【订购数量： ENA1680ECH8503三洋半导体数据表ECH8503特点PNP外延平面硅晶体管电机】,IC型号ECH8503,ECH8503 PDF资料,ECH8503经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1680

ECH8503

三洋半导体

数据表

ECH8503

特点

PNP外延平面硅晶体管

电机驱动应用

复合型，促进高密度安装

安装高度0.9毫米

无卤合规

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散

总功耗

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

TSTG

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

1unit

当安装在陶瓷基体（ 900毫米

×0.8mm)

条件

评级

-50

-6

-5

-10

-1

1.3

1.6

150

-55到+150

单位

°C

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7011A-008

顶视图

0.25

2.9

0.15

0吨 0.02

2.8

2.3

产品&包装信息

包

： ECH8

JEITA ， JEDEC

最小包装数量： 3000个/卷。

大坪类型： TL

记号

LOT号

0.25

0.65

0.3

电气连接

1 ： Emitter1

2 ： BASE1

3 ： Emitter2

4 ：和Base2

5 ： Collector2

6 ： Collector2

7 ： Collector1

8 ： Collector1

博特吨OM查看

0.07

0.9

三洋： ECH8

http://semicon.sanyo.com/en/network

51910EA TK IM TC- 00002334号A1680-1 / 4

ECH8503

电气特性

在TA = 25℃

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

输出电容

集电极 - 发射极饱和电压

基极 - 发射极饱和电压

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

开启时间

贮存时间

下降时间

符号

ICBO

IEBO

的hFE

COB

VCE(sat)1

VCE(sat)2

VBE （ SAT ）

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

吨

TSTG

条件

VCB = -50V ， IE = 0A

VEB = -4V ， IC = 0A

VCE = -2V ， IC = -500mA

VCE = -10V ， IC = -500mA

VCB = -10V ， F = 1MHz的

IC = -1A ， IB = -50mA

IC = -2.5A ， IB = -125mA

IC = -10μA ， IE = 0A

IC = -1mA ， RBE = ∞

IE = -10μA ， IC = 0A

请参阅特定网络版测试电路。

-50

-6

170

200

280

-60

-110

-0.9

-100

-190

-1.1

评级

民

典型值

最大

-0.1

560

兆赫

单位

μA

注）上面所示的特定网络连接的阳离子是为每个单独的晶体管。

开关时间测试电路

PW=20μs

D.C.≤1%

输入

50Ω

IB1

IB2

100μF

VBE=5V

470μF

VCC = --12V

VOUT

IC = --20IB1 = 20IB2 = --2.5A

--2.0

--1.8

IC - VCE

--50

--3

集电极电流， IC - 一个

--1.4

--1.2

--1.0

--0.8

--0.6

--0.4

--0.2

集电极电流， IC - 一个

--1.6

--70m

--1

--5.0

IC - VCE

--1

--10

--8m

--6mA

--4.5

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

--70m

--50m

--30m

--20mA

--10mA

--8mA

--100

--4mA

--14m

5mA

--1

A --1

2mA

--6mA

--2mA

--4mA

--2mA

IB=0mA

--0.4

--0.8

--1.2

--1.6

--2.0

IT15448

IB=0mA

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

IT15447

集电极 - 发射极电压VCE - V

第A1680-2 / 4

ECH8503

--5

IC - VBE

VCE = --2V

1000

的hFE - IC

VCE = --2V

Ta=75

集电极电流， IC - 一个

--4

直流电流增益， hFE参数

°C

--25

--3

100

Ta=75

--2

--1

--25

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT15449

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

基极发射极电压VBE - V

F T - IC

集电极电流， IC - 一个

IT15450

COB - VCB

增益带宽积， F T - 兆赫

VCE = --10V

f=1MHz

输出电容，科夫 - pF的

100

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

--1.0

--10

集电极电流， IC - 一个

IT15451

--1000

VCE （SAT） - IC

集电极 - 基极电压VCB - V

VCE （SAT） - IC

IT15452

IC / IB = 20

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - 毫伏

集电极 - 发射极

饱和电压VCE （SAT） - 毫伏

--100

--10

IC / IB = 50

--100

--2

--10

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

集电极电流， IC - 一个

VBE （星期六） - IC

IT15453

正向偏置S 0

ICP = --10A

集电极电流， IC - 一个

IT15454

IC / IB = 20

基极 - 发射极

饱和电压VBE （星期六） - V

--10

500

集电极电流， IC - 一个

--1.0

--0.1

IC = --5A

--1.0

TA = --25

°C

)

--0.01

7 --0.1

7 --1.0

5 7

IT15455

--0.01

--0.01 2 3

Ta=25°C

单脉冲

5 7--0.1

2 3

5 7--1.0

2 3

5 7 --10

2 3

5 7

集电极电流， IC - 一个

集电极 - 发射极电压VCE - V

IT15456

第A1680-3 / 4

ECH8503

1.8

1.6

PC - TA

当安装在陶瓷基板

(900mm

0.8mm)

集电极耗散，电脑 - 含

1.4

1.3

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

NIT

ATIO

国际空间站

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT15457

任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品

"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，

通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得

被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，

航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号

系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁

人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得

其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用

我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序

应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前

使用目的，我们的客户须自行负责使用。

产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定

性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并

不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该

客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估

独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的

产品或设备。

三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任

超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）

有限公司。本文描述或包含的产品。

三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有

半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障

或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给

上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，

采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但

不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及

结构设计。

倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为

在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要

从有关根据上述法律，当局出口许可证。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或

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党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权

上面提到的。

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更改，恕不另行通知。

PS第A1680-4 / 4