DG441/442
Vishay Siliconix公司
四通道SPST CMOS模拟开关
描述
该DG441 / 442单片四路模拟开关
旨在提供高速，低误差切换
模拟信号和音频信号。的DG441有一个常闭
功能。该DG442具有常开功能。
结合低导通电阻（ 50
Ω,
典型值）的高速
(t
ON
150纳秒，典型值） ，该DG441 / 442非常适合
升级DG201A / 202插槽。电荷注入已
最小化在漏极中的采样和保持电路中使用。
为了实现高电压等级和出色的开关
的性能， DG441 / 442是建立在日前，Vishay Siliconix公司的
高电压硅栅工艺。外延层
防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并阻止输入电压的供给水平时关闭。
特点
低导通电阻： 50
Ω
低泄漏： 80 pA的
低功耗： 0.2毫瓦
快速开关动作-T
ON
： 150纳秒
低电荷注入-Q ： - 1 pC的
DG201A / DG202升级
TTL / CMOS兼容的逻辑
单电源供电能力
更少的信号误差和失真
降低电源要求
更快的吞吐量
提高可靠性
减少错误基座
简化改造
简单接口
音频切换
电池供电系统
数据采集
高可靠性系统
采样保持电路
通信系统
自动测试设备
医疗器械
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
应用
功能框图及引脚配置
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
顶视图
6
7
8
11
10
9
S
3
D
3
IN
3
S
4
8
14
S
3
16
15
14
13
12
IN
2
关键
D
2
S
2
V+
NC
NC
GND
S
1
V-
4
5
3
2
1
20
19
18
17
S
2
V+
NC
NC
D
1
IN
1
NC
IN
2
D
2
LCC
6
7
双列直插式和SOIC
DG441
DG441
顶视图
16
15
9
D
4
10
IN
4
11
NC
12
IN
3
13
D
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 70053
S- 71241 -REV 。我， 25军， 07
www.vishay.com
1
DG441
ON
关闭
DG442
关闭
ON
DG441/442
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
包
产品型号
DG441DJ
DG441DJ-E3
DG442DJ
DG442DJ-E3
DG441DY
DG441DY-E3
DG441DY-T1
DG441DY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
DG442DY
DG442DY-E3
DG442DY-T1
DG442DY-T1-E3
16引脚塑料DIP
- 4085 ℃下
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
数字输入
a
, V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
当前，S或D （脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ AK后缀）
（ DJ ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚CERDIP
d
16引脚窄体SOIC
d
LCC-20
d
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
450
900
900
1200
mW
单位
V
mA
°C
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
5 V REG
IN
X
水平
SHIFT /
DRIVE
V-
V+
GND
V-
图1 。
www.vishay.com
2
文档编号： 70053
S- 71241 -REV 。我， 25军， 07
DG441/442
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
双电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
导通电阻之间的匹配
频道
e
V
类似物
r
DS （ ON）
Δr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
Crosstalke （通道 - 通道）
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
e
后缀
- 55至125℃的
温度
b
满
典型值
c
民
d
- 15
50
最大
d
15
85
100
4
5
后缀
- 4085 ℃下
民
d
- 15
最大
d
15
85
100
4
5
- 0.5
-5
- 0.5
-5
- 0.5
- 10
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
单位
V
符号
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
8.5 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
10 V
V+ = 15 V, V– = - 15 V
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
V
IN
被测= 0.8 V，
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V
见图2
C
L
= 1 nF的，V
S
=
0
V
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 50
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
类似物
=
0
V
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
Ω
±
0.01
±
0.01
± 0.08
- 0.5
- 20
- 0.5
- 20
- 0.5
- 40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
I
D（上）
I
IL
I
IH
满
满
- 0.01
0.01
- 500
- 500
500
500
- 500
- 500
500
nA
500
t
ON
DG441
DG442
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
I+
I-
I
GND
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
满
150
90
110
-1
60
100
4
4
16
15
- 0.0001
- 15
250
120
210
250
120
210
pC
dB
ns
pF
100
-1
-5
- 100
-1
-5
- 100
100
A
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
文档编号： 70053
S- 71241 -REV 。我， 25军， 07
www.vishay.com
3
DG441/442
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
对于单电源
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
后缀
- 55至125℃的
温度
b
满
典型值
c
民
d
0
100
最大
d
12
160
200
450
200
后缀
- 4085 ℃下
民
d
0
最大
d
12
160
200
450
200
ns
pC
单位
V
Ω
符号
V
类似物
r
DS （ ON）
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
I
S
= - 10毫安，V
D
=
3
V, 8 V
V+ = 10.8 V
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V
见图2
C
L
= 1nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
Ω
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
满
t
ON
t
关闭
Q
I+
I-
I
GND
300
60
2
15
- 0.0001
- 15
100
-1
- 100
- 100
-1
- 100
- 100
100
A
V+ = 13.2 V, V- = 0 V
V
IN
= 0或5伏
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4
文档编号： 70053
S- 71241 -REV 。我， 25军， 07
DG441/442
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
80
±5V
70
60
125 °C
50
40
30
20
10
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V
D
- 漏极电压（ V）
0 °C
- 40 °C
- 55 °C
85 °C
25 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
80
60
±
8
V
± 10 V
± 12 V
40
± 15 V
± 20 V
20
0
- 20
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
300
V-
= 0 V
r
DS （ ON）
–
漏源导通电阻（ Ω ）
250
V+ = 5 V
200
r
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
120
100
80
60
40
20
0
0
4
8
12
16
20
0
140
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
125 °C
85 °C
150
8V
100
10 V
12 V
15 V
50
20 V
0
V
D
- 漏极电压
(V)
25 °C
- 55 °C
0 °C
- 40 °C
V+ = 12 V
V- = 0 V
2
4
6
8
10
12
r
DS （ ON）
与V
D
性和单极性
电源电压
140
120
100
20
Q（ PC）
（ -dB ）
80
60
关断隔离
40
- 10
20
0
100
1k
10 k
100 k
1M
10 M
V+ = 15 V
V- = - 15 V
参考文献。 10 dBm的
- 20
- 30
- 10
10
0
50
40
相声
30
V
D
- 漏极电压（ V）
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
（单12 V电源）
C
L
= 1 nF的
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V+ = 12 V
V- = 0 V
-5
0
5
10
的F - 频率（Hz）
V
S
- 源极电压（ V）
串扰和关断隔离与频率的关系
电荷注入与源极电压
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S- 71241 -REV 。我， 25军， 07
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5
DG441 ， DG442
Vishay Siliconix公司
四通道SPST CMOS模拟开关
描述
该DG441 ， DG442单片四路模拟开关
旨在提供高速，模拟低误差切换
和音频信号。的DG441有一个常闭
功能。该DG442具有常开功能。
结合低导通电阻（ 50
,
典型值）的高速
(t
ON
150纳秒，典型值）时， DG441 ， DG442 ，非常适合
升级DG201A / 202插槽。电荷注入已
最小化在漏极中的采样和保持电路中使用。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG441 ， DG442是采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅工艺。外延
层防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并阻止输入电压的供给水平时关闭。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
低导通电阻： 50
低泄漏： 80 pA的
低功耗： 0.2毫瓦
快速开关动作 - T的
ON
： 150纳秒
低电荷注入 - 问： - 1 pC的
DG201A / DG202升级
TTL / CMOS兼容的逻辑
单电源供电能力
符合RoHS指令2002/95 / EC
好处
更少的信号误差和失真
降低电源要求
更快的吞吐量
提高可靠性
减少错误基座
简化改造
简单接口
音频切换
电池供电系统
数据采集
高可靠性系统
采样保持电路
通信系统
自动测试设备
医疗器械
应用
功能框图及引脚配置
IN
1
D
1
S
1
V-
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
4
5
顶视图
6
7
8
11
10
9
S
3
D
3
IN
3
S
4
8
14
S
3
16
15
14
13
12
IN
2
关键
D
2
S
2
V+
NC
NC
GND
S
1
V-
4
5
3
2
1
20
19
18
17
S
2
V+
NC
NC
D
1
IN
1
NC
IN
2
D
2
LCC
6
7
双列直插式和SOIC
DG441
DG441
顶视图
16
15
9
D
4
10
IN
4
11
NC
12
IN
3
13
D
3
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
0.8
V
逻辑"1"
2.4
V
文档编号： 70053
S11-1066 -REV 。 ， 30日， 11
DG441
On
关闭
DG442
关闭
On
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1
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG441 ， DG442
Vishay Siliconix公司
订购信息
TEMP 。 RANGE
包
产品型号
DG441DJ
DG441DJ-E3
DG442DJ
DG442DJ-E3
DG441DY
DG441DY-E3
DG441DY-T1
DG441DY-T1-E3
16引脚窄体SOIC
DG442DY
DG442DY-E3
DG442DY-T1
DG442DY-T1-E3
16引脚塑料DIP
- 40 ° C至85°C
绝对最大额定值
参数
V +至V-
GND到V-
数字输入，V
S
, V
D
连续电流（任何终端）
当前，S或D （脉冲在1毫秒， 10 ％占空比）
储存温度
（ AK后缀）
（ DJ ， DY后缀）
16引脚塑料DIP
c
功率耗散（包）
b
16引脚CERDIP
d
16引脚窄体SOIC
d
LCC-20
d
a
极限
44
25
（ V - ） - 2 （V + ）+ 2个
或30毫安，以先到者为准
30
100
- 65 150
- 65 125
450
900
900
1200
单位
V
mA
°C
mW
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/°C， 75°C以上。
。减免12毫瓦/°C， 75°C以上。
原理图
典型CHANNEL
V+
5 V REG
IN
X
水平
SHIFT /
DRIVE
V-
V+
GND
V-
图1 。
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2
文档编号： 70053
S11-1066 -REV 。 ， 30日， 11
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本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
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DG441 ， DG442
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（双电源）
测试条件
除非另有说明
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
导通电阻之间的匹配
频道
e
V
类似物
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
e
关断隔离
e
串扰（通道用于─
频道）
源关断电容
e
流掉电容
e
通道导通电容
e
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
DG441
DG442
I
IL
I
IH
V
IN
被测= 0.8 V，
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
=
±
10 V
见图2
C
L
= 1 nF的，V
S
=
0
V
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
R
L
= 50
,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
类似物
=
0
V
满
满
- 0.01
0.01
- 500
- 500
500
500
- 500
- 500
500
nA
500
I
D（上）
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
8.5 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
10 V
V+ = 15 V, V- = - 15 V
V+ = 16.5, V- = - 16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
50
- 15
15
85
100
4
5
- 15
15
85
100
4
5
- 0.5
-5
- 0.5
-5
- 0.5
- 10
0.5
5
0.5
5
0.5
10
nA
V
符号
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
典型值。
c
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
单位
±
0.01
±
0.01
± 0.08
- 0.5
- 20
- 0.5
- 20
- 0.5
- 40
0.5
20
0.5
20
0.5
40
t
ON
t
关闭
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
I+
I-
I
GND
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
满
房间
满
满
150
90
110
-1
60
100
4
4
16
15
- 0.0001
- 15
250
120
210
250
120
210
pC
ns
dB
pF
100
-1
-5
- 100
-1
-5
- 100
100
A
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
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特定网络阳离子
a
（单电源）
测试条件
除非另有说明
V+ = 12 V, V- = 0 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
地电流
V
类似物
R
DS （ ON）
I
S
= - 10毫安，V
D
=
3
V, 8 V
V+ = 10.8 V
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V
见图2
C
L
= 1nF的，V
根
= 6 V ，R
根
= 0
满
房间
满
房间
房间
房间
满
房间
满
满
100
0
12
160
200
450
200
0
12
160
200
450
200
ns
pC
100
-1
- 100
- 100
-1
- 100
- 100
100
A
V
符号
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
典型值。
c
后缀
后缀
- 55 ° C至125°C - 40 ° C至85°C
分钟。
d
马克斯。
d
分钟。
d
马克斯。
d
单位
t
ON
t
关闭
Q
I+
I-
I
GND
300
60
2
15
- 0.0001
- 15
V+ = 13.2 V, V- = 0 V
V
IN
= 0或5伏
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
100
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
80
70
60
125 °C
50
40
30
20
10
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
V
D
- 排水
电压
(V)
V
D
- 漏极电压（ V）
0 °C
- 40 °C
- 55 °C
85
°C
25 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
80
±5
V
60
±
8V
± 10
V
± 12
V
40
± 15
V
± 20
V
20
0
- 20
R
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
300
V-
= 0 V
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
250
V+ = 5 V
200
120
100
80
60
40
20
0
0
140
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
125 °C
85 °C
25 °C
150
8V
100
10 V
12 V
- 55 °C
0 °C
- 40 °C
V+ = 12 V
V- = 0 V
15 V
20 V
50
0
0
4
8
12
16
20
V
D
- 漏极电压
(V)
2
4
6
8
10
12
V
D
- 漏极电压（ V）
R
DS （ ON）
与V
D
性和单极性
电源电压
140
120
100
20
Q - （ PC）
（ - 分贝）
80
60
关断隔离
40
- 10
20
0
100
1K
10K
100K
1M
10M
V+ = 15 V
V- = - 15 V
参考文献。 10 dBm的
- 20
- 30
- 10
10
0
50
40
相声
30
R
DS （ ON）
与V
D
和温度
（单12 V电源）
C
L
= 1 nF的
V+ = 15 V
V- = - 15 V
V+ = 12 V
V- = 0 V
-5
0
V
S
- 源极电压（ V）
5
10
的F - 频率（Hz）
串扰和关断隔离与频率的关系
电荷注入与源极电压
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