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DSILC6-4xx
用于高速接口ESD保护
主要应用
凡瞬态过电压保护ESD
敏感设备是必需的,如:
I/O3
VCC
I/O4
I/O2
GND
I/O1
电脑
打印机
通信系统
手机手机及配件
视频设备
SOT-666
DSILC6-4P6
倒装芯片
DSILC6-4F2
工作原理图
描述
DSILC6-4xx
是一款单芯片应用
具体的离散致力于ESD保护
高速接口,诸如USB 2.0 ,以太网,
显示器和照相机的串行接口
(LVDS) 。
I/O4
VCC
I/O3
I/O1
VCC
I/O2
I/O4
I/O1
GND
I/O2
GND
I/O3
该设备是非常适合应用在两
减少印刷电路板空间和功耗
吸收能力是必需的。
SOT-666
顶侧视图
倒装芯片
顶侧视图
特点
二极管阵列拓扑结构
I/O1
I/O4
VCC
GND
I/O2
I/O3
4线路保护
5 V V
CC
保护
非常低的电容: 1 pF的典型。
无铅pacakge
符合RoHS
倒装芯片
顶侧视图
订货编号
产品型号
DSILC6-4P6
DSILC6-4F2
记号
G
EI
好处
行至GND之间非常低的电容
优化的数据完整性
低PCB空间消耗: 2.9平方毫米为最大
SOT -666和1.5平方毫米的最大的倒装芯片
截止频率> 2 GHz的
的单片集成提供高可靠性
MDDI , SMIA , MIPI规范的兼容性
符合以下标准:
IEC 61000-4-2第4级:
8千伏(接触放电)
15千伏(空气放电)
MIL STD 883G -方法3015-7 : 3B类
2007年5月
REV 3
1/11
www.st.com
11
特征
DSILC6-4xx
1
表1中。
符号
V
PP
I
PP
P
PP
T
英镑
T
j
T
L
特征
绝对额定值
参数
峰值脉冲电压
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
存储温度范围
最高结温
无铅焊锡温度(10秒持续时间)
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2空气放电
SOT-666
倒装芯片
I / O至GND
脉冲波形= 8/20 μs的SOT- 666
倒装芯片
价值
8
15
5
7
90
120
-55到+150
125
260
单位
kV
A
W
°C
°C
°C
表2中。
符号
V
RM
I
RM
V
BR
V
F
V
CL
I
PP
电气特性(T
AMB
= 25° C)
参数
相反的立场-O FF电压
漏电流
击穿电压
正向电压
钳位电压
峰值脉冲电流
价值
符号
I
RM
V
BR
V
F
参数
漏电流
V
RM
= 5 V
6
1
SOT-666
倒装芯片
SOT-666
倒装芯片
SOT-666
倒装芯片
SOT-666
倒装芯片
2
2.5
1.5
1.8
1.0
1.25
0.75
0.9
2.5
3
1.8
2.0
1.25
1.5
0.9
1.20
0.06
0.05
pF
测试条件
典型值
最大
0.5
A
V
V
单位
击穿电压
我= 1毫安
V之间
公共汽车
和GND
R
正向电压
I
F
= 10毫安
V
I / O
= 0 V , F = 1兆赫,V
OSC
= 30毫伏
V
I / O
= 1.65 V, V
CC
= 4.3 V,
F = 1MHz时, V
OSC
= 400毫伏
V
I / O
= 0 V , F = 1兆赫,V
OSC
= 30毫伏
V
I / O
= 1.65 V, V
CC
= 4.3 V,
F = 1MHz时, V
OSC
= 400毫伏
V
I / O
= 0 V , F = 1兆赫,V
OSC
= 30毫伏
V
I / O
= 0 V , F = 1兆赫,V
OSC
= 30毫伏
C
I / O- GND
之间的电容
I / O和GND
C
I / O -I / O
电容
我间/ O
ΔC
I / O- GND
ΔC
I / O -I / O
2/11
DSILC6-4xx
特征
图1 。
泄漏的相对变化
电流与结
温 - SOT- 666 (典型
值)
图2中。
泄漏的相对变化
电流与结
温度倒装芯片(典型
值)
I
RM
[T
j
] / I
RM
[T
j
=25°C]
100
V
R
= 5V
100
I
RM
[T
j
] / I
RM
[T
j
=25°C]
V
R
= 5V
10
10
T
j
(°C)
1
25
50
75
100
125
1
25
50
T
j
(°C)
75
100
125
网络连接gure 3 。
后剩余电压
图4中。
ESD期间DSILC6-4P6
15千伏积极的浪涌(空气放电)
10 V / DIV
后剩余电压
ESD期间DSILC6-4F2
15千伏积极的浪涌(空气放电)
10 V / DIV
50 ns /格
50 ns /格
图5中。
后剩余电压
图6 。
ESD期间DSILC6-4P6
15千伏负浪涌(空气放电)
5 V / DIV
后剩余电压
ESD期间DSILC6-4F2
15千伏负浪涌(空气放电)
5 V / DIV
50 ns /格
50 ns /格
3/11
特征
DSILC6-4xx
图7 。
所有线路的频率响应
DSILC6-4P6
S21(dB)
网络连接gure 8 。
所有线路的频率响应
DSILC6-4F2
S21 ( dB)的
0.00
0.00
- 5.00
- 5.00
- 10.00
- 10.00
- 15.00
- 15.00
- 20.00
F(赫)
- 20.00
100.0k
- 25.00
F(赫)
100.0M
2号线
4号线
1.0G
1.0M
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M 300.0M
2号线
4号线
1.0G
3.0G
1.0M
1号线
LINE 3
10.0M
1号线
LINE 3
图9 。
串扰结果行
1/2和1/3 DSILC6-4P6
S21(dB)
图10.串扰结果行
1/2和1/3 DSILC6-4F2
0.00
0.00
- 20.00
- 40.00
- 60.00
- 80.00
- 100.00
- 120.00
S21 ( dB)的
- 20.00
- 40.00
- 60.00
- 80.00
- 100.00
- 120.00
F(赫)
- 140.00
100.0k
- 140.00
F(赫)
1.0G
1.0M
XTALK
3.0M
1/2
10.0M
30.0M
100.0M 300.0M
XTALK
1/3
1.0G
3.0G
1.0M
XTALK 1/2
10.0M
100.0M
XTALK 1/3
4/11
DSILC6-4xx
应用实例
2
2.1
应用实例
MDDI
较低的翻盖
上翻盖
合页
模拟音频听筒
动力
数据+
数据 -
频闪+
STROBE-
动力
DSILC6-4xx
MDDI数据(主机)
MDDI频闪(主机)
基带IC
GND
GND
MDDI客户端
& LCD
调节器
芯片(带
FRAME
缓冲区)
液晶显示
液晶显示
2.2
SMIA
DATA1+
DATA1-
DSILC6-4xx
时钟+
顺时针
SMIA设备
SCL
SDA
ESDALC6V1P3
5/11
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    DSILC6-4F2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    DSILC6-4F2
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    终端采购配单精选

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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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DSILC6-4F2
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百分百原装现货,实单可谈!
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
DSILC6-4F2
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DSILC6-4F2
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