DS90LV049H高温3V双LVDS线路驱动器和接收器对
2005年9月
DS90LV049H
高温3V双LVDS线路驱动器和
接收器对
概述
该DS90LV049H是双CMOS流通差
驱动程序接收线对设计要求的应用
超低的功耗，卓越的抗噪声能力，并
高数据吞吐量。该设备被设计为支持数据
超过400 Mbps的利用低压差分率
信号传输（LVDS ）技术。
该DS90LV049H司机接受LVTTL / LVCMOS信号
并将其转换为LVDS信号。接收器接受
LVDS信号，并将其转换为3 V CMOS信号。该
LVDS输入缓冲器具有内部故障保护偏置的地方
输出到一个已知的H（高）状态为浮动接收机
输入。此外， DS90LV049H支持三态
功能的低功率空闲状态时，该设备不
使用。
EN和EN输入的与条件，并控制
三态输出。在使通用于所有4
城门。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
高温+ 125℃工作范围
高达400 Mbps的速率切换
流通引脚排列简化了PCB布局
50 ps的典型驱动器通道至通道偏移
50 ps的典型接收器通道至通道偏移
3.3 V单电源设计
三态输出控制
接收器输入端的内部故障保护偏置
低功耗（ 70毫瓦，在3.3 V静态）
对LVDS高阻抗的功率输出下降
符合TIA / EIA- 644 -A标准的LVDS
可在薄型16引脚TSSOP封装
接线图
双列直插式
工作原理图
20161701
订单号DS90LV049HMT
订单号DS90LV049HMTX （卷带式）
见NS包装数MTC16
20161702
真值表
EN
L或开放
H
L或开放
H
EN
L或开放
L或开放
H
H
LVDS输出
关闭
ON
关闭
关闭
LVCMOS输出
关闭
ON
关闭
关闭
2005美国国家半导体公司
DS201617
www.national.com
DS90LV049H
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（V
DD
)
LVCMOS输入电压（D
IN
)
LVDS输入电压（R
IN +
, R
IN-
)
使能输入电压（ EN ， EN ）
LVCMOS输出电压（R
OUT
)
LVDS输出电压
(D
OUT +
, D
OUT-
)
LVCMOS输出短路
电流（R
OUT
)
LVDS输出短路
电流（D
OUT +
, D
OUT-
)
LVDS输出短路
当前时间（D
OUT +
, D
OUT-
)
存储温度范围
连续
-65 ° C至+ 150°C
24毫安
百毫安
-0.3 V至+4 V
-0.3 V至（V
DD
+ 0.3 V)
0.3 V至3.9 V
-0.3 V至（V
DD
+ 0.3 V)
-0.3 V至（V
DD
+ 0.3 V)
0.3 V至3.9 V
铅温度范围
焊接（ 4秒）
最高结温
最大封装功耗
@
+25C
MTC套餐
减免MTC套餐
ESD额定值
（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
(MM, 0
,
200 pF的）
≥
7千伏
≥
250 V
866毫瓦
6.9毫瓦/ C以上+ 25℃
+260C
+150C
推荐工作
条件
民
电源电压（V
DD
)
经营自由的空气
温度（T
A
)
40
+25
+125
C
+3.0
典型值
+3.3
最大
+3.6
单位
V
电气特性
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2，4， 6）
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
CL
| V
OD
|
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输入钳位电压
差分输出电压
变化的V震级
OD
为
互补输出国家
失调电压
变化的V震级
OS
为
互补输出国家
输出短路电流
（注14 ）
差分输出短路
电流（注14 ）
关机泄漏
输出三态电流
启用后，
D
IN
= V
DD
, D
OUT +
= 0 V或
D
IN
= GND ，D
OUT-
= 0 V
启用，V
OD
= 0 V
V
OUT
= 0 V或3.6 V
V
DD
= 0 V或开路
EN = 0 V和EN = V
DD
V
OUT
= 0 V或V
DD
V
CM
= 1.2 V, 0.05 V, 2.35 V
-100
V
ID
- 100毫伏，V
DD
=3.3 V
V
DD
=3.6 V
V
IN
= 0 V或2.8 V
V
DD
=0 V
V
IN
= 0 V或2.8 V或3.6 V
R
IN +
R
IN-
0.05
12
10
20
10
D
OUT-
D
OUT +
R
L
= 100
（图
1)
V
IN
= V
DD
V
IN
= GND
I
CL
= -18毫安
D
IN
EN
EN
条件
针
民
2.0
GND
10
10
1.5
250
1
0.1
0.6
350
1
1.125
1.23
1
5.8
450
35
1.375
25
9.0
典型值
最大
V
DD
0.8
+10
+10
单位
V
V
A
A
V
mV
|毫伏|
V
|毫伏|
mA
LVCMOS输入DC规格（驱动器输入，使能引脚）
LVDS输出DC规格（驱动器输出）
I
OSD
I
关闭
I
OZ
5.8
9.0
+20
+10
mA
A
A
±
1
±
1
LVDS输入直流规范（接收器输入）
V
TH
V
TL
V
CMR
差分输入高阈值
差分输入阈值低
共模电压范围
15
15
3
35
mV
mV
V
A
A
±
4
±
1
+12
+10
I
IN
输入电流
www.national.com
2
DS90LV049H
电气特性
符号
V
OH
V
OL
I
OZ
I
DD
I
DDZ
参数
输出高电压
输出低电压
输出三态电流
电源电流（注3 ）
TRI- STATE电源电流
（续）
在电源电压和工作温度范围，除非另有规定。 （注2，4， 6）
条件
I
OH
= -0.4毫安，V
ID
- 200毫伏
I
OL
= 2毫安， V
ID
- 200毫伏
残疾人，V
OUT
= 0 V或V
DD
EN = 3.3 V
EN = 0 V
R
OUT
-10
针
民
2.7
典型值
3.3
0.05
0.25
+10
35
25
最大
单位
V
V
A
mA
mA
LVCMOS输出的DC规格（接收器输出）
±
1
21
15
一般DC规格
V
DD
开关特性
V
DD
= +3.3V
±
10%, T
A
= -40°C至+ 125°C （注13 ）
符号
t
PHLD
t
PLHD
t
SKD1
t
SKD2
t
SKD3
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
f
最大
t
PHL
t
PLH
t
SK1
t
SK2
t
SK3
t
TLH
t
THL
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PZL
f
最大
参数
差分传输延迟高至低
差分传输延迟低到高
差分脉冲偏斜|吨
PHLD
t
PLHD
|
（注5,7）
差分通道至通道偏移
（注5,8）
差分部件到部件歪斜（注5,9 ）
上升时间（注5 ）
下降时间（注5 ）
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
最大工作频率（注16 ）
传输延迟高至低
传输延迟低到高
脉冲偏斜|吨
PHL
t
PLH
| （注10 ）
通道至通道偏移（注11 ）
部分到部分偏移（注12 ）
上升时间（注5 ）
下降时间（注5 ）
禁止时间高到Z
禁止时间低到Z
启用时间Z到高
启用时间Z到低
最大工作频率（注17 ）
（图
8
和
图9）
（图
6
和
图7）
R
L
= 100
（图
4
和
图5）
1
1
200
0.5
0.5
0
0
0
0.3
0.3
3
3
2.5
2.5
200
0.9
0.75
5.6
5.4
4.6
4.6
250
0
R
L
= 100
（图
2
和
图3）
0
0
0.2
0.2
0.4
0.4
1.5
1.5
3
3
250
2
2
0.05
0.05
3.5
3.5
0.4
0.5
1.0
1.4
1.4
8
8
7
7
条件
民
典型值
0.7
0.7
0.05
0.05
最大
2
2
0.4
0.5
1.0
1
1
3
3
6
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
LVDS输出（驱动器输出）
LVCMOS输出（接收器输出）
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
电流进入器件引脚被定义为正。当期开出的器件引脚定义为负。所有电压以地为参考，除非： V
TH
, V
TL
,
V
OD
和
V
OD
.
注3 ：
这两种，驱动器和接收器输入是静态的。所有的LVDS输出有100个
负载。所有的LVCMOS输出浮动。无输出都集中任何
容性负载。
注4 ：
所有典型值给出了： V
DD
= 3.3 V，T
A
= +25C.
注5 ：
这些参数由设计保证。的限制是基于在PVT器件性能的统计分析（工艺，电压
温度）范围。
注6 ：
该DS90LV049H的驱动程序是电流模式的设备和内数据表的规格只有功能时的电阻负载被施加到它们的输出。该
的电阻值的典型范围是90
到110
.
注7 ：
t
SKD1
或差分脉冲偏斜定义为|吨
PHLD
t
PLHD
| 。它是在正缘之间的差分传输延时的大小差异
边缘和相同的驱动程序通道的负向优势。
3
www.national.com
DS90LV049H
开关特性
（续）
注8 ：
t
SKD2
或差分通道至通道偏移定义为两个驱动器通道对之间的差异传播延迟的幅度差
相同的设备。
注9 ：
t
SKD3
或差分部件到部件歪斜的定义为|吨
PLHD最大
t
PLHD敏
|和|吨
PHLD最大
t
PHLD敏
| 。它是在最小值和最大值之间的差
指定的差分传播延迟。本规范适用于设备在同一V
DD
并且在彼此的工作温度范围内的5° 。
注10 ：
t
SK1
或脉冲偏斜定义为|吨
PHL
t
PLH
| 。它是在正边沿和负之间的传播延迟的大小的差异
去同一个接收器通道的下缘。
注11 ：
t
SK2
或通道至通道偏移被定义为在同一装置上的两个接收信道之间的传播延迟的大小的差别。
注12 ：
t
SK3
或兼以部分偏移被定义为|吨
PLH最大
t
PLH分钟
|和|吨
PHL最大
t
PHL分钟
| 。它是指定的最小值和最大值之间的差
传播延迟。本规范适用于设备在同一V
DD
并且在彼此的工作温度范围内的5° 。
注13 ：
F = 1MHz时， Z：除非另有说明，所有的测试波形发生器
O
= 50
,
t
r
≤
1纳秒，和叔
f
≤
1纳秒。
注14 ：
输出短路电流（I
OS
）被指定为大小只，减号仅指示方向。
注15 ：
所有的输入电压是一个信道，除非另有规定。其他输入设置为GND 。
注16 ：
f
最大
发电机输入条件：吨
r
= t
f
＆ LT ;
1毫微秒（0％至100％）， 50％的占空比， 0 V至3 V.输出标准：占空比= 45％ / 55 ％以下，V
OD
＆ GT ;
250 mV时，所有通道
切换。
注17 ：
f
最大
发电机输入条件：吨
r
= t
f
＆ LT ;
1毫微秒（0％至100％）， 50％的占空比，V
ID
= 200 mV时， V
CM
= 1.2 V 。输出标准：占空比= 45 ％ / 55 ％ ，V
OH
＆ GT ;
2.7 V, V
OL
＆ LT ;
0.25 V，所有通道的开关。
参数测量信息
20161703
图1.驱动器V
OD
和V
OS
测试电路
20161704
图2.驱动器传播延迟和转换时间测试电路
www.national.com
4
QQ：2881677436 复制
