是 - 个

--1.0

Ta=7

--0.1

5 7 --0.1

5 7 --1.0

漏极电流ID -

SW时间 - ID

5 7 --10

IT14302

--0.01

--0.2

--0.4

--0.6

--25

--0.8

--1.0

--1.2

IT14303

VDD = --15V

VGS = --10V

西塞，科斯，的Crss - pF的

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

f=1MHz

切换时间， SW时间 - NS

100

TD （关闭）

1000

西塞

TD （上）

--0.1

科斯

CRSS

100

--1.0

--10

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT14305

漏极电流ID -

IT14304

漏极至源极电压VDS - V

第A1387-3 / 7

ECH8315

--10

--9

VGS - 的Qg

VDS = --10V

ID = --7.5A

漏极电流ID -

栅极 - 源极电压VGS - V

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

--100

--10

--1.0

--0.1

ASO

IDP =

--40A

ID = --7.5A

PW≤10μs

RAT

(

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

)

--0.01

--0.01 2 3

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

5 7--0.1

2 3

5 7--1.0

2 3

5 7 --10

2 3

总栅极电荷QG - 数控

1.8

IT14306

PD - TA

漏极至源极电压VDS - V

IT14307

允许功耗， PD - 含

1.6

1.5

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

当安装在陶瓷基板

(900mm

×0.8mm)

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT14308

第A1387-4 / 7

ECH8315

压纹带包装特定网络阳离子

ECH8315-TL-H

第A1387-5 / 7

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