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DS1225Y
DS1225Y
64K非易失SRAM
特点
引脚分配
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
在不存在10年的最低数据保留
外部电源
数据掉电时自动保护
直接取代8K ×8易失静态RAM或EE-
舞会
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的28引脚DIP封装
读取和写入存取时间快150纳秒
满
±10%
工作范围
可选
-40 ° C至工业级温度范围
+ 85°C ，指定为IND
28 -PIN密封封装
720 MIL EXTENDED
引脚说明
A0–A12
DQ0–DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
–
–
–
–
–
–
–
–
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
无连接
描述
该DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位，
完全静态的，非易失性RAM组织为8192字
由8位。每个NV SRAM均自带锂电池
能量源和控制电路，它不断地
监视V
CC
对于超出容限。当
这种情况发生时，锂能量源是
自动开机和写保护是不整合
ditionally使能，防止数据被破坏。在NV
SRAM可以替代现有的8K ×8的SRAM的使用
直接符合流行的单字节宽， 28引脚DIP
标准。该DS1225Y也匹配的引脚排列
2764 EPROM或EEPROM 2864 ，可直接
替换并增强其性能。没有
限制于能够被执行的写循环的次数
并要求微没有额外的支持电路
处理器接口。
021998 1/8
DS1225Y
读取模式
该DS1225Y执行一个读周期，每当我们
（写使能）处于非活动状态（高）和CE （片选）
和OE （输出使能）有效（低） 。独特
由13地址输入指定的地址（A
0
–A
12
）除冰剂
的8192字节的数据，它是细粉，以进行访问。
有效的数据将提供给八个数据输出driv-
T内ERS
加
（访问时间）的最后一个地址后IN-
看跌信号稳定，提供了CE和OE访问
时间还纳。如果CE和OE访问时间
不满足，则数据访问必须进行测量
后来出现的信号和限幅参数是
要么吨
CO
对于CE或T
OE
为OE ，而不是地址AC-
塞斯。
恢复时间（t
WR
）之前，另一个周期可以是initi-
ated 。在OE控制信号应当保持不活跃
（高）在写周期，以避免总线冲突。然而
以往，如果启用输出驱动器（ CE和OE AC-
略去），那么我们将禁止在T输出
ODW
从
下降沿。
数据保持方式
该DS1225Y为V全功能的能力
CC
大于4.5伏，写保护为4.25有名无实。
数据被保持在无Ⅴ的
CC
没有任何
额外的支持电路。该DS1225Y不断
监视V
CC
。如若电源电压衰减，在NV
SRAM自动写入保护自己，所有的输入BE-
来“不关心” ，所有输出变为高阻
ANCE 。由于V
CC
瀑布下方大约3.0伏，一
电源开关电路连接，锂电池
来源RAM保存数据。在上电期间，当
V
CC
上升到高于约3.0伏时，电源
开关电路连接外部V
CC
到RAM和显示
连接锂能源。正常的RAM能操作
V后ATION可以恢复
CC
超过4.5伏。
写模式
在DS1225Y执行一个写周期时对WE
和CE信号有效（低电平）后地址输入是
稳定。 CE后期出现下降沿，否则我们将
确定写周期的开始。写周期
通过CE或WE的早期上升沿终止。所有
地址输入必须保持有效的全写
周期。我们必须回归到高状态最低
021998 2/8
DS1225Y
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0℃至70 ℃; -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70°C ; -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
对于延长的时间段的条件会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
输入逻辑1
输入逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.8
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE > V
IH
＆ LT ; V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流CE = 2.2V
待机电流CE = V
CC
–0.5V
工作电流吨
CYC
= 200纳秒
（商业）
工作电流吨
CYC
= 200纳秒
（工业级）
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
I
CCO1
V
TP
4.25
民
–1.0
–1.0
–1.0
2.0
5
3
典型值
(t
A
：见注10 ; V
CC
= 5V
±
10%)
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
mA
mA
10
5
75
85
mA
mA
mA
mA
V
10
笔记
021998 3/8
DS1225Y
AC电气特性
DS1225Y-150
参数
读周期时间
存取时间
OE到输出有效
CE到输出有效
OE或CE到
输出活动
输出高阻从设计
选择
从AD-输出保持
着装变化
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
输出高阻从WE
输出WE活动
数据建立时间
数据保持时间
符号
t
RC
t
加
t
OE
t
CO
t
COE
t
OD
t
OH
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
5
60
0
10
5
150
100
0
0
10
35
5
70
0
10
5
35
5
170
120
0
0
10
35
民
150
150
70
150
5
35
最大
民
170
(t
A
：见注10 ; V
CC
=5.0V
±
10%)
DS1225Y-170
最大
DS1225Y-200
民
200
170
80
170
5
35
5
200
150
0
0
10
35
5
80
0
10
200
100
200
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
13
5
5
4
12
13
3
5
5
笔记
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
最大
10
10
单位
pF
pF
(t
A
= 25
°
C)
笔记
021998 4/8
DS1225Y
读周期
地址
V
IH
V
IL
t
加
V
IH
CE
V
IH
OE
V
IL
t
OE
V
IL
t
COE
t
COE
t
CO
t
RC
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
t
OH
V
IH
t
OD
见注1
D
OUT
t
OD
V
OH
产量
V
OH
V
OL
数据有效V
OL
写周期1
地址
V
IH
V
IL
t
AW
CE
t
WC
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
t
WP
V
IL
t
WR1
V
IL
V
IH
t
OEW
WE
V
IH
t
ODW
V
IL
高
阻抗
t
DS
V
IH
D
OUT
t
DH1
V
IH
DATA IN
稳定
V
IL
V
IL
D
IN
见注2，第3 ，第4 ，第6 ，第7 ，第8和12
写周期2
地址
V
IH
V
IL
t
AW
t
WC
V
IH
V
IL
t
WR2
t
WP
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
WE
t
COE
D
OUT
V
IH
D
IN
DATA IN
稳定
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
CE
t
ODW
t
DS
t
DH2
V
IH
见注2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8和13
021998 5/8
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