对产品线
Diodes公司
DMN2300UFD
20V N沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
在200mΩ @ V
GS
= 4.5V
260mΩ @ V
GS
= 2.5V
400mΩ @ V
GS
= 1.8V
500MΩ @ V
GS
= 1.5V
I
D
最大
T
A
= 25°C
（注4 ）
1.73A
1.50A
1.27A
1.15A
特点和优点
低栅极阈值电压
开关速度快
“无铅” ，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 "Green"设备（注2 ）
ESD保护2kV的门
符合AEC -Q101标准的高可靠性
20V
机械数据
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
负荷开关
案例： X1- DFN1212-3
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量：0.005克数（近似值）
漏
X1-DFN1212-3
体
二极管
门
门
保护
二极管
来源
顶视图
底部视图
等效电路
引脚输出俯视图
订购信息
（注3）
产品型号
DMN2300UFD-7
注意事项：
记号
KS2
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
KS2 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： Y = 2011）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2011
Y
JAN
1
FEB
2
2012
Z
MAR
3
APR
4
2013
A
五月
5
JUN
6
2014
B
JUL
7
2015
C
八月
8
SEP
9
2016
D
十月
O
NOV
N
2017
E
DEC
D
DMN2300UFD
数据表编号： DS35443修订版2 - 2
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最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲（注6 ）
稳定
状态
T
A
= 25 （注4 ）
T
A
= 85°C （注4 ）
T
A
= 25 ° C（注5 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
20
±8
1.73
1.34
1.21
6.0
单位
V
V
A
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
0.96
0.47
130
265
-55到+150
单位
W
W
° C / W
° C / W
°C
4，对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置测得的
在稳态条件下运行时。
5.同注4，除装置安装在最小建议焊盘布局。
6.设备安装在最小建议焊盘布局测试板， 10μs的脉冲占空比= 1 ％ 。
热特性
10
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.0001 0.001
0.01 0.1
1
10
100
1000
T1 ，脉冲持续时间（秒）
图。 1单脉冲最大功率耗散
单脉冲
R
θJA
= 136
°
C / W
R
θ
JA
（吨） = R
θ
JA
* R（T ）
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
10
I
D
（ A） @P
W
=1ms
I
D
(A
)
R
DS （ ON）
有限
@
P
W
=
I
D
，漏电流（ A）
1
@
A)
I
D
(
A)
I
D
(
DC
=1
W
@P
0s
s
=1
P
W
P
W
=1
00
10
0
s
0.1
@
A)
I
D
(
ms
=1
0m
s
@
A)
I
D
(
0.01
T
J（下最大）
= 150
°
C
T
A
= 25
°
C
单脉冲
@
A)
I
D
(
P
W
I
D
(A) @
P
W
=10s
0.001
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 2 SOA ，安全工作区
100
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1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θJA
= 136 ° C / W
占空比D = T1 / T2
D =单脉冲
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 ，脉冲持续时间（秒）
图。 3瞬态热阻
10
100
1,000
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
20
-
-
0.45
典型值
-
-
-
-
最大
-
1
±10
0.95
200
260
400
500
-
1.2
-
-
-
-
2
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 900毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 800毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 700毫安
V
GS
= 1.5V ，我
D
= 200毫安
V
DS
= 3V ，我
D
= 300毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 300毫安
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 15V,
I
D
= 1A
静态漏源导通电阻
-
-
mΩ
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（注8 ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.7
67.62
9.74
7.58
68.51
0.89
0.14
0.16
4.92
6.93
21.71
10.62
mS
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V ，R
G
= 6Ω
7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.保证设计。
DMN2300UFD
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