DS1245Y/AB
描述
在DS1245 1024K非易失性SRAM的are1,048,576位，全静态非易失SRAM的组织结构
131,072字由8位。每个完整的NV SRAM均自带锂电池的能量来源，
控制电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这样的条件
发生时，锂电池便自动接通，写保护将无条件
使能，防止数据被破坏。 DIP封装的DS1245器件可以替代现有的128k x的使用
8静态RAM，符合通用的单字节宽， 32引脚DIP标准。在DS1245设备
PowerCap模块封装可以直接表面安装，并且通常与DS9034PC
PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。上有写的数量没有限制
能够被执行并且没有额外的支持电路需要与微处理器接口周期。
读取模式
在DS1245执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高）和
CE
（芯片使能）
和
OE
（输出使能）有效（低） 。由17地址输入指定的唯一地址（A
0
-
A
16
）定义其中的131072个字节的数据是要被访问。有效的数据将提供给八个
T内的数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，所提供的
CE
和
OE
（输出使能）访问时间还纳。如果
OE
和
CE
访问时间不满意，
然后数据访问，必须从后面出现的信号测量（
CE
or
OE
）和限制参数
要么吨
CO
为
CE
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
在DS1245执行一个写周期每当
WE
和
CE
信号有效（低电平）地址之后
输入是稳定的。后期出现下降沿
CE
or
WE
将确定的写入周期的开始。
写周期是由早期的上升沿终止
CE
or
WE
。所有地址输入必须保持
有效整个写周期。
WE
必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
)
前一个循环可被启动。该
OE
控制信号应写在保持非活动状态（高）
周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（
CE
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1245AB为V全功能的能力
CC
大于4.75伏，写保护了
4.5伏。该DS1245Y为V全功能的能力
CC
大于4.5伏和直写
保护由4.25伏。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。
非易失性静态RAM，不断监视V
CC
。如若电源电压衰减的NV SRAM的
自动写保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高
阻抗。由于V
CC
低于约3.0伏下降时，功率开关电路将锂
能源到RAM中保留的数据。在上电期间，当V
CC
上升到大约3.0伏，
所述电源开关电路连接外部V到RAM中，并断开锂能量源。
CC
V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.75伏的DS1245AB和4.5伏的
DS1245Y.
保鲜
每个DS1245设备从达拉斯半导体附带的锂电池能量源断开，
保证充分的能量的能力。当V
CC
首先施加在一个水平大于4.25伏时，锂
能源是启用了备用电池操作。
2 12
DS1245Y/AB
套餐
在DS1245器件提供两种封装： 32引脚DIP和34引脚PowerCap模块（ PCM ） 。
32-管脚DIP集成了锂电池，一个SRAM存储器和非易失性控制功能成
单个包装与JEDEC标准的600密耳DIP引脚排列。 34引脚PowerCap模块集成
SRAM存储器并连同用于在连接到锂电池触点非易失性控制
DS9034PC的PowerCap 。 PowerCap模块封装的设计使DS1245 PCM设备是
表面上，而不必经受了备用锂电池破坏性的高温回流焊
焊接。经过DS1245 PCM的回流焊接，一个DS9034PC的PowerCap被抢购的顶部
PCM ，形成一个完整的非易失SRAM模块。该DS9034PC是键控，以防止不适当的
附件。 DS1245的PowerCap模块和DS9034PC PowerCaps单独订购和发运
在单独的容器中。看到DS9034PC数据手册了解更多信息。
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
*
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1245AB电源电压
DS1245Y电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
0.8
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
直流电气
特征
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
=2.2V
待机电流
CE
=V
CC
-0.5V
工作电流
写保护电压（ DS1245AB ）
写保护电压（ DS1245Y ）
(V
CC
=5V
±
为DS1245AB 5％）
(t
A
：见注10 ）（V
CC
=5V
±
为DS1245Y 10％）
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
V
TP
4.50
4.25
4.62
4.37
民
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
200
50
600
150
85
4.75
4.5
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
mA
mA
A
A
mA
V
V
笔记
3 12
19-5638 ;冯11/10
DS1245Y/AB
1024K非易失SRAM
www.maxim-ic.com
特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
替换128K ×8易失静态RAM，
EEPROM或闪存存储器
没有写次数限制
低功耗CMOS
读取和写入的70 ns访问时间
锂能源电
断开，维持保鲜状态，直到电源
施加首次
满
±10%
V
CC
工作范围（ DS1245Y ）
可选
±5%
V
CC
工作范围
(DS1245AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
JEDEC标准的32引脚DIP封装
PowerCap模块（ PCM ）封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供
备用锂电池
- 标准引脚所有非易失
SRAM产品
- 分离的PowerCap允许
拆卸方便使用普通螺丝刀
引脚分配
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
NC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32 -PIN密封封装
740密耳EXTENDED
NC
A15
A16
NC
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
GND V
BAT
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34引脚PowerCap模块（ PCM ）
（使用DS9034PC +或DS9034PCI +的PowerCap ）
引脚说明
A0 - A16
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
- 无连接
1 10
DS1245Y/AB
描述
在DS1245 1024K非易失性SRAM的are1,048,576位，全静态非易失SRAM的组织结构
131,072字由8位。每个完整的NV SRAM均自带锂电池的能量来源，
控制电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这样的条件
发生时，锂电池便自动接通，写保护将无条件
使能，防止数据被破坏。 DIP封装的DS1245器件可以替代现有的128k x的使用
8静态RAM，符合通用的单字节宽， 32引脚DIP标准。在DS1245设备
PowerCap模块封装可以直接表面安装，并且通常与DS9034PC
PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。上有写的数量没有限制
能够被执行并且没有额外的支持电路需要与微处理器接口周期。
读取模式
在DS1245执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高）和
CE
（芯片使能）
和
OE
（输出使能）有效（低） 。由17地址输入指定的唯一地址（A
0
-
A
16
）定义其中的131072个字节的数据是要被访问。有效的数据将提供给八个
T内的数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，所提供的
CE
和
OE
（输出使能）访问时间还纳。如果
OE
和
CE
访问时间不满意，
然后数据访问，必须从后面出现的信号测量（
CE
or
OE
）和限制参数
要么吨
CO
为
CE
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
在DS1245执行一个写周期每当
WE
和
CE
信号有效（低电平）地址之后
输入是稳定的。后期出现下降沿
CE
or
WE
将确定的写入周期的开始。
写周期是由早期的上升沿终止
CE
or
WE
。所有地址输入必须保持
有效整个写周期。
WE
必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
)
前一个循环可被启动。该
OE
控制信号应写在保持非活动状态（高）
周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（
CE
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1245AB为V全功能的能力
CC
大于4.75伏，写保护了
4.5伏。该DS1245Y为V全功能的能力
CC
大于4.5伏和直写
保护由4.25伏。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。
非易失性静态RAM，不断监视V
CC
。如若电源电压衰减的NV SRAM的
自动写保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高
阻抗。由于V
CC
低于约3.0伏下降时，功率开关电路将锂
能源到RAM中保留的数据。在上电期间，当V
CC
上升到大约3.0伏，
所述电源开关电路连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。
V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.75伏的DS1245AB和4.5伏的
DS1245Y.
保鲜
每个DS1245器件从马克西姆随其能量锂源断开，以保证
充满能量的能力。当V
CC
首先施加在一个水平大于4.25伏，则锂电池
启用了备用电池操作。
2 10
DS1245Y/AB
套餐
在DS1245器件提供两种封装： 32引脚DIP和34引脚PowerCap模块（ PCM ） 。
32-管脚DIP集成了锂电池，一个SRAM存储器和非易失性控制功能成
单个包装与JEDEC标准的600密耳DIP引脚排列。 34引脚PowerCap模块集成
SRAM存储器并连同用于在连接到锂电池触点非易失性控制
DS9034PC的PowerCap 。 PowerCap模块封装的设计使DS1245 PCM设备是
表面上，而不必经受了备用锂电池破坏性的高温回流焊
焊接。经过DS1245 PCM的回流焊接，一个DS9034PC的PowerCap被抢购的顶部
PCM ，形成一个完整的非易失SRAM模块。该DS9034PC是键控，以防止不适当的
附件。 DS1245的PowerCap模块和DS9034PC PowerCaps单独订购和发运
在单独的容器中。看到DS9034PC数据手册了解更多信息。
3 10
DS1245Y/AB
绝对最大额定值
任何引脚相对地电压
工作温度范围
商业：
工业：
存储温度范围
EDIP
POWERCAP
焊接温度（焊接， 10秒）
焊接温度（回流焊接，安装PowerCap ）
注意：
EDIP是波或手只能焊接。
-0.3V至+ 6.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
+260°C
+260°C
这是一个额定值，器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响
可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1245AB电源电压
DS1245Y电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
0.8
(T
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
DC电气特性
(V
CC
= 5V
±5%
为DS1245AB ）
(T
A
：见注10 ）（V
CC
= 5V
±10%
为DS1245Y ）
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
=2.2V
待机电流
CE
=V
CC
-0.5V
工作电流
写保护电压（ DS1245AB ）
写保护电压（ DS1245Y ）
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
V
TP
4.50
4.25
4.62
4.37
民
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
200
50
600
150
85
4.75
4.5
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
mA
mA
A
A
mA
V
V
笔记
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
5
5
最大
10
10
(T
A
= +25°C)
单位
pF
pF
笔记
4 10
QQ：2881677436 复制
