DS15MB200双1.5 Gbps的2 ： 1/1 ： 2 LVDS多路复用器/缓冲器，具有预加重
2006年5月
DS15MB200
双1.5 Gbps的2 ： 1/1 ： 2 LVDS多路复用器/缓冲器，具有
预加重
概述
该DS15MB200是一个双端口2至1多路转换器和12个
中继器/缓冲器。高速数据通路和通流PI-
NOUT减少内部设备的抖动和简化电路板布局，
而预加重克服了从有损ISI抖动的影响
背板和电缆。所述差分输入和输出
接口LVDS或总线LVDS如对信号
美国国家半导体的10位，16位和18位总线LVDS串行解串器，或CML
或LVPECL信号。
3.3V电源， CMOS工艺和强大的I / O确保高
性能在低功率在整个工业-40至
+ 85 °C温度范围。
特点
n
1.5 Gbps的数据速率每通道
n
可配置的关闭/开启预加重驱动器损耗
背板和电缆
n
LVDS / BLVDS / CML / LVPECL兼容的输入， LVDS
兼容输出
n
低输出偏移和抖动
n
片上100Ω输入和输出端接
n
15 kV ESD保护的LVDS输入/输出
n
热插拔保护
n
3.3V单电源供电
n
工业-40 + 85℃温度范围内
n
48引脚的LLP封装
典型用途
20157310
框图
20157301
2006美国国家半导体公司
DS201573
www.national.com
DS15MB200
引脚说明
针
名字
SIA_0+
SIA_0
SIA_1+
SIA_1
SIB_0+
SIB_0
SIB_1+
SIB_1
LI_0+
LI_0
LI_1+
LI_1
SOA_0+
SOA_0
SOA_1+
SOA_1
SOB_0+
SOB_0
SOB_1+
SOB_1
LO_0+
LO_0
LO_1+
LO_1
MUX_S0
MUX_S1
PREA_0
PREA_1
PREB_0
PREB_1
PREL_0
PREL_1
ENA_0
ENA_1
ENB_0
ENB_1
ENL_0
ENL_1
引脚LLP
数
30
29
19
20
28
27
21
22
40
39
9
10
34
33
15
16
32
31
17
18
42
41
7
8
38
11
26
23
25
24
44
5
36
13
35
14
45
4
I / O类型
描述
交换机侧差分输入
我， LVDS
我， LVDS
我， LVDS
我， LVDS
交换机A端通道0反相和非反相差分输入。 LVDS ， LVDS总线，
CML ， LVPECL或兼容。
交换机A侧通道1的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，
CML ， LVPECL或兼容。
开关B侧通道0的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，
CML ， LVPECL或兼容。
开关B侧通道1的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，
CML ， LVPECL或兼容。
线路侧的通道0的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，CML或
LVPECL兼容。
线路侧通道1的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，CML或
LVPECL兼容。
线端差分输入
我， LVDS
我， LVDS
交换机侧差分输出
O， LVDS开关A端通道0反相和非反相差分输出。 LVDS兼容
（注1,3） 。
O， LVDS开关A面通道1反相和非反相差分输出。 LVDS兼容
（注1,3） 。
O， LVDS开关B侧通道0反相和非反相差分输出。 LVDS兼容
（注1,3） 。
O， LVDS开关B侧通道1的反相和非反相的差分输出。 LVDS兼容
（注1,3） 。
O， LVDS线侧的通道0的反相和非反相的差分输出。 LVDS兼容（注
1, 3).
O， LVDS线侧通道1的反相和非反相的差分输出。 LVDS兼容（注
1, 3).
我， LVTTL
我， LVTTL
MUX选择控制输入（每通道）来选择开关的输入端， A或B ，传递
通过向电源侧。
输出预加重控制开关侧输出。在交换机A端每路输出驱动器
和B侧有一个单独的针，以控制预加重或关闭。
线端差分输出
数字控制接口
我， LVTTL
我， LVTTL
输出预加重控制线端输出。就行了侧每路输出驱动器和
B侧有一个单独的针，以控制预加重或关闭。
输出使能控制开关A端和B端输出。在A端每路输出驱动器
和B侧设有独立的使能引脚。
我， LVTTL
输出使能控制线端输出。在进线侧每路输出驱动器具有一个
独立的使能引脚。
www.national.com
2
DS15MB200
引脚说明
针
名字
动力
V
DD
2, 6, 12,
37, 43,
46, 48
3, 47
（注2 ）
引脚LLP
数
（续）
描述
I / O类型
一，电源
V
DD
= 3.3V
±
0.3V.
GND
一，电源
LVDS和CMOS电路的接地参考。
对于LLP封装，磷酸二铵作为主接地连接到该设备。该
DAP是裸露的金属接触时的LLP- 48封装的底面。它应该是
连接到所述接地平面具有至少4的通孔以获得最佳的AC性能和热性能。
注1 ：
对于接口LVDS输出CML或LVPECL兼容的输入，请参考本数据表的应用部分（计划） 。
注2 ：
需要注意的是在LLP封装背面的DAP是设备的主接地连接使用的LLP封装的时候。
注3 ：
LVDS输出不支持多点（ BLVDS ）环境。该DS15MB200设备的LVDS输出特性进行了优化
点至点的背板和电缆应用。
连接图
20157302
20157303
LLP顶视图
DAP = GND
方向信号路径俯视图
（参考引脚名称信号极性）
3
www.national.com
DS15MB200
输出特性
该DS15MB200的输出特性已
为点至点的背板和电缆应用的优化
系统蒸发散，而不是用于多点还是多点信号 -
ING 。
一个100Ω的输出（源）端接电阻纳入
在该装置无需外部电阻
通过定位，提供卓越的驱动性能
源终止尽量靠近输出作为物理上POS-
sible 。
复用器真值表
数据输入
SIA_0
X
有效
X
SIB_0
有效
X
X
MUX_S0
0
1
X
（注5 ）
产量
LO_0
SIB_0
SIA_0
Z
控制输入
ENL_0
1
1
0
X =无关
Z =高阻抗（ TRI- STATE ）
预加重控制
预加重被用于补偿长或有损
传输介质。提供给每个独立的引脚
输出，以减少电力消耗。预加重
可编程的，以每所述预加重控制为关或开
表。
PREx_n
（注4 ）
0
1
输出预加重
0%
100%
中继器/缓冲器真值表
数据
输入
LI_0
X
有效
有效
有效
控制输入
ENA_0
0
0
1
1
ENB_0
0
1
0
1
Z
Z
LI_0
LI_0
（注5 ）
输出
SOA_0
SOB_0
Z
LI_0
Z
LI_0
X =无关
Z =高阻抗（ TRI- STATE ）
注5 ：
通道1相同的功能
注4 ：
适用于PREA_0 ， PREA_1 ， PREB_0 ， PREB_1 ， PREL_0 ，
PREL_1
www.national.com
4
DS15MB200
绝对最大额定值
（注6 ）
电源电压（V
DD
)
CMOS输入电压
LVDS接收器输入电压
（注7 ）
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路电流
结温
储存温度
焊接温度（焊接， 4秒）
PKG最大功率容量
@
25C
热阻（ θ
JA
)
套餐降额高于+ 25℃
ESD最后通过电压
HBM ， 1.5kΩ上，100pF电容
LVDS引脚GND只
-0.3V至+ 4.0V
-0.3V到（V
DD
+0.3V)
-0.3V到（V
DD
+0.3V)
-0.3V到（V
DD
+0.3V)
40毫安
+150C
-65 ° C至+ 150°C
260C
5.2W
24C/W
41.7mW/C
8kV
15kV
EIAJ ， 0Ω ， 200pF的
清洁发展机制
250V
1000V
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
输入电压（V
I
） （注7 ）
输出电压（V
O
)
工作温度（T
A
)
产业
-40 ° C至+ 85°C
3.0V至3.6V
0V至V
CC
0V至V
CC
注6 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。本数据手册规范应满足，而不
例外，以确保该系统的设计是可靠的过它的电源，
温度和输入/输出负载变量。国家不会不推荐
修补产品的操作建议操作条件之外。
注7 ：
V
ID
最大
＆ LT ;
2.4V
电气特性
在推荐，除非其他指定的工作电源和温度范围内。
符号
参数
条件
民
典型值
（注8）
最大
单位
LVTTL DC规格
（ MUX_Sn ， PREA_n ， PREB_n ， PREL_n ， ENA_n ， ENB_n ， ENL_n ）
V
IH
V
IL
I
IH
I
国际卫生条例
I
IL
C
IN1
C
OUT1
V
CL
V
TH
V
TL
V
ID
V
CMR
C
IN2
I
IN
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
高电平输入电流
低电平输入电流
输入电容
输出电容
输入钳位电压
差分输入高阈值
（注9 ）
差分输入阈值低
（注9 ）
差分输入电压
共模电压范围
输入电容
输入电流
V
IN
= V
DD
= V
DDMAX
PREA_n ， PREB_n ， PREL_n
V
IN
= V
SS
, V
DD
= V
DDMAX
所有数字输入引脚到V
SS
任何数字输出引脚到V
SS
I
CL
= -18毫安
V
CM
= 0.8V或1.2V或3.55V ，
V
DD
= 3.6V
V
CM
= 0.8V或1.2V或3.55V ，
V
DD
= 3.6V
V
CM
= 0.8V至3.55V ，V
DD
= 3.6V
V
ID
= 150 mV时， V
DD
= 3.6V
IN +或IN-至V
SS
V
IN
= 3.6V, V
DD
= V
DDMAX
或0V
V
IN
= 0V, V
DD
= V
DDMAX
或0V
LVDS输出DC规格
（ SOA_n
±
， SOB_n
±
， LO_n
±
)
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
C
OUT2
差分输出电压，
0％预加重（注9）
改变V
OD
间
互补的国家
失调电压（注10 ）
改变V
OS
间
互补的国家
输出短路电流
输出电容
OUT + OUT-或短路到地
OUT + OUT-或到GND时，
三州
R
L
是OUT之间的内部100Ω +
和输出
250
-35
1.05
-35
21
4.0
1.22
360
500
35
1.475
35
-40
mV
mV
V
mV
mA
pF
15
15
100
100
0.05
2.0
+15
+15
1.5
2.0
GND
10
40
10
2.0
4.0
0.8
V
DD
0.8
+10
200
+10
V
V
A
A
A
pF
pF
V
LVDS输入DC规格
（ SIA
±
， SIB
±
李
±
)
0
0
2400
3.55
100
mV
mV
mV
V
pF
A
A
5
www.national.com
DS15MB200双1.5 Gbps的2 ： 1/1 ： 2 LVDS多路复用器/缓冲器，具有预加重
2006年5月
DS15MB200
双1.5 Gbps的2 ： 1/1 ： 2 LVDS多路复用器/缓冲器，具有
预加重
概述
该DS15MB200是一个双端口2至1多路转换器和12个
中继器/缓冲器。高速数据通路和通流PI-
NOUT减少内部设备的抖动和简化电路板布局，
而预加重克服了从有损ISI抖动的影响
背板和电缆。所述差分输入和输出
接口LVDS或总线LVDS如对信号
美国国家半导体的10位，16位和18位总线LVDS串行解串器，或CML
或LVPECL信号。
3.3V电源， CMOS工艺和强大的I / O确保高
性能在低功率在整个工业-40至
+ 85 °C温度范围。
特点
n
1.5 Gbps的数据速率每通道
n
可配置的关闭/开启预加重驱动器损耗
背板和电缆
n
LVDS / BLVDS / CML / LVPECL兼容的输入， LVDS
兼容输出
n
低输出偏移和抖动
n
片上100Ω输入和输出端接
n
15 kV ESD保护的LVDS输入/输出
n
热插拔保护
n
3.3V单电源供电
n
工业-40 + 85℃温度范围内
n
48引脚的LLP封装
典型用途
20157310
框图
20157301
2006美国国家半导体公司
DS201573
www.national.com
DS15MB200
引脚说明
针
名字
SIA_0+
SIA_0
SIA_1+
SIA_1
SIB_0+
SIB_0
SIB_1+
SIB_1
LI_0+
LI_0
LI_1+
LI_1
SOA_0+
SOA_0
SOA_1+
SOA_1
SOB_0+
SOB_0
SOB_1+
SOB_1
LO_0+
LO_0
LO_1+
LO_1
MUX_S0
MUX_S1
PREA_0
PREA_1
PREB_0
PREB_1
PREL_0
PREL_1
ENA_0
ENA_1
ENB_0
ENB_1
ENL_0
ENL_1
引脚LLP
数
30
29
19
20
28
27
21
22
40
39
9
10
34
33
15
16
32
31
17
18
42
41
7
8
38
11
26
23
25
24
44
5
36
13
35
14
45
4
I / O类型
描述
交换机侧差分输入
我， LVDS
我， LVDS
我， LVDS
我， LVDS
交换机A端通道0反相和非反相差分输入。 LVDS ， LVDS总线，
CML ， LVPECL或兼容。
交换机A侧通道1的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，
CML ， LVPECL或兼容。
开关B侧通道0的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，
CML ， LVPECL或兼容。
开关B侧通道1的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，
CML ， LVPECL或兼容。
线路侧的通道0的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，CML或
LVPECL兼容。
线路侧通道1的反相和非反相的差分输入。 LVDS ， LVDS总线，CML或
LVPECL兼容。
线端差分输入
我， LVDS
我， LVDS
交换机侧差分输出
O， LVDS开关A端通道0反相和非反相差分输出。 LVDS兼容
（注1,3） 。
O， LVDS开关A面通道1反相和非反相差分输出。 LVDS兼容
（注1,3） 。
O， LVDS开关B侧通道0反相和非反相差分输出。 LVDS兼容
（注1,3） 。
O， LVDS开关B侧通道1的反相和非反相的差分输出。 LVDS兼容
（注1,3） 。
O， LVDS线侧的通道0的反相和非反相的差分输出。 LVDS兼容（注
1, 3).
O， LVDS线侧通道1的反相和非反相的差分输出。 LVDS兼容（注
1, 3).
我， LVTTL
我， LVTTL
MUX选择控制输入（每通道）来选择开关的输入端， A或B ，传递
通过向电源侧。
输出预加重控制开关侧输出。在交换机A端每路输出驱动器
和B侧有一个单独的针，以控制预加重或关闭。
线端差分输出
数字控制接口
我， LVTTL
我， LVTTL
输出预加重控制线端输出。就行了侧每路输出驱动器和
B侧有一个单独的针，以控制预加重或关闭。
输出使能控制开关A端和B端输出。在A端每路输出驱动器
和B侧设有独立的使能引脚。
我， LVTTL
输出使能控制线端输出。在进线侧每路输出驱动器具有一个
独立的使能引脚。
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2
DS15MB200
引脚说明
针
名字
动力
V
DD
2, 6, 12,
37, 43,
46, 48
3, 47
（注2 ）
引脚LLP
数
（续）
描述
I / O类型
一，电源
V
DD
= 3.3V
±
0.3V.
GND
一，电源
LVDS和CMOS电路的接地参考。
对于LLP封装，磷酸二铵作为主接地连接到该设备。该
DAP是裸露的金属接触时的LLP- 48封装的底面。它应该是
连接到所述接地平面具有至少4的通孔以获得最佳的AC性能和热性能。
注1 ：
对于接口LVDS输出CML或LVPECL兼容的输入，请参考本数据表的应用部分（计划） 。
注2 ：
需要注意的是在LLP封装背面的DAP是设备的主接地连接使用的LLP封装的时候。
注3 ：
LVDS输出不支持多点（ BLVDS ）环境。该DS15MB200设备的LVDS输出特性进行了优化
点至点的背板和电缆应用。
连接图
20157302
20157303
LLP顶视图
DAP = GND
方向信号路径俯视图
（参考引脚名称信号极性）
3
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DS15MB200
输出特性
该DS15MB200的输出特性已
为点至点的背板和电缆应用的优化
系统蒸发散，而不是用于多点还是多点信号 -
ING 。
一个100Ω的输出（源）端接电阻纳入
在该装置无需外部电阻
通过定位，提供卓越的驱动性能
源终止尽量靠近输出作为物理上POS-
sible 。
复用器真值表
数据输入
SIA_0
X
有效
X
SIB_0
有效
X
X
MUX_S0
0
1
X
（注5 ）
产量
LO_0
SIB_0
SIA_0
Z
控制输入
ENL_0
1
1
0
X =无关
Z =高阻抗（ TRI- STATE ）
预加重控制
预加重被用于补偿长或有损
传输介质。提供给每个独立的引脚
输出，以减少电力消耗。预加重
可编程的，以每所述预加重控制为关或开
表。
PREx_n
（注4 ）
0
1
输出预加重
0%
100%
中继器/缓冲器真值表
数据
输入
LI_0
X
有效
有效
有效
控制输入
ENA_0
0
0
1
1
ENB_0
0
1
0
1
Z
Z
LI_0
LI_0
（注5 ）
输出
SOA_0
SOB_0
Z
LI_0
Z
LI_0
X =无关
Z =高阻抗（ TRI- STATE ）
注5 ：
通道1相同的功能
注4 ：
适用于PREA_0 ， PREA_1 ， PREB_0 ， PREB_1 ， PREL_0 ，
PREL_1
www.national.com
4
DS15MB200
绝对最大额定值
（注6 ）
电源电压（V
DD
)
CMOS输入电压
LVDS接收器输入电压
（注7 ）
LVDS驱动器输出电压
LVDS输出短路电流
结温
储存温度
焊接温度（焊接， 4秒）
PKG最大功率容量
@
25C
热阻（ θ
JA
)
套餐降额高于+ 25℃
ESD最后通过电压
HBM ， 1.5kΩ上，100pF电容
LVDS引脚GND只
-0.3V至+ 4.0V
-0.3V到（V
DD
+0.3V)
-0.3V到（V
DD
+0.3V)
-0.3V到（V
DD
+0.3V)
40毫安
+150C
-65 ° C至+ 150°C
260C
5.2W
24C/W
41.7mW/C
8kV
15kV
EIAJ ， 0Ω ， 200pF的
清洁发展机制
250V
1000V
推荐工作
条件
电源电压（V
CC
)
输入电压（V
I
） （注7 ）
输出电压（V
O
)
工作温度（T
A
)
产业
-40 ° C至+ 85°C
3.0V至3.6V
0V至V
CC
0V至V
CC
注6 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。本数据手册规范应满足，而不
例外，以确保该系统的设计是可靠的过它的电源，
温度和输入/输出负载变量。国家不会不推荐
修补产品的操作建议操作条件之外。
注7 ：
V
ID
最大
＆ LT ;
2.4V
电气特性
在推荐，除非其他指定的工作电源和温度范围内。
符号
参数
条件
民
典型值
（注8）
最大
单位
LVTTL DC规格
（ MUX_Sn ， PREA_n ， PREB_n ， PREL_n ， ENA_n ， ENB_n ， ENL_n ）
V
IH
V
IL
I
IH
I
国际卫生条例
I
IL
C
IN1
C
OUT1
V
CL
V
TH
V
TL
V
ID
V
CMR
C
IN2
I
IN
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输入电流
高电平输入电流
低电平输入电流
输入电容
输出电容
输入钳位电压
差分输入高阈值
（注9 ）
差分输入阈值低
（注9 ）
差分输入电压
共模电压范围
输入电容
输入电流
V
IN
= V
DD
= V
DDMAX
PREA_n ， PREB_n ， PREL_n
V
IN
= V
SS
, V
DD
= V
DDMAX
所有数字输入引脚到V
SS
任何数字输出引脚到V
SS
I
CL
= -18毫安
V
CM
= 0.8V或1.2V或3.55V ，
V
DD
= 3.6V
V
CM
= 0.8V或1.2V或3.55V ，
V
DD
= 3.6V
V
CM
= 0.8V至3.55V ，V
DD
= 3.6V
V
ID
= 150 mV时， V
DD
= 3.6V
IN +或IN-至V
SS
V
IN
= 3.6V, V
DD
= V
DDMAX
或0V
V
IN
= 0V, V
DD
= V
DDMAX
或0V
LVDS输出DC规格
（ SOA_n
±
， SOB_n
±
， LO_n
±
)
V
OD
V
OD
V
OS
V
OS
I
OS
C
OUT2
差分输出电压，
0％预加重（注9）
改变V
OD
间
互补的国家
失调电压（注10 ）
改变V
OS
间
互补的国家
输出短路电流
输出电容
OUT + OUT-或短路到地
OUT + OUT-或到GND时，
三州
R
L
是OUT之间的内部100Ω +
和输出
250
-35
1.05
-35
21
4.0
1.22
360
500
35
1.475
35
-40
mV
mV
V
mV
mA
pF
15
15
100
100
0.05
2.0
+15
+15
1.5
2.0
GND
10
40
10
2.0
4.0
0.8
V
DD
0.8
+10
200
+10
V
V
A
A
A
pF
pF
V
LVDS输入DC规格
（ SIA
±
， SIB
±
李
±
)
0
0
2400
3.55
100
mV
mV
mV
V
pF
A
A
5
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