EDI9F37512C
512Kx37静态RAM CMOS ，高速模块
特点
n
512Kx37位CMOS静态RAM
??访问时间： 45和55ns
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
n
高密度封装
72引线SIMM ， 418号
??常见的数据输入和输出
n
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI9F37512C是一个高速20兆的静态RAM模块
组织为512K字× 37位。该模块是从构建
5 512Kx8静态RAM，采用TSOP封装的环氧树脂层压板
（ FR4 ）板。
四个写选择（ W 0 -W 3 ）用于独立地使四个
字节。阅读和写作可以在单个字节或者被执行
通过适当选择使用相结合的多个字节。
该EDI9F37512C提供了72引线SIMM这使得20
的存储器兆比特被放置在板的不到1.5平方英寸
空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从单一经营
5V电源。完全异步电路不需要时钟或茶点
荷兰国际集团的运作，并提供方便的平等机会和循环时间
的用途。
在SIMM模块包含2存在检测其用于销
识别模块存储器密度的应用中交替
模块可以互换。
图。 1
引脚配置和框图
AD3
AD4
AD1
AD2
VSS
AD0
AW
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
E
A6
A7
W1
W0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
W3
W2
A18
A17
G
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
VCC
A14
A15
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
A16
PD1
NC
PD0
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
9F37512C引脚配置。
引脚名称
A-A18
E
W0-W3
AW
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
PD0-PD1
A0-A18
E
G
地址输入
芯片使
写使能
奇偶写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
设备检测
512k
x8
W0
W1
DQ0-DQ7
512k
x8
DQ8-DQ15
512k
DQ16-DQ23
x8
W2
W3
512k
x8
DQ24-DQ31
512k
x8
AW
AD0-AD4
9F37512C座直径
2002年10月修订版4A
ECO ＃ 15655
1
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EDI9F37512C
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
Symbo
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TRC
tAVQV
TAA
TELQV
TACS
TELQX
TCLZ
TEHQZ
TCHZ
TAVQX
TOH
TGLQV
TOE
TGLQX
TOLZ
TGHQZ
tOHZ
45ns
最小最大
45
45
45
3
18
3
15
0
15
55ns
最小最大
55
55
55
3
25
3
25
0
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
9F37512C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
9F37512C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
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2
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交流特性写周期
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TWC
TELWH
TCW
TWLEH
TCW
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
tAVWH
TAW
tAVEH
TAW
tWLWH
TWP
tELEH
TWP
tWHAX ALE低
tWR的
tEHAX
tWR的
tWHDX
TDH
tEHDX
TDH
TWLQZ
tWHZ
tDVWH
TDW
tDVEH
TDW
TWHQX
TWLZ
45ns
最小最大
45
25
25
0
0
25
25
25
25
0
0
0
0
0
6
20
20
3
55ns
最小最大
55
45
45
0
0
45
45
40
40
0
0
0
0
0
28
30
30
3
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 4
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
9F37512C写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
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订购信息
产品型号
EDI9F37512C45MMC
EDI9F37512C55MMC
速度
（纳秒）
45
55
包
号
418
418
包装说明
包号。 418 ： 72 PIN ZIP
0.125 DIA 。 TYP 。
（ 2的PLC。 ）
0.133 REF 。
4.255 MAX 。
3.984
0.300
马克斯。
0.720
马克斯。
0.400
0.250
0.080
REF 。
9F37512C PKG
P1
0.050 TYP 。
3.750
0.250
0.060 R.
0.130
REF 。
0.220
分钟。
所有尺寸为英寸
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ECO ＃ 15655
数据表APPROVALS
EDI PART NO 。
批准：
胡安·古斯曼
ED19F37512C
ECO ＃
15655
新REV
4A
日期
10/8/02
日期
10/8/02
初始
L.K.
校正在页面上
MUKESH特里维迪
M.A.
保罗·马里安
LARRY WINROTH
DAVE KELLY
马克·道尼
达沃·哈里森
TONY LEE
BOB KHEDERIAN
LUIS ESTELLA
10/10/02
10/10/02
是的
将在数据表走在WEB ？
NO
2这是个新的数据表？
将在数据表替换现有的
数据表THAT'S已经在WEB ？
如果是， IT更换DATASHEET什么？
哪个部门应该将该数据资料BE
放置在网页？
LINE ： ________
家庭：
____________
PROD.TYPE ：
________
ORG ： ___________
密度： ________
SPEED ： __________
PKG ： ____________
电压： ________
审查或改正在数据表后（ S）
请登录关在这张纸上
AND，让你改正-ON
正本（ S） 。
查看数据表后，测试工程团队将完成下面的部分。
测试程序的变化所需要的：
YES ： _________否____________日期： ___________
测试工程师SIGNATURE___________________
如果是，不释放数据表，直至TEST PROGRAM CHANGE完成。
TEST PROGRAM CHANGE竣工日期： __________
测试程序名称和REVISION_________________
测试工程师SIGNATURE__________________________
FO-00342R1.DOC
ECO ＃ 14942
1表1
EDI9F37512C
512Kx37静态RAM CMOS ，高速模块
特点
n
512Kx37位CMOS静态RAM
??访问时间： 45和55ns
??单个字节的选择
??完全静态的，并没有时钟
?? TTL兼容的I / O
n
高密度封装
72引线SIMM ， 418号
??常见的数据输入和输出
n
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
描述
该EDI9F37512C是一个高速20兆的静态RAM模块
组织为512K字× 37位。该模块是从构建
5 512Kx8静态RAM，采用TSOP封装的环氧树脂层压板
（ FR4 ）板。
四个写选择（ W 0 -W 3 ）用于独立地使四个
字节。阅读和写作可以在单个字节或者被执行
通过适当选择使用相结合的多个字节。
该EDI9F37512C提供了72引线SIMM这使得20
的存储器兆比特被放置在板的不到1.5平方英寸
空间。
所有的输入和输出为TTL兼容，从单一经营
5V电源。完全异步电路不需要时钟或茶点
荷兰国际集团的运作，并提供方便的平等机会和循环时间
的用途。
在SIMM模块包含2存在检测其用于销
识别模块存储器密度的应用中交替
模块可以互换。
图。 1
引脚配置和框图
AD3
AD4
AD1
AD2
VSS
AD0
AW
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
E
A6
A7
W1
W0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
W3
W2
A18
A17
G
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A8
A9
A10
A11
A12
A13
VCC
A14
A15
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
A16
PD1
NC
PD0
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
9F37512C引脚配置。
引脚名称
A-A18
E
W0-W3
AW
G
DQ-DQ31
VCC
VSS
PD0-PD1
A0-A18
E
G
地址输入
芯片使
写使能
奇偶写使能
OUTPUT ENABLE
常见的数据输入/输出
电源（+ 5V± 10％）的
地
设备检测
512k
x8
W0
W1
DQ0-DQ7
512k
x8
DQ8-DQ15
512k
DQ16-DQ23
x8
W2
W3
512k
x8
DQ24-DQ31
512k
x8
AW
AD0-AD4
9F37512C座直径
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EDI9F37512C
交流特性读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能访问
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
Symbo
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TRC
tAVQV
TAA
TELQV
TACS
TELQX
TCLZ
TEHQZ
TCHZ
TAVQX
TOH
TGLQV
TOE
TGLQX
TOLZ
TGHQZ
tOHZ
45ns
最小最大
45
45
45
3
18
3
15
0
15
55ns
最小最大
55
55
55
3
25
3
25
0
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 2
读周期1 - W高，G ，E LOW
tAVAV
A
地址1
tAVQV
Q
9F37512C路CYC1
地址2
TAVQX
数据1
数据2
图。 3
读周期2 - W高
tAVAV
A
tAVQV
E
TELQV
TELQX
G
TGLQV
TGLQX
Q
9F37512C路CYC2
TEHQZ
TGHQZ
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交流特性写周期
符号
JEDEC
Alt键。
tAVAV
TWC
TELWH
TCW
TWLEH
TCW
tAVWL
TAS
塔维尔
TAS
tAVWH
TAW
tAVEH
TAW
tWLWH
TWP
tELEH
TWP
tWHAX ALE低
tWR的
tEHAX
tWR的
tWHDX
TDH
tEHDX
TDH
TWLQZ
tWHZ
tDVWH
TDW
tDVEH
TDW
TWHQX
TWLZ
45ns
最小最大
45
25
25
0
0
25
25
25
25
0
0
0
0
0
6
20
20
3
55ns
最小最大
55
45
45
0
0
45
45
40
40
0
0
0
0
0
28
30
30
3
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
注： 1.参数保证，但未经测试。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。 4
写周期2 - E受控
tAVAV
A
塔维尔
E
tAVEH
TWLEH
W
tDVEH
D
Q
9F37512C写CYC2
tELEH
tEHAX
tEHDX
数据有效
高Z
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产品型号
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速度
（纳秒）
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号
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418
包装说明
包号。 418 ： 72 PIN ZIP
0.125 DIA 。 TYP 。
（ 2的PLC。 ）
0.133 REF 。
4.255 MAX 。
3.984
0.300
马克斯。
0.720
马克斯。
0.400
0.250
0.080
REF 。
9F37512C PKG
P1
0.050 TYP 。
3.750
0.250
0.060 R.
0.130
REF 。
0.220
分钟。
所有尺寸为英寸
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数据表APPROVALS
EDI PART NO 。
批准：
胡安·古斯曼
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15655
新REV
4A
日期
10/8/02
日期
10/8/02
初始
L.K.
校正在页面上
MUKESH特里维迪
M.A.
保罗·马里安
LARRY WINROTH
DAVE KELLY
马克·道尼
达沃·哈里森
TONY LEE
BOB KHEDERIAN
LUIS ESTELLA
10/10/02
10/10/02
是的
将在数据表走在WEB ？
NO
2这是个新的数据表？
将在数据表替换现有的
数据表THAT'S已经在WEB ？
如果是， IT更换DATASHEET什么？
哪个部门应该将该数据资料BE
放置在网页？
LINE ： ________
家庭：
____________
PROD.TYPE ：
________
ORG ： ___________
密度： ________
SPEED ： __________
PKG ： ____________
电压： ________
审查或改正在数据表后（ S）
请登录关在这张纸上
AND，让你改正-ON
正本（ S） 。
查看数据表后，测试工程团队将完成下面的部分。
测试程序的变化所需要的：
YES ： _________否____________日期： ___________
测试工程师SIGNATURE___________________
如果是，不释放数据表，直至TEST PROGRAM CHANGE完成。
TEST PROGRAM CHANGE竣工日期： __________
测试程序名称和REVISION_________________
测试工程师SIGNATURE__________________________
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