DG417B/418B/419B
新产品
Vishay Siliconix公司
精密CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS （ ON）
: 15
W
快速开关动作-T
ON
： 100纳秒
TTL和CMOS兼容
MSOP - 8和SOIC - 8封装
好处
D
D
D
D
D
D
宽动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
减少电路板空间
提高可靠性
应用
D
D
D
D
D
D
D
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制系统
硬盘驱动器
描述
该DG417B / 418B / 419B单片CMOS模拟开关
被设计为提供高性能的开关
模拟信号。结合低功耗，低漏电，高
速度，低导通电阻和小的物理尺寸， DG417B
系列非常适合于便携式和电池
需要大功率的工业和军事应用
性能和高效利用的电路板空间。
高电压硅栅（ HVSG ）的过程。突破前先
是有保证的DG419B ，这是一个单刀双掷
配置。外延层可以防止闭锁。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG417B系列采用Vishay Siliconix公司的
该DG417B和DG418B应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
功能框图及引脚配置
DG417B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
S
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
V-
0
IN
V
L
1
ON
关闭
关闭
ON
真值表
逻辑
DG417B
DG418B
逻辑“0” =
v
0.8 V，逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
DG419B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
S
2
V-
IN
V
L
真值表DG419B
逻辑
0
1
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V，逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
www.vishay.com
1
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
新产品
订购信息
温度范围
DG417B/418B
DG417BDJ
8-Pin
8引脚塑料MINIDIP
DG418BDJ
DG417BDY
- 4085 ℃下
8-Pin
8引脚窄体SOIC
DG418BDY
DG417BDQ
8引脚MSOP
8-Pin
DG418BDQ
DG417BAK ， DG417BAK / 883
- 55至125℃的
8-Pin
8引脚CERDIP
DG418BAK ， DG418BAK / 883
包
产品型号
DG419B
8引脚塑料MINIDIP
- 4085 ℃下
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
- 55至125℃的
8引脚CERDIP
DG419BDJ
DG419BDY
DG419BDQ
DG419BAK ， DG419BAK / 883
注： SMD产品为双标有/ 883号。
绝对最大额定值
V - . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - 20 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND - 0.3 V ）至（ V + ） + 0.3 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V - ） - 2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
目前， （任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流（ S或D）的脉冲1毫秒， 10 ％的占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65至150_C
功率耗散（包）
b
8引脚塑料MINIDIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚窄体SOIC
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚MSOP
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚CERDIP
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
400毫瓦
400毫瓦
400毫瓦
600毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V - 将内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.3毫瓦/ _C上述75°C
。减免4毫瓦/ _C以上70_C
。减免8毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
V
L
V-
V
IN
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V-
图1 。
www.vishay.com
2
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
DG417B/418B/419B
新产品
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关闭
漏电流
g
I
D（ FF）
D（关闭）
V = 16 5 V V - = - 16.5 V
16 5
V+ 16.5 V,
V
D
=
#15.5
V
V
S
=
"15.5
V
DG417B
DG418B
DG419B
DG417B
DG418B
DG419B
I
S
= - 10毫安，V
D
=
"12.5
V
V+ = 13.5 V, V - = - 13.5 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
15
- 0.1
- 0.1
- 0.1
- 0.4
- 0.4
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.75
- 60
- 0.4
- 40
- 0.75
- 60
- 15
15
25
34
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.75
- 12
- 0.4
- 10
- 0.75
- 12
- 15
15
25
29
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
nA
V
W
Vishay Siliconix公司
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
符号
V+ = 15 V, V - = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
通道上
漏电流
I
D( )
D（上）
V+ = 16.5 V, V - = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
"15.5
V
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
I
IL
I
IH
满
满
- 0.5
- 0.5
0.5
0.5
- 0.5
- 0.5
0.5
0.5
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
流掉电容
通道上
电容
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S
=
"10
V
见开关时间
测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
=
"10
V, V
S2
=
#10
V
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
=
"10
V
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 NF， F = 1 MHz的
DG419B
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
DG419B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
62
53
60
89
106
80
88
87
96
3
3
pC
dB
89
99
80
86
87
93
ns
16
4
- 86
- 87
12
12
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
pF
50
57
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16 5 V V - = - 16 5 V
16.5 V,
16.5
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
0.001
- 0.000
1
-1
-5
1
5
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
mA
1
5
地电流
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
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3
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= - 10毫安，V
D
= 3.8 V
V+ = 10.8 V
满
房间
满
26
0
12
35
52
0
12
35
45
V
W
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
符号
V+ = 12 V, V - = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
转换时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
t
D
t
RANS
Q
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的，V
S
= 8 V
见开关时间测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
房间
满
房间
满
房间
房间
满
房间
100
38
62
95
3
25
119
153
125
155
66
73
25
119
141
pC
125
143
66
69
ns
DG419B
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= 0 V, 8 V, V
S2
= 8 V, 0 V
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 13.2 V, V
L
= 5.25 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
房间
房间
0.001
- 0.001
0.001
- 0.001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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4
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
DG417B/418B/419B
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
T
A
= 25_C
V
L
= 5 V
Vishay Siliconix公司
导通电阻与V
D
和双电源电压
40
T
A
= 25_C
35
30
25
＆ QUOT ;
8V
20
15
10
5
- 20
＆ QUOT ;
10 V
＆ QUOT ;
12 V
＆ QUOT ;
15 V
＆ QUOT ;
5V
250
200
V+ = 3.0 V
V
L
= 3 V
V+ = 12.0 V
V+ = 5.0 V
50
V+ = 8.0 V
V+ = 15.0 V
V+ = 20.0 V
150
100
＆ QUOT ;
20 V
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
30
导通电阻与V
D
和温度
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
50
45
40
35
30
25
导通电阻与V
D
和温度
25
125_C
85_C
25_C
- 55_C
20
125_C
85_C
15
25_C
- 55_C
20
15
10
5
V+ = 12 V
v- = 0 V
V
L
= 5 V
0
2
4
6
8
10
12
10
5
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
泄漏与模拟电压
100
80
60
40
I
D
, I
S
（ PA ）
20
0
- 20
- 40
- 60
- 80
- 100
- 15
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
T
A
= 25_C
100 m
10 m
I + - 电源电流（ NA）
1m
100
m
10
m
1
m
100 n
10 n
1n
- 10
-5
0
5
10
15
电源电流与输入开关频率
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
I+, I -
I
L
1 00 p
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
输入开关频率（Hz ）
www.vishay.com
5
DG417B/418B/419B
新产品
Vishay Siliconix公司
精密CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS （ ON）
: 15
W
快速开关动作-T
ON
： 100纳秒
TTL和CMOS兼容
MSOP - 8和SOIC - 8封装
好处
D
D
D
D
D
D
宽动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
减少电路板空间
提高可靠性
应用
D
D
D
D
D
D
D
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制系统
硬盘驱动器
描述
该DG417B / 418B / 419B单片CMOS模拟开关
被设计为提供高性能的开关
模拟信号。结合低功耗，低漏电，高
速度，低导通电阻和小的物理尺寸， DG417B
系列非常适合于便携式和电池
需要大功率的工业和军事应用
性能和高效利用的电路板空间。
高电压硅栅（ HVSG ）的过程。突破前先
是有保证的DG419B ，这是一个单刀双掷
配置。外延层可以防止闭锁。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG417B系列采用Vishay Siliconix公司的
该DG417B和DG418B应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
功能框图及引脚配置
DG417B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
S
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
V-
0
IN
V
L
1
ON
关闭
关闭
ON
真值表
逻辑
DG417B
DG418B
逻辑“0” =
v
0.8 V，逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
DG419B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
S
2
V-
IN
V
L
真值表DG419B
逻辑
0
1
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V，逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
www.vishay.com
1
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
新产品
订购信息
温度范围
DG417B/418B
DG417BDJ
8-Pin
8引脚塑料MINIDIP
DG418BDJ
DG417BDY
- 4085 ℃下
8-Pin
8引脚窄体SOIC
DG418BDY
DG417BDQ
8引脚MSOP
8-Pin
DG418BDQ
DG417BAK ， DG417BAK / 883
- 55至125℃的
8-Pin
8引脚CERDIP
DG418BAK ， DG418BAK / 883
包
产品型号
DG419B
8引脚塑料MINIDIP
- 4085 ℃下
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
- 55至125℃的
8引脚CERDIP
DG419BDJ
DG419BDY
DG419BDQ
DG419BAK ， DG419BAK / 883
注： SMD产品为双标有/ 883号。
绝对最大额定值
V - . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - 20 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND - 0.3 V ）至（ V + ） + 0.3 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V - ） - 2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
目前， （任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流（ S或D）的脉冲1毫秒， 10 ％的占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65至150_C
功率耗散（包）
b
8引脚塑料MINIDIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚窄体SOIC
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚MSOP
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚CERDIP
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
400毫瓦
400毫瓦
400毫瓦
600毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V - 将内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.3毫瓦/ _C上述75°C
。减免4毫瓦/ _C以上70_C
。减免8毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
V
L
V-
V
IN
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V-
图1 。
www.vishay.com
2
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
DG417B/418B/419B
新产品
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关闭
漏电流
g
I
D（ FF）
D（关闭）
V = 16 5 V V - = - 16.5 V
16 5
V+ 16.5 V,
V
D
=
#15.5
V
V
S
=
"15.5
V
DG417B
DG418B
DG419B
DG417B
DG418B
DG419B
I
S
= - 10毫安，V
D
=
"12.5
V
V+ = 13.5 V, V - = - 13.5 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
15
- 0.1
- 0.1
- 0.1
- 0.4
- 0.4
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.75
- 60
- 0.4
- 40
- 0.75
- 60
- 15
15
25
34
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.75
- 12
- 0.4
- 10
- 0.75
- 12
- 15
15
25
29
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
nA
V
W
Vishay Siliconix公司
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
符号
V+ = 15 V, V - = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
通道上
漏电流
I
D( )
D（上）
V+ = 16.5 V, V - = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
"15.5
V
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
I
IL
I
IH
满
满
- 0.5
- 0.5
0.5
0.5
- 0.5
- 0.5
0.5
0.5
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
流掉电容
通道上
电容
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S
=
"10
V
见开关时间
测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
=
"10
V, V
S2
=
#10
V
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
=
"10
V
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 NF， F = 1 MHz的
DG419B
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
DG419B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
62
53
60
89
106
80
88
87
96
3
3
pC
dB
89
99
80
86
87
93
ns
16
4
- 86
- 87
12
12
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
pF
50
57
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16 5 V V - = - 16 5 V
16.5 V,
16.5
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
0.001
- 0.000
1
-1
-5
1
5
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
mA
1
5
地电流
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
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DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= - 10毫安，V
D
= 3.8 V
V+ = 10.8 V
满
房间
满
26
0
12
35
52
0
12
35
45
V
W
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
符号
V+ = 12 V, V - = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
转换时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
t
D
t
RANS
Q
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的，V
S
= 8 V
见开关时间测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
房间
满
房间
满
房间
房间
满
房间
100
38
62
95
3
25
119
153
125
155
66
73
25
119
141
pC
125
143
66
69
ns
DG419B
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= 0 V, 8 V, V
S2
= 8 V, 0 V
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 13.2 V, V
L
= 5.25 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
房间
房间
0.001
- 0.001
0.001
- 0.001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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4
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
DG417B/418B/419B
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
T
A
= 25_C
V
L
= 5 V
Vishay Siliconix公司
导通电阻与V
D
和双电源电压
40
T
A
= 25_C
35
30
25
＆ QUOT ;
8V
20
15
10
5
- 20
＆ QUOT ;
10 V
＆ QUOT ;
12 V
＆ QUOT ;
15 V
＆ QUOT ;
5V
250
200
V+ = 3.0 V
V
L
= 3 V
V+ = 12.0 V
V+ = 5.0 V
50
V+ = 8.0 V
V+ = 15.0 V
V+ = 20.0 V
150
100
＆ QUOT ;
20 V
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
30
导通电阻与V
D
和温度
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
50
45
40
35
30
25
导通电阻与V
D
和温度
25
125_C
85_C
25_C
- 55_C
20
125_C
85_C
15
25_C
- 55_C
20
15
10
5
V+ = 12 V
v- = 0 V
V
L
= 5 V
0
2
4
6
8
10
12
10
5
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
泄漏与模拟电压
100
80
60
40
I
D
, I
S
（ PA ）
20
0
- 20
- 40
- 60
- 80
- 100
- 15
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
T
A
= 25_C
100 m
10 m
I + - 电源电流（ NA）
1m
100
m
10
m
1
m
100 n
10 n
1n
- 10
-5
0
5
10
15
电源电流与输入开关频率
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
I+, I -
I
L
1 00 p
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
输入开关频率（Hz ）
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DG417B/418B/419B
新产品
Vishay Siliconix公司
精密CMOS模拟开关
特点
D
D
D
D
D
"15-V
模拟信号范围
导通电阻-R
DS （ ON）
: 15
W
快速开关动作-T
ON
： 100纳秒
TTL和CMOS兼容
MSOP - 8和SOIC - 8封装
好处
D
D
D
D
D
D
宽动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
减少电路板空间
提高可靠性
应用
D
D
D
D
D
D
D
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制系统
硬盘驱动器
描述
该DG417B / 418B / 419B单片CMOS模拟开关
被设计为提供高性能的开关
模拟信号。结合低功耗，低漏电，高
速度，低导通电阻和小的物理尺寸， DG417B
系列非常适合于便携式和电池
需要大功率的工业和军事应用
性能和高效利用的电路板空间。
高电压硅栅（ HVSG ）的过程。突破前先
是有保证的DG419B ，这是一个单刀双掷
配置。外延层可以防止闭锁。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并阻止了电源电平的时候了。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG417B系列采用Vishay Siliconix公司的
该DG417B和DG418B应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
功能框图及引脚配置
DG417B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
S
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
V-
0
IN
V
L
1
ON
关闭
关闭
ON
真值表
逻辑
DG417B
DG418B
逻辑“0” =
v
0.8 V，逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
DG419B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
S
2
V-
IN
V
L
真值表DG419B
逻辑
0
1
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
逻辑“0” =
v
0.8 V，逻辑“ 1 ” =
w
2.4 V
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
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1
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
新产品
订购信息
温度范围
DG417B/418B
DG417BDJ
8-Pin
8引脚塑料MINIDIP
DG418BDJ
DG417BDY
- 4085 ℃下
8-Pin
8引脚窄体SOIC
DG418BDY
DG417BDQ
8引脚MSOP
8-Pin
DG418BDQ
DG417BAK ， DG417BAK / 883
- 55至125℃的
8-Pin
8引脚CERDIP
DG418BAK ， DG418BAK / 883
包
产品型号
DG419B
8引脚塑料MINIDIP
- 4085 ℃下
8引脚窄体SOIC
8引脚MSOP
- 55至125℃的
8引脚CERDIP
DG419BDJ
DG419BDY
DG419BDQ
DG419BAK ， DG419BAK / 883
注： SMD产品为双标有/ 883号。
绝对最大额定值
V - . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - 20 V
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
V
L
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ GND - 0.3 V ）至（ V + ） + 0.3 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （V - ） - 2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
目前， （任何终端）连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流（ S或D）的脉冲1毫秒， 10 ％的占空比。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65至150_C
功率耗散（包）
b
8引脚塑料MINIDIP
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚窄体SOIC
c
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚MSOP
d
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8引脚CERDIP
e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
400毫瓦
400毫瓦
400毫瓦
600毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V - 将内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免5.3毫瓦/ _C上述75°C
。减免4毫瓦/ _C以上70_C
。减免8毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
S
V
L
V-
V
IN
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
GND
D
V-
图1 。
www.vishay.com
2
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
DG417B/418B/419B
新产品
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关闭
漏电流
g
I
D（ FF）
D（关闭）
V = 16 5 V V - = - 16.5 V
16 5
V+ 16.5 V,
V
D
=
#15.5
V
V
S
=
"15.5
V
DG417B
DG418B
DG419B
DG417B
DG418B
DG419B
I
S
= - 10毫安，V
D
=
"12.5
V
V+ = 13.5 V, V - = - 13.5 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
15
- 0.1
- 0.1
- 0.1
- 0.4
- 0.4
- 0.25
- 20
- 0.25
- 20
- 0.75
- 60
- 0.4
- 40
- 0.75
- 60
- 15
15
25
34
0.25
20
0.25
20
0.75
60
0.4
40
0.75
60
- 0.25
-5
- 0.25
-5
- 0.75
- 12
- 0.4
- 10
- 0.75
- 12
- 15
15
25
29
0.25
5
0.25
5
0.75
12
0.4
10
0.75
12
nA
V
W
Vishay Siliconix公司
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
符号
V+ = 15 V, V - = - 15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
通道上
漏电流
I
D( )
D（上）
V+ = 16.5 V, V - = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
"15.5
V
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
I
IL
I
IH
满
满
- 0.5
- 0.5
0.5
0.5
- 0.5
- 0.5
0.5
0.5
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
转换时间
突破前先
延时
电荷注入
关断隔离
e
通道到通道
相声
e
源关断电容
流掉电容
通道上
电容
t
ON
t
关闭
t
TRANS
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S
=
"10
V
见开关时间
测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
=
"10
V, V
S2
=
#10
V
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= V
S2
=
"10
V
R
L
= 50
W,
C
L
= 5 NF， F = 1 MHz的
DG419B
DG417B
DG418B
DG417B
DG418B
DG419B
DG419B
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
62
53
60
89
106
80
88
87
96
3
3
pC
dB
89
99
80
86
87
93
ns
16
4
- 86
- 87
12
12
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
pF
50
57
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16 5 V V - = - 16 5 V
16.5 V,
16.5
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
- 0.001
0.001
- 0.000
1
-1
-5
1
5
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
mA
1
5
地电流
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
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3
DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
新产品
特定网络阳离子
a
单极用品
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S
= - 10毫安，V
D
= 3.8 V
V+ = 10.8 V
满
房间
满
26
0
12
35
52
0
12
35
45
V
W
后缀
- 55至125℃的
后缀
- 4085 ℃下
符号
V+ = 12 V, V - = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
转换时间
电荷注入
t
ON
t
关闭
t
D
t
RANS
Q
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的，V
S
= 8 V
见开关时间测试电路
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
房间
满
房间
满
房间
房间
满
房间
100
38
62
95
3
25
119
153
125
155
66
73
25
119
141
pC
125
143
66
69
ns
DG419B
R
L
= 300
W
, C
L
= 35 pF的
V
S1
= 0 V, 8 V, V
S2
= 8 V, 0 V
C
L
= 10nF的，V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 13.2 V, V
L
= 5.25 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
房间
房间
0.001
- 0.001
0.001
- 0.001
-1
-5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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4
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
DG417B/418B/419B
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
300
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
T
A
= 25_C
V
L
= 5 V
Vishay Siliconix公司
导通电阻与V
D
和双电源电压
40
T
A
= 25_C
35
30
25
＆ QUOT ;
8V
20
15
10
5
- 20
＆ QUOT ;
10 V
＆ QUOT ;
12 V
＆ QUOT ;
15 V
＆ QUOT ;
5V
250
200
V+ = 3.0 V
V
L
= 3 V
V+ = 12.0 V
V+ = 5.0 V
50
V+ = 8.0 V
V+ = 15.0 V
V+ = 20.0 V
150
100
＆ QUOT ;
20 V
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
30
导通电阻与V
D
和温度
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ W）
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
50
45
40
35
30
25
导通电阻与V
D
和温度
25
125_C
85_C
25_C
- 55_C
20
125_C
85_C
15
25_C
- 55_C
20
15
10
5
V+ = 12 V
v- = 0 V
V
L
= 5 V
0
2
4
6
8
10
12
10
5
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
泄漏与模拟电压
100
80
60
40
I
D
, I
S
（ PA ）
20
0
- 20
- 40
- 60
- 80
- 100
- 15
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
I
D（上）
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
T
A
= 25_C
100 m
10 m
I + - 电源电流（ NA）
1m
100
m
10
m
1
m
100 n
10 n
1n
- 10
-5
0
5
10
15
电源电流与输入开关频率
V" =
"15
V
V
L
= 5 V
I+, I -
I
L
1 00 p
10
100
1K
10 K
100 K
1M
10 M
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
文档编号： 72107
S- 31538 -REV 。 B， 11 - 8 - 03
输入开关频率（Hz ）
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5
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