DG485
Vishay Siliconix公司
八通道模拟开关阵列
特点
D
D
D
D
D
D
低导通电阻： 55
W
轨到轨模拟输入范围
串行接口
低功耗-P
D
： 35纳瓦
TTL和CMOS兼容
8 SPST的任意组合
产量
D
高速-T
ON
： 170纳秒
好处
D
低信号失真
D
设备可以链接的系统
扩张
D
减少电路板空间
D
减少开关错误
D
降低电源
需求
D
简单接口
应用
D
音频交换和路由
D
音频电话会议
D
数据采集和工业
过程控制
D
电池供电远程系统
D
汽车电子，航空电子设备和ATE
系统
D
加法放大器
描述
的DG485是一个模拟开关阵列由8个单刀单掷
交换机连接到公共输出端。这个装置可以是
用作串行控制应用的8通道多路转换器。
任何，全部8个开关或无可以在任何关闭
给定的时间。结合低导通电阻（R
DS （ ON）
55
W
， TYP 。 ）
和快速切换（T
ON
： 170纳秒，典型值） ，该DG485是理想
适合于数据采集，过程控制，通信，
和航空电子应用。
串行输出（D
OUT
）允许多个阵列的菊花链
大型系统。
建在日前，Vishay Siliconix公司高压硅栅工艺
该DG485具有广泛的44 V电源电压额定值。一
外延层可以防止闭锁。
控制数据是串行输入到移位寄存器，每个
时钟脉冲。移位寄存器的内容可被锁存输入（经由
LD）在任何点到一个八进制锁存器又控制所有
开关。 RS复位移位寄存器，强制所有锁存输入
低的情况（全部关闭） 。串行输入（D
IN
）和
每个通道的导电性能相同，在两个方向上时，
拦截高达轨到轨电压时关闭。
有关更多信息，请参考应用笔记
AN204.
功能框图及引脚配置
双列直插式
LD
V
L
S
4
S
3
S
2
S
1
V+
D
IN
CLK
RS
GND
D
S
5
S
6
S
7
S
8
V–
D
OUT
S
4
S
3
S
2
S
1
V+
4
5
6
7
8
移位寄存器/锁存器
9
d。在
10 11 12 13
CLK
DOUT
NC
V–
18
17
16
15
14
D
S
5
S
6
S
7
S
8
PLCC与LCC
GND
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
VL
NC
1
RS
LD
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
移位寄存器
锁存器
18
17
16
15
14
13
12
11
10
3
20 19
顶视图
顶视图
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
5-1
DG485
Vishay Siliconix公司
真值表和订购信息
真值表双列直插式封装
RS
1
1
1
0
X
真值表PLCC & LCC封装
LD *
D
n
0
1
D
n
* LD输入电平触发
CLK *
D
IN
0
1
X
X
D
1
0
1
D
1
0
D
n
D
n-1
D
n-1
D
n
（无变化）
0
L
n
0
1
L
n
SW
n
关闭
ON
（无变化）
* CLK输入边沿触发
订购信息
温度范围
-40到85°C
20引脚PLCC
-55到125°C
LCC-20
DG485DN
DG485AZ/883
包
18引脚塑料DIP
产品型号
DG485DJ
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
当前，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AZ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DN后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
18引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
20引脚PLCC ， LCC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免10毫瓦/ _C以上75°C 。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-2
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
DG485
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
三角洲漏源
导通电阻
g
关闭
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V
I
S
= ±5毫安， V
D
=
"10
V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
55
6
0.01
0.1
0.11
–1
–20
–10
–200
–20
–500
1
20
10
200
20
500
–1
–10
–10
–50
–20
–50
1
10
10
50
20
50
–15
15
85
125
–15
15
85
125
V
W
%
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
,
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V
D
=
#15.5
V V
S
=
"15.5
V
15 5 V,
15 5
V" =
"16.5
V V
S
= V
D
=
"15.5
V
一个开关的时间
V" =
"16.5
V, V
S
= V
D
=
"15.5
V
所有开关ON
nA
A
通道上
漏电流
L·K
C
t
I
D（上）
0.2
输入
输入电流
随着V
IN
低
输入电流
随着V
IN
高
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
房间
满
房间
满
–0.0001
0.0001
–1
–5
–1
–5
1
5
1
5
–1
–5
–1
–5
1
5
1
5
mA
串行数据输出
输出电压
随着V
IN
低 - D
OUT
输出电压
随着V
IN
高 - D
OUT
V
OL
V
OH
I
O
= 1.6毫安， V + = 4.5 V
I
O
= –80
毫安，
V+ = 16.5 V
V
L
= 4.75 V
满
满
0.25
4.4
2.7
0.4
2.7
0.4
V
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
数据建立时间
数据保持时间
负载保持时间
复位保持时间
RESET
＆ QUOT ;
时钟
＆ QUOT ;
延迟
电荷注入
关断隔离
e
最大
时钟频率
t
ON
t
关闭
t
DS
参见图4,8
t
DH
t
LH
t
RH
t
的DRc
Q
OIRR
f
CLK
V
S
= 0 V ，C
L
= 1000 pF的
任何一个通道
R
L
= 50
W
, C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
参见图9
参见图5 8
S网络
5,
V
S
=
"10
V
参见图1，图8
V
S
=
"10
V
参见图2 ， 3,8
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
17
–75
10
170
150
40
60
40
60
100
150
100
150
40
60
200
275
200
275
40
60
40
60
100
150
100
150
40
60
pC
dB
兆赫
ns
200
275
200
276
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-3
DG485
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
动态特性（续）
SOURCE OFF
电容
e
流掉电容
e
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
， F = 1MHz的一
通道上
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
中，f = 1 MHz的所有常用信
内尔斯在
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W ,
F = 1 MHz的
,
房间
房间
房间
房间
7
43
53
122
pF
F
ON态电容
e
C
D（上）
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
I
L
I
GND
V+ 16 5 V V
V = 16.5 V, V– = –16.5 V
16 5
V
IN
= 0或5 V ，V
L
= 5.25 V
D
OUT
开放
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
–0.001
0.001
–0.001
–3
–10
–3
–10
3
10
–3
–10
3
10
–3
–10
3
10
3
10
A
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
r
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
民
克。对于每个V ：
Dr
+
D
DS （ ON）
r
AVE
DS （ ON）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
1毫安
100 nA的
10 nA的
GND
电源电流与温度的关系
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–30
–10
10
30
50
70
90
110
130
–20
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
I
POS
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
0.1帕
–50
I
GND
I
负
I
L
"5
V
I+, I–, I
"8
V
"10
V
"12
V
"15
V
"20
V
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
温度（℃）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
V
D
- 漏极电压（ V）
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
5-4
DG485
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与单极性电源电压
400
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
D
- 漏极电压（ V）
8V
10 V
12 V
15 V
20 V
V+ = 5 V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
V– = 0 V
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
–55_C
25_C
125_C
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
CHANNEL ON / OFF漏电流
与模拟电压
60
40
20
I
S（ OFF）
I D ， I S
0
–20
–40
I
D（关闭）
I
D（上）
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
1毫安
100 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
CHANNEL ON / OFF漏电流
与温度的关系
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
V
S
或V
D
= – 14 V
I S ， I D ， I S + D （PA ）
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
–60
–80
–15
–10
–5
0
5
10
15
0.1帕
0.01 pA的
–50
–30
–10
10
30
50
70
90
110
130
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
温度（℃）
开关阈值
- 电源电压和V
L
3.0
5V
6V
2.0
V TH （ V）
V
L
= 7 V
射频特性
–140
–120
–100
OIRR
–80
（ dB）的
X
TALK
2.5
1.5
4V
1.0
–60
–40
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
参见图9，图10
0.5
–20
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
1k
10 k
100 k
的F - 频率（Hz）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
1M
10 M
V +电压（V）
0
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
5-5
DG485
Vishay Siliconix公司
八通道模拟开关阵列
特点
D
D
D
D
D
D
低导通电阻： 55
W
轨到轨模拟输入范围
串行接口
低功耗-P
D
： 35纳瓦
TTL和CMOS兼容
8 SPST的任意组合
产量
D
高速-T
ON
： 170纳秒
好处
D
低信号失真
D
设备可以链接的系统
扩张
D
减少电路板空间
D
减少开关错误
D
降低电源
需求
D
简单接口
应用
D
音频交换和路由
D
音频电话会议
D
数据采集和工业
过程控制
D
电池供电远程系统
D
汽车电子，航空电子设备和ATE
系统
D
加法放大器
描述
的DG485是一个模拟开关阵列由8个单刀单掷
交换机连接到公共输出端。这个装置可以是
用作串行控制应用的8通道多路转换器。
任何，全部8个开关或无可以在任何关闭
给定的时间。结合低导通电阻（R
DS （ ON）
55
W
， TYP 。 ）
和快速切换（T
ON
： 170纳秒，典型值） ，该DG485是理想
适合于数据采集，过程控制，通信，
和航空电子应用。
串行输出（D
OUT
）允许多个阵列的菊花链
大型系统。
建在日前，Vishay Siliconix公司高压硅栅工艺
该DG485具有广泛的44 V电源电压额定值。一
外延层可以防止闭锁。
控制数据是串行输入到移位寄存器，每个
时钟脉冲。移位寄存器的内容可被锁存输入（经由
LD）在任何点到一个八进制锁存器又控制所有
开关。 RS复位移位寄存器，强制所有锁存输入
低的情况（全部关闭） 。串行输入（D
IN
）和
每个通道的导电性能相同，在两个方向上时，
拦截高达轨到轨电压时关闭。
有关更多信息，请参考应用笔记
AN204.
功能框图及引脚配置
双列直插式
LD
V
L
S
4
S
3
S
2
S
1
V+
D
IN
CLK
RS
GND
D
S
5
S
6
S
7
S
8
V–
D
OUT
S
4
S
3
S
2
S
1
V+
4
5
6
7
8
移位寄存器/锁存器
9
d。在
10 11 12 13
CLK
DOUT
NC
V–
18
17
16
15
14
D
S
5
S
6
S
7
S
8
PLCC与LCC
GND
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
VL
NC
1
RS
LD
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
移位寄存器
锁存器
18
17
16
15
14
13
12
11
10
3
20 19
顶视图
顶视图
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
5-1
DG485
Vishay Siliconix公司
真值表和订购信息
真值表双列直插式封装
RS
1
1
1
0
X
真值表PLCC & LCC封装
LD *
D
n
0
1
D
n
* LD输入电平触发
CLK *
D
IN
0
1
X
X
D
1
0
1
D
1
0
D
n
D
n-1
D
n-1
D
n
（无变化）
0
L
n
0
1
L
n
SW
n
关闭
ON
（无变化）
* CLK输入边沿触发
订购信息
温度范围
-40到85°C
20引脚PLCC
-55到125°C
LCC-20
DG485DN
DG485AZ/883
包
18引脚塑料DIP
产品型号
DG485DJ
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
当前，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AZ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DN后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
18引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
20引脚PLCC ， LCC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免10毫瓦/ _C以上75°C 。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-2
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
DG485
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
三角洲漏源
导通电阻
g
关闭
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V
I
S
= ±5毫安， V
D
=
"10
V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
55
6
0.01
0.1
0.11
–1
–20
–10
–200
–20
–500
1
20
10
200
20
500
–1
–10
–10
–50
–20
–50
1
10
10
50
20
50
–15
15
85
125
–15
15
85
125
V
W
%
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
,
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V
D
=
#15.5
V V
S
=
"15.5
V
15 5 V,
15 5
V" =
"16.5
V V
S
= V
D
=
"15.5
V
一个开关的时间
V" =
"16.5
V, V
S
= V
D
=
"15.5
V
所有开关ON
nA
A
通道上
漏电流
L·K
C
t
I
D（上）
0.2
输入
输入电流
随着V
IN
低
输入电流
随着V
IN
高
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
房间
满
房间
满
–0.0001
0.0001
–1
–5
–1
–5
1
5
1
5
–1
–5
–1
–5
1
5
1
5
mA
串行数据输出
输出电压
随着V
IN
低 - D
OUT
输出电压
随着V
IN
高 - D
OUT
V
OL
V
OH
I
O
= 1.6毫安， V + = 4.5 V
I
O
= –80
毫安，
V+ = 16.5 V
V
L
= 4.75 V
满
满
0.25
4.4
2.7
0.4
2.7
0.4
V
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
数据建立时间
数据保持时间
负载保持时间
复位保持时间
RESET
＆ QUOT ;
时钟
＆ QUOT ;
延迟
电荷注入
关断隔离
e
最大
时钟频率
t
ON
t
关闭
t
DS
参见图4,8
t
DH
t
LH
t
RH
t
的DRc
Q
OIRR
f
CLK
V
S
= 0 V ，C
L
= 1000 pF的
任何一个通道
R
L
= 50
W
, C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
参见图9
参见图5 8
S网络
5,
V
S
=
"10
V
参见图1，图8
V
S
=
"10
V
参见图2 ， 3,8
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
17
–75
10
170
150
40
60
40
60
100
150
100
150
40
60
200
275
200
275
40
60
40
60
100
150
100
150
40
60
pC
dB
兆赫
ns
200
275
200
276
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
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S
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5-3
DG485
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
动态特性（续）
SOURCE OFF
电容
e
流掉电容
e
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
， F = 1MHz的一
通道上
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
中，f = 1 MHz的所有常用信
内尔斯在
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W ,
F = 1 MHz的
,
房间
房间
房间
房间
7
43
53
122
pF
F
ON态电容
e
C
D（上）
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
I
L
I
GND
V+ 16 5 V V
V = 16.5 V, V– = –16.5 V
16 5
V
IN
= 0或5 V ，V
L
= 5.25 V
D
OUT
开放
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
–0.001
0.001
–0.001
–3
–10
–3
–10
3
10
–3
–10
3
10
–3
–10
3
10
3
10
A
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
r
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
民
克。对于每个V ：
Dr
+
D
DS （ ON）
r
AVE
DS （ ON）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
1毫安
100 nA的
10 nA的
GND
电源电流与温度的关系
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–30
–10
10
30
50
70
90
110
130
–20
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
I
POS
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
0.1帕
–50
I
GND
I
负
I
L
"5
V
I+, I–, I
"8
V
"10
V
"12
V
"15
V
"20
V
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
温度（℃）
www.vishay.com
S
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V
D
- 漏极电压（ V）
文档编号： 70065
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5-4
DG485
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与单极性电源电压
400
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
D
- 漏极电压（ V）
8V
10 V
12 V
15 V
20 V
V+ = 5 V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
V– = 0 V
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
–55_C
25_C
125_C
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
CHANNEL ON / OFF漏电流
与模拟电压
60
40
20
I
S（ OFF）
I D ， I S
0
–20
–40
I
D（关闭）
I
D（上）
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
1毫安
100 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
CHANNEL ON / OFF漏电流
与温度的关系
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
V
S
或V
D
= – 14 V
I S ， I D ， I S + D （PA ）
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
–60
–80
–15
–10
–5
0
5
10
15
0.1帕
0.01 pA的
–50
–30
–10
10
30
50
70
90
110
130
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
温度（℃）
开关阈值
- 电源电压和V
L
3.0
5V
6V
2.0
V TH （ V）
V
L
= 7 V
射频特性
–140
–120
–100
OIRR
–80
（ dB）的
X
TALK
2.5
1.5
4V
1.0
–60
–40
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
参见图9，图10
0.5
–20
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
1k
10 k
100 k
的F - 频率（Hz）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
1M
10 M
V +电压（V）
0
文档编号： 70065
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5-5
DG485
Vishay Siliconix公司
八通道模拟开关阵列
特点
D
D
D
D
D
D
低导通电阻： 55
W
轨到轨模拟输入范围
串行接口
低功耗-P
D
： 35纳瓦
TTL和CMOS兼容
8 SPST的任意组合
产量
D
高速-T
ON
： 170纳秒
好处
D
低信号失真
D
设备可以链接的系统
扩张
D
减少电路板空间
D
减少开关错误
D
降低电源
需求
D
简单接口
应用
D
音频交换和路由
D
音频电话会议
D
数据采集和工业
过程控制
D
电池供电远程系统
D
汽车电子，航空电子设备和ATE
系统
D
加法放大器
描述
的DG485是一个模拟开关阵列由8个单刀单掷
交换机连接到公共输出端。这个装置可以是
用作串行控制应用的8通道多路转换器。
任何，全部8个开关或无可以在任何关闭
给定的时间。结合低导通电阻（R
DS （ ON）
55
W
， TYP 。 ）
和快速切换（T
ON
： 170纳秒，典型值） ，该DG485是理想
适合于数据采集，过程控制，通信，
和航空电子应用。
串行输出（D
OUT
）允许多个阵列的菊花链
大型系统。
建在日前，Vishay Siliconix公司高压硅栅工艺
该DG485具有广泛的44 V电源电压额定值。一
外延层可以防止闭锁。
控制数据是串行输入到移位寄存器，每个
时钟脉冲。移位寄存器的内容可被锁存输入（经由
LD）在任何点到一个八进制锁存器又控制所有
开关。 RS复位移位寄存器，强制所有锁存输入
低的情况（全部关闭） 。串行输入（D
IN
）和
每个通道的导电性能相同，在两个方向上时，
拦截高达轨到轨电压时关闭。
有关更多信息，请参考应用笔记
AN204.
功能框图及引脚配置
双列直插式
LD
V
L
S
4
S
3
S
2
S
1
V+
D
IN
CLK
RS
GND
D
S
5
S
6
S
7
S
8
V–
D
OUT
S
4
S
3
S
2
S
1
V+
4
5
6
7
8
移位寄存器/锁存器
9
d。在
10 11 12 13
CLK
DOUT
NC
V–
18
17
16
15
14
D
S
5
S
6
S
7
S
8
PLCC与LCC
GND
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
VL
NC
1
RS
LD
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
移位寄存器
锁存器
18
17
16
15
14
13
12
11
10
3
20 19
顶视图
顶视图
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
5-1
DG485
Vishay Siliconix公司
真值表和订购信息
真值表双列直插式封装
RS
1
1
1
0
X
真值表PLCC & LCC封装
LD *
D
n
0
1
D
n
* LD输入电平触发
CLK *
D
IN
0
1
X
X
D
1
0
1
D
1
0
D
n
D
n-1
D
n-1
D
n
（无变化）
0
L
n
0
1
L
n
SW
n
关闭
ON
（无变化）
* CLK输入边沿触发
订购信息
温度范围
-40到85°C
20引脚PLCC
-55到125°C
LCC-20
DG485DN
DG485AZ/883
包
18引脚塑料DIP
产品型号
DG485DJ
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2 V
或30毫安，以先到者为准
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
当前，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
储存温度
（ AZ后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ DJ ， DN后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
18引脚塑料DIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
20引脚PLCC ， LCC
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或
X
超过V +或V-将由内部钳位
二极管。限正向二极管电流最大额定电流。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免6毫瓦/ _C以上75°C 。
。减免10毫瓦/ _C以上75°C 。
www.vishay.com
S
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5-2
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
DG485
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
三角洲漏源
导通电阻
g
关闭
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V
I
S
= ±5毫安， V
D
=
"10
V
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
55
6
0.01
0.1
0.11
–1
–20
–10
–200
–20
–500
1
20
10
200
20
500
–1
–10
–10
–50
–20
–50
1
10
10
50
20
50
–15
15
85
125
–15
15
85
125
V
W
%
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
,
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V
V
D
=
#15.5
V V
S
=
"15.5
V
15 5 V,
15 5
V" =
"16.5
V V
S
= V
D
=
"15.5
V
一个开关的时间
V" =
"16.5
V, V
S
= V
D
=
"15.5
V
所有开关ON
nA
A
通道上
漏电流
L·K
C
t
I
D（上）
0.2
输入
输入电流
随着V
IN
低
输入电流
随着V
IN
高
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
房间
满
房间
满
–0.0001
0.0001
–1
–5
–1
–5
1
5
1
5
–1
–5
–1
–5
1
5
1
5
mA
串行数据输出
输出电压
随着V
IN
低 - D
OUT
输出电压
随着V
IN
高 - D
OUT
V
OL
V
OH
I
O
= 1.6毫安， V + = 4.5 V
I
O
= –80
毫安，
V+ = 16.5 V
V
L
= 4.75 V
满
满
0.25
4.4
2.7
0.4
2.7
0.4
V
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
数据建立时间
数据保持时间
负载保持时间
复位保持时间
RESET
＆ QUOT ;
时钟
＆ QUOT ;
延迟
电荷注入
关断隔离
e
最大
时钟频率
t
ON
t
关闭
t
DS
参见图4,8
t
DH
t
LH
t
RH
t
的DRc
Q
OIRR
f
CLK
V
S
= 0 V ，C
L
= 1000 pF的
任何一个通道
R
L
= 50
W
, C
L
= 5 PF， F = 1兆赫
参见图9
参见图5 8
S网络
5,
V
S
=
"10
V
参见图1，图8
V
S
=
"10
V
参见图2 ， 3,8
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
房间
17
–75
10
170
150
40
60
40
60
100
150
100
150
40
60
200
275
200
275
40
60
40
60
100
150
100
150
40
60
pC
dB
兆赫
ns
200
275
200
276
文档编号： 70065
S- 52433 -REV 。 E， 06 09月99
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5-3
DG485
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
动态特性（续）
SOURCE OFF
电容
e
流掉电容
e
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
， F = 1MHz的一
通道上
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
中，f = 1 MHz的所有常用信
内尔斯在
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W ,
F = 1 MHz的
,
房间
房间
房间
房间
7
43
53
122
pF
F
ON态电容
e
C
D（上）
电源
正电源
当前
负电源
当前
逻辑电源电流
地电流
I+
I–
I
L
I
GND
V+ 16 5 V V
V = 16.5 V, V– = –16.5 V
16 5
V
IN
= 0或5 V ，V
L
= 5.25 V
D
OUT
开放
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.001
–0.001
0.001
–0.001
–3
–10
–3
–10
3
10
–3
–10
3
10
–3
–10
3
10
3
10
A
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
r
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
民
克。对于每个V ：
Dr
+
D
DS （ ON）
r
AVE
DS （ ON）
典型特征（ 25_C除非另有说明）
1毫安
100 nA的
10 nA的
GND
电源电流与温度的关系
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
–30
–10
10
30
50
70
90
110
130
–20
r
DS （ ON）
与V
D
与电源电压
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
I
POS
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
0.1帕
–50
I
GND
I
负
I
L
"5
V
I+, I–, I
"8
V
"10
V
"12
V
"15
V
"20
V
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
温度（℃）
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V
D
- 漏极电压（ V）
文档编号： 70065
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5-4
DG485
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
与单极性电源电压
400
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
D
- 漏极电压（ V）
8V
10 V
12 V
15 V
20 V
V+ = 5 V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
V– = 0 V
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–15
–10
–5
0
5
10
15
V
D
- 漏极电压（ V）
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
I
S
= -5毫安
–55_C
25_C
125_C
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
CHANNEL ON / OFF漏电流
与模拟电压
60
40
20
I
S（ OFF）
I D ， I S
0
–20
–40
I
D（关闭）
I
D（上）
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
1毫安
100 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
10 pA的
1 pA的
CHANNEL ON / OFF漏电流
与温度的关系
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
V
S
或V
D
= – 14 V
I S ， I D ， I S + D （PA ）
I
D（上）
I
S（ OFF）
I
D（关闭）
–60
–80
–15
–10
–5
0
5
10
15
0.1帕
0.01 pA的
–50
–30
–10
10
30
50
70
90
110
130
V
D
或V
S
- 漏极或源极电压（ V）
温度（℃）
开关阈值
- 电源电压和V
L
3.0
5V
6V
2.0
V TH （ V）
V
L
= 7 V
射频特性
–140
–120
–100
OIRR
–80
（ dB）的
X
TALK
2.5
1.5
4V
1.0
–60
–40
V+ = 15 V
V– = –15 V
V
L
= 5 V
参见图9，图10
0.5
–20
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
1k
10 k
100 k
的F - 频率（Hz）
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S
FaxBack 408-970-5600
1M
10 M
V +电压（V）
0
文档编号： 70065
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5-5
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