TetraFET
D1217UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
B
A
C
E
（ 2 PLS ）
K
1
2
3
4
F
G
8
J
典型值。
7
6
5
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
40W - 12.5V - 500MHz的
推 - 拉
特点
简化放大器设计
适用于宽带应用
低C
RSS
D
M
Q
P
I
N
O
H
DD
销1
3脚
5脚
7针
SOURCE （ COMMON ） PIN 2
排水2
引脚4
SOURCE （ COMMON ） 6 PIN
门1
引脚8
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
O
P
Q
mm
9.14
12.70
45°
6.86
0.76
9.78
19.05
4.19
3.17
1.52R
1.65R
16.51
22.86
0.13
6.35
10.77
TOL 。
0.13
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.64
0.13
排水1
SOURCE （ COMMON ）
门2
SOURCE （ COMMON ）
TOL 。
0.005
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.025
0.005
简单的偏置电路
- 低噪声
高增益 - 10分贝最低
英寸
0.360
0.500
45°
0.270
0.030
0.385
0.750
0.165
0.125
0.060R
0.065R
0.650
0.900
0.005
0.250
0.424
应用
HF / VHF / UHF通信
从1MHz到500MHz的
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
Semelab PLC 。
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
175W
40V
±20V
20A
-65 ℃150℃
200°C
预赛。 9/00
D1217UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 40W
V
DS
= 12.5V
F = 400MHz的
I
DQ
= 1.6A
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 2A
1
1.6
10
50
20:1
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
2
1
5.5
mA
m
A
V
S
dB
%
—
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
设备总
h
VSWR负载不匹配公差
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
每面
V
DS
= 0V
120
80
8
pF
pF
pF
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
m
S，占空比
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 1.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 9/00
TetraFET
D1217UK
金属闸极射频硅场效应管
机械数据
B
A
C
E
（ 2 PLS ）
K
1
2
3
4
F
G
8
J
典型值。
7
6
5
黄金金属化
多用途硅
DMOS射频场效应管
40W - 12.5V - 500MHz的
推 - 拉
特点
简化放大器设计
适用于宽带应用
低C
RSS
D
M
Q
P
I
N
O
H
DD
销1
3脚
5脚
7针
SOURCE （ COMMON ） PIN 2
排水2
引脚4
SOURCE （ COMMON ） 6 PIN
门1
引脚8
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
M
N
O
P
Q
mm
9.14
12.70
45°
6.86
0.76
9.78
19.05
4.19
3.17
1.52R
1.65R
16.51
22.86
0.13
6.35
10.77
TOL 。
0.13
0.13
5°
0.13
0.13
0.13
0.25
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.02
0.64
0.13
排水1
SOURCE （ COMMON ）
门2
SOURCE （ COMMON ）
TOL 。
0.005
0.005
5°
0.005
0.005
0.005
0.010
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.001
0.025
0.005
简单的偏置电路
- 低噪声
高增益 - 10分贝最低
英寸
0.360
0.500
45°
0.270
0.030
0.385
0.750
0.165
0.125
0.060R
0.065R
0.650
0.900
0.005
0.250
0.424
应用
HF / VHF / UHF通信
从1MHz到500MHz的
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
P
D
BV
DSS
BV
GSS
I
D（坐）
T
英镑
T
j
Semelab PLC 。
功耗
漏极 - 源极击穿电压
门 - 源极击穿电压
漏电流
储存温度
最大工作结温
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
175W
40V
±20V
20A
-65 ℃150℃
200°C
预赛。 9/00
D1217UK
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
每面
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
g
fs
G
PS
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流
栅极漏电流
正向跨导*
共源功率增益
漏EF网络效率
V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V
V
GS
= 20V
I
D
= 10毫安
V
DS
= 10V
P
O
= 40W
V
DS
= 12.5V
F = 400MHz的
I
DQ
= 1.6A
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 2A
1
1.6
10
50
20:1
V
GS
= -5V F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
40
典型值。
MAX 。 UNIT
V
2
1
5.5
mA
m
A
V
S
dB
%
—
V
GS （ TH）
栅极阈值电压*
设备总
h
VSWR负载不匹配公差
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
每面
V
DS
= 0V
120
80
8
pF
pF
pF
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
V
DS
= 12.5V V
GS
= 0
*脉冲测试：
脉冲持续时间= 300
m
S，占空比
2%
有害材料警告
引线和金属凸缘之间的装置的陶瓷部是氧化铍。氧化铍粉尘是非常
毒性和治疗必须处理和安装，以避免损坏该区域期间服用。
这些设备必须永远不会被抛弃与一般工业和生活废弃物。
热数据
R
THJ情况
热阻结 - 壳
马克斯。 1.0 ° C / W
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
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