DMG8822UTS
双N沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: TSSOP -8L
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
终端连接:下面请参阅图
标识信息:请参阅第4页
订购信息:见第4页
重量: 0.039克(近似值)
新产品
D1
D2
G1
1
2
3
4
D
S1
S1
G1
D
S2
S2
G2
8
7
6
5
G2
S1
S2
顶视图
底部视图
顶视图
内部原理
引脚配置
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
20
±8
4.9
3.9
31
单位
V
V
A
A
特征
连续漏电流(注1 )
漏电流脉冲(注2 )
稳定
状态
热特性
特征
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
价值
0.87
143
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.装置安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
2.重复评级,脉冲宽度有限的结温。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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电气特性
特征
开关特性(注5 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征(注5 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
民
20
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
19
22
28
7
0.7
841
88
81
1.24
9.6
1.4
2.1
7.8
21.1
38.6
10.1
最大
-
1.0
±100
0.9
25
29
37
-
0.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
m
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 8.2A
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 3.3A
V
GS
= 1.8V ,我
D
= 2.0A
V
DS
= 10V ,我
D
= 4A
是= 2.25A ,V
GS
= 0V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
=0V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V,
I
D
= 8.2A
新产品
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性(注6 )
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项:
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V,
R
L
= 10, R
G
= 6
5.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受生产测试。
30
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 3.0V
V
GS
= 2.0V
20
I
D
,漏电流( A)
20
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.8V
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 2.8V
15
V
DS
= 5V
10
10
V
GS
= 1.5V
T
A
= 150°C
5
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
,漏源电压(V )
图。 1典型的输出特性
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
,门源极电压( V)
图。 2典型的传输特性
3
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I
DSS
,漏极 - 源极漏电流( NA)
10,000
F = 1MHz的
10,000
T
A
= 150°C
C,电容(pF )
1,000
T
A
= 125°C
1,000
C
国际空间站
新产品
100
T
A
= 85°C
100
C
OSS
C
RSS
10
T
A
= 25°C
10
0
5
10
15
V
DS
,漏源电压(V )
图。 9典型电容
20
1
2
6
8
10 12 14 16 18 20
V
DS
,漏源电压(V )
图。 10典型的漏源漏电流
与漏源电压
4
1
R(T ) ,瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 141 ° C / W
P( PK)
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
1
D =单脉冲
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,脉冲持续时间(s )
图。 11瞬态热响应
10
100
1,000
订购信息
产品型号
DMG8822UTS-13
注意事项:
(注7 )
例
TSSOP-8L
包装
2500 /磁带&卷轴
7.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
8
5
标志
N8822U
YY WW
1
4
部件号
第X周: 01 52
年: “09” = 2009
顶视图
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