DG9636
Vishay Siliconix公司
双路SPDT模拟开关
描述
该DG9636是CMOS ，双SPDT模拟开关设计
操作从+ 2.7 V至+ 12 V ，单电源供电。所有的控制
逻辑输入有保证的1.65 V逻辑高门槛
当从+ 12V电源操作。这使得
DG9636非常适合于低电压直接连接
微型处理器的控制信号。
处理的高密度CMOS技术中， DG9636
有83
Ω
通道导通电阻，同时提供超低
2 pF的对CS的寄生电容
（关闭）
7 pF对于
CD
（上）
。其他性能特点是： 720兆赫 - 3分贝
带宽 - 67分贝串扰和 - 58分贝关在隔离
10 MHz的频率。
为DG9636的主要应用是逻辑电平转换，
脉冲发生器和高速或低噪声信号
精密仪器及便携式设备切换
设计。
该DG9636是节省空间的1.4毫米×1.8 mm可提供
miniQFN10包。
作为一个坚定的合作伙伴，社区和
环境，日前，Vishay Siliconix公司生产这种产品，
铅（Pb ） - 免费的设备终端。该miniQFN -10封装
有镍 - 钯 - 金设备终止与是
由铅（Pb ）表示-free " - E4"后缀的排序
零件号。镍钯金器件端接
满足所有JEDEC标准的回流焊和MSL等级。
特点
漏电流< 0.5最大nA的。在85℃下
低开关电容（C
SOFF
2 pF的典型值）。
R
DS （ ON）
- 83
Ω
马克斯。
RoHS指令
与单电源工作在12 V完全指定
柔顺
低电压1.65 V CMOS / TTL兼容
720兆赫， - 3 dB带宽
卓越的隔离和串扰性能（典型值> - 60分贝
在10 MHz ）
40 ° C至85° C和 - - 40 ° C至+ 125°C完全从指定的
闩锁电流每JESD78 300毫安
铅（Pb ） - 免费低调miniQFN - 10 （1.4毫米× 1.8毫米
X 0.55毫米）
符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
高端数据采集
医疗器械
精密仪器
高速通信应用
自动测试设备
采样保持应用
功能框图及引脚配置
DG9636
miniQFN - 10L
S2A
7
V+ 8
A1 9
A0 10
1
引脚1 ：很长的
逻辑
S2B
6
5 D2
4 D1
3 S1B
2
Yx
GND S1A
顶部
意见
销1
器件标识： YX为DG9636
X =日期/批次追踪码
真值表
选定的输入
A1
X
X
0
1
A0
0
1
X
X
在交换机上
DG9636
D1为S1A
D1至S1B
D2为S2A
D2为S2B
文档编号： 65159
S10-2012 -REV 。 B， 06 - 09月10
www.vishay.com
1
DG9636
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
- 40 ° C至125°C
- 40 ° C至85°C
注意事项：
- 40 ° C至85°C数据表限制适用。
包
10针miniQFN
10针miniQFN
产品型号
DG9636EN-T1-E4
DG9636DN-T1-E4
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
V +至GND
数字输入，V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
功率耗散（包）
b
b
a
极限
14
（V + ） + 0.3或30 mA时，以先到者为准
30
100
- 65 150
10针miniQFN
10针miniQFN
C，D
单位
V
mA
°C
mW
° C / W
208
357
热电阻（包）
注意事项：
一。在SX ， DX ， AX或超过V +或V-信号将通过内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免2.6毫瓦/°C， 70°C以上。
。手工焊接铁，不建议无引线元件。该miniQFN - 10是一种无引线封装。引线端子的端
是暴露的铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜唇不能
保证不要求保证足够的底侧的焊料互连。
规格双电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V
A0, A1
= 1.65 V, 0.5 V
a
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= + 11.3 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 11.3 V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
满
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
参见图1 ， 2
房间
满
房间
满
V
g
= 0 V ，R
g
= 0
Ω,
C
L
= 1 nF的
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
R
L
= 50
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 PF， F = 10 MHz的
房间
房间
房间
房间
83
2
33
± 0.01
± 0.01
± 0.01
-1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
- 0.1
- 0.1
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
12
110
140
4
9
45
55
1
18
1
18
1
18
0.1
0.1
-1
-2
-1
-2
-1
-2
- 0.1
- 0.1
分钟。
d
马克斯。
d
12
110
125
4
6
45
50
1
2
1
2
1
2
0.1
0.1
nA
Ω
单位
V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
导通电阻平坦度
关闭
漏电流
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
e
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
电荷注入
e
关断隔离
带宽
e
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
ΔR
ON
R
平整度
I
S
= 1毫安， V
D
= 0.7 V, 6.5 V, 11.3 V
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
IL
I
IH
C
IN
t
ON
t
关闭
t
BBM
Q
INJ
OIRR
BW
X
TALK
V+ = 12 V,
V
D
= 1 V/11 V, V
S
= 11 V/1 V
V+ = 12 V,
V
D
= V
S
11 V/1 V
V
AX
= 0.5 V
V
AX
= 1.65 V
F = 1 MHz的
0.005
0.005
3
30
15
15
23.5
- 58
720
- 67
A
pF
70
90
55
75
5
2
5
2
70
80
55
65
ns
pC
dB
兆赫
dB
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通道到通道
相声
e
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2
DG9636
Vishay Siliconix公司
规格双电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V
A0, A1
= 1.65 V, 0.5 V
a
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
房间
F = 1 MHz的
信号= 1 V
RMS
， 20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
Ω
房间
房间
典型值。
c
2
7.7
0.01
pF
%
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
单位
参数
动态特性
源关断电容
e
通道上
电容
e
总谐波
失真
e
电源
电源电流
地电流
符号
C
S（ OFF）
C
D（上）
THD
I+
V
IN
= 0 V或V +
I
GND
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.5
-1
0.5
1
- 0.5
-1
0.5
1
A
规格单电源供电
测试条件
除非另有说明
V+ = 5 V, V
A0, A1
= 1.4 V, 0.5 V
a
- 40 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
温度。
b
满
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 3.5 V
V+ = 5.5 V,
V
D
= 1 V/4.5 V, V
S
= 4.5 V/1 V
V+ = 5.5 V, V
S
= V
D
= 1 V/4.5 V
V
AX
= 0.5 V
V
AX
= 1.4 V
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
满
房间
房间
满
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
参见图1 ， 2
房间
满
房间
满
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
F = 10MHz的，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
Ω
信号= 1 V
RMS ，
20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
Ω
F = 1 MHz的
满
房间
房间
房间
房间
房间
120
3
± 0.01
± 0.01
± 0.01
-1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
- 0.1
- 0.1
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
5
170
250
5
12
1
18
1
18
1
18
0.1
0.1
-1
-2
-1
-2
-1
-2
- 0.1
- 0.1
分钟。
d
马克斯。
d
5
170
200
5
10
1
2
1
2
1
2
0.1
0.1
nA
单位
V
Ω
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
关闭
漏电流
通道上
漏电流
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
先开后化妆时间
电荷注入
e
关断隔离
相声
e
带宽
e
总谐波
失真
e
源关断电容
e
通道上
电容
e
电源
电源电流
地电流
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
ΔR
ON
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
I
L
I
H
C
IN
t
ON
t
关闭
t
BMM
Q
INJ
OIRR
X
TALK
BW
THD
C
S（ OFF）
C
D（上）
0.005
0.005
3
55
30
36
10
- 58
- 68
610
2.2
2.1
8.1
A
pF
ns
pC
dB
兆赫
%
pF
I+
V
IN
= 0 V或V +
I
GND
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.5
-1
0.5
1
- 0.5
-1
0.5
1
A
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S10-2012 -REV 。 B， 06 - 09月10
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3
DG9636
Vishay Siliconix公司
规格单电源供电
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
导通电阻
导通电阻匹配
关闭
漏电流
（ 16引脚miniQFN ）
通道上
漏电流
（ 16引脚miniQFN ）
数字控制
输入电流，V
IN
低
输入电流，V
IN
高
输入电容
动态特性
启用开启时间
启用关闭时间
先开后合的makefile
时间
电荷注入
e
关断隔离
相声
e
e
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
ΔR
ON
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
测试条件
除非另有说明
V+ = 3 V, V
A0, A1
= 1.4 V, 0.5 V
a
- 40 ° C至+ 125°C - 40 ° C至+ 85°C
温度。
b
满
典型值。
c
分钟。
d
马克斯。
d
3
200
5
± 0.01
± 0.01
± 0.01
-1
- 18
-1
- 18
-1
- 18
245
325
6
13
1
18
1
18
1
18
-1
-2
-1
-2
-1
-2
分钟。
d
马克斯。
d
3
245
290
6
11
1
2
1
2
1
2
nA
单位
V
Ω
I
S
= 1毫安， V
D
= + 1.5 V
I
S
= 1毫安， V
D
= + 1.5 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V
V
D
= 1 V/3 V, V
S
= 3 V/1 V
V+ = 3.3 V, V- = 0 V,
V
S
= V
D
= 1 V/3 V
V
AX
= 0.5 V
V
AX
= 1.4 V
F = 1 MHz的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
I
L
I
H
C
IN
t
ON
t
关闭
t
BMM
Q
INJ
OIRR
X
TALK
BW
THD
C
S（ OFF）
C
D（上）
满
满
房间
房间
满
0.005
0.005
3.1
96
60
77
6.6
- 57
- 69
525
2.2
2.1
- 0.1
- 0.1
0.1
0.1
- 0.1
- 0.1
0.1
0.1
A
pF
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
参见图1 ， 2
房间
满
房间
满
ns
C
L
= 1 nF的，R
根
= 0
Ω,
V
根
= 0 V
F = 10MHz的，R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
R
L
= 50
Ω
信号= 1 V
RMS ，
20赫兹到20千赫兹，
R
L
= 600
Ω
F = 1 MHz的
满
房间
房间
房间
房间
房间
pC
dB
兆赫
%
pF
带宽
e
总谐波
失真
e
源关断电容
e
通道上
电容
e
电源
电源电流
地电流
8.3
I+
V
IN
= 0 V或V +
I
GND
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
- 0.5
-1
0.5
1
- 0.5
-1
0.5
1
A
注意事项：
A. V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
B 。房间= 25 C ，全部=由操作温度决定的。
。典型值是辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 65159
S10-2012 -REV 。 B， 06 - 09月10
DG9636
Vishay Siliconix公司
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
350
300
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
250
200
V
CC
= 5.0 V
150
100
V
CC
= 10.8 V
50
V
CC
= 13.2 V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
D
- 模拟电压（ V）
50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
D
- 模拟电压（ V）
V
CC
= 12.0 V
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 3.0 V
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
吨= 25°C
I
S
= 1毫安
500
450
400
350
300
250
200
150
100
V+ = 3.0 V
I
S
= 1毫安
+ 85 °C
+ 25 °C
+ 125 °C
- 40 °C
导通电阻与单电源电压
350
300
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
250
200
150
100
50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
D
- 模拟电压（ V）
V+ = 5.0 V
I
S
= 1毫安
150
导通电阻与模拟电压和温度
V + = 12.0 V
I
S
= 1m的情况
125
R
ON
- 导通电阻（ Ω ）
+ 125 °C
+ 85 °C
+ 25 °C
- 40 °C
+ 25 °C
+ 85 °C
+ 125 °C
- 40 °C
100
75
50
25
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
D
- 模拟电压（ V）
导通电阻与模拟电压和温度
100 A
V+ = +12.0 V
10 A
1 A
100 nA的
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
输入开关频率（Hz ）
I
+
I
GND
1000
漏电流（PA ）
10 000
导通电阻与模拟电压和温度
V+ = 13.2 V
电源电流（ A）
I
D（关闭）
100
I
S（ OFF）
10
I
D（上）
1
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80
100 120 140
温度（℃）
电源电流与输入开关频率
文档编号： 65159
S10-2012 -REV 。 B， 06 - 09月10
漏电流与温度的关系
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5
