CY7C199C
32K x 8静态RAM
特点
快速存取时间： 12纳秒， 15纳秒， 20纳秒，和25纳秒
宽电压范围： 5.0V ± 10 ％ （ 4.5V至5.5V ）
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
提供28 DIP ， 28 SOJ ，和28 TSOP I.
2.0V数据保留
CMOS低待机功耗
取消时自动断电
概述
1
该CY7C199C是一个高性能的CMOS异步
SRAM的8位，它支持一个组织为32K
异步存储器接口。该器件具有一个
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
见真情表中将该数据资料的完整
读写模式的描述。
该CY7C199C提供28 DIP ， 28 SOJ ，和28 TSOP
我包（ S） 。
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
RAM阵列
检测放大器
I /牛
CE
列解码器
动力
下
电路
WE
OE
A
X
X
产品组合
12纳秒
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
（低功耗）
12
85
500
15纳秒
15
80
500
20纳秒
20
75
500
25纳秒
25
75
500
单位
ns
mA
uA
注意事项：
1.对于最佳实践的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05408修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年9月11日
CY7C199C
引脚布局与规格
28 DIP （ 6.9× 35.6 ×3.5 MM） - P21
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 TSOP I（ 8× 13.4 ×1.2 MM） - Z28
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
V
SS
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
文件编号： 38-05408修订版**
第12页2
CY7C199C
引脚布局与规格
（续）
28 SOJ （ 8 ×18× 3.5毫米）的 - V21
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
引脚说明
针
A
X
TYPE
输入
地址输入。
描述
DIP
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
8, 9, 10, 21, 23,
24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15,
16, 17, 18, 19
22
28
14
27
SOJ
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
8, 9, 10, 21, 23,
24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15,
16, 17, 18, 19
22
28
14
27
TSOP I
2, 3, 4, 5, 8, 9,
10, 11, 12, 13,
14, 15, 16, 17,
28
27
18, 19, 20, 22,
23, 24, 25, 26
1
7
21
6
CE
I / O
X
OE
V
CC
V
SS
WE
控制
输入或
产量
控制
供应
供应
控制
芯片使能。
数据输入/输出。
输出使能。
电源（ 5.0V ） 。
地面上。
写使能。
真值表
CE
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
I /牛
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
模式
取消/省电
读
写
选择输出禁用
动力
待机（我
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
文件编号： 38-05408修订版**
第12页3
CY7C199C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
参数
T
英镑
T
AMB
V
CC
V
IN
, V
OUT
I
OUT
V
ESD
I
LU
储存温度
环境温度与功耗应用（如外壳温度）
内核电源电压相对于V
SS
直流电压应用到任何引脚相对于V
SS
输出短路电流
静电放电电压（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流
描述
价值
-65到+150
-55到+125
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
＆ GT ; 2001年
＆ GT ; 200
单位
°C
°C
V
V
mA
V
mA
工作范围
范围
广告
产业
环境温度（T
A
)
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
电压范围（Ⅴ
CC
)
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
DC电气特性
在工作范围（ -12 ， -15 ）
2
12纳秒
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB1
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前TTL输入
自动CE
掉电
当前的CMOS
输入
输出漏
当前
输入负载电流
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
=
1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
, V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
GND
≤
Vi
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
Vi
≤
V
CC
条件
动力
–
–
–
–
–
–
L
–
L
–
–
分钟。
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
85
30
10
10
500
+5
+5
15纳秒
分钟。
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
80
30
10
10
500
+5
+5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
I
SB2
I
OZ
I
IX
DC电气特性
在工作范围（ -20 ， -25 ）
3
20纳秒
参数
V
IH
描述
输入高电压
条件
动力
–
民
2.2
最大
V
CC
+
0.3
0.8
–
0.4
25纳秒
民
2.2
最大
V
CC
+
0.3
0.8
–
0.4
单位
V
V
IL
V
OH
V
OL
输入低电压
输出高电压
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
–
–
–
–0.5
2.4
–
–0.5
2.4
–
V
V
V
注意事项：
2. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05408修订版**
第12页4
CY7C199C
20纳秒
参数
I
CC
I
SB1
描述
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前TTL输入
自动CE
掉电
当前的CMOS
输入
输出漏
当前
输入负载电流
条件
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
=
1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
, V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
GND
≤
Vi
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
Vi
≤
V
CC
动力
–
–
L
–
L
–
–
民
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
75
30
10
10
500
+5
+5
25纳秒
民
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
75
30
10
10
500
+5
+5
单位
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
I
SB2
I
OZ
I
IX
电容
4
最大
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25 ，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
ALL - 套餐
8
8
单位
pF
AC测试负载
输出负载
R1
V
CC
V
CC
产量
C1
R2
输出负载
对于T
HZOE
, t
HZCE
＆放大器;牛逼
HZWE
R3
C2
R4
(A)*
(B)*
戴维南等效
所有的输入脉冲
V
CC
90%
90%
产量
R
th
V
T
V
SS
10%
10%
上升时间
1 V / ns的
下降时间
1 V / ns的
*包括范围和夹具电容
注意事项：
4.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
文件编号： 38-05408修订版**
第12页5
CY7C199C
32K x 8静态RAM
特点
快速存取时间： 12纳秒， 15纳秒， 20纳秒，和25纳秒
宽电压范围： 5.0V ± 10 ％ （ 4.5V至5.5V ）
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
提供28 DIP ， 28 SOJ ，和28 TSOP I.
2.0V数据保留
CMOS低待机功耗
取消时自动断电
概述
1
该CY7C199C是一个高性能的CMOS异步
SRAM的8位，它支持一个组织为32K
异步存储器接口。该器件具有一个
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
见真情表中将该数据资料的完整
读写模式的描述。
该CY7C199C提供28 DIP ， 28 SOJ ，和28 TSOP
我包（ S） 。
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
RAM阵列
检测放大器
I /牛
CE
列解码器
动力
下
电路
WE
OE
A
X
X
产品组合
12纳秒
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
（低功耗）
12
85
500
15纳秒
15
80
500
20纳秒
20
75
500
25纳秒
25
75
500
单位
ns
mA
uA
注意事项：
1.对于最佳实践的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
在www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05408修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年9月11日
CY7C199C
引脚布局与规格
28 DIP （ 6.9× 35.6 ×3.5 MM） - P21
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 TSOP I（ 8× 13.4 ×1.2 MM） - Z28
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
V
SS
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
文件编号： 38-05408修订版**
第12页2
CY7C199C
引脚布局与规格
（续）
28 SOJ （ 8 ×18× 3.5毫米）的 - V21
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
引脚说明
针
A
X
TYPE
输入
地址输入。
描述
DIP
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
8, 9, 10, 21, 23,
24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15,
16, 17, 18, 19
22
28
14
27
SOJ
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
8, 9, 10, 21, 23,
24, 25, 26
20
11, 12, 13, 15,
16, 17, 18, 19
22
28
14
27
TSOP I
2, 3, 4, 5, 8, 9,
10, 11, 12, 13,
14, 15, 16, 17,
28
27
18, 19, 20, 22,
23, 24, 25, 26
1
7
21
6
CE
I / O
X
OE
V
CC
V
SS
WE
控制
输入或
产量
控制
供应
供应
控制
芯片使能。
数据输入/输出。
输出使能。
电源（ 5.0V ） 。
地面上。
写使能。
真值表
CE
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
I /牛
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
模式
取消/省电
读
写
选择输出禁用
动力
待机（我
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
文件编号： 38-05408修订版**
第12页3
CY7C199C
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
参数
T
英镑
T
AMB
V
CC
V
IN
, V
OUT
I
OUT
V
ESD
I
LU
储存温度
环境温度与功耗应用（如外壳温度）
内核电源电压相对于V
SS
直流电压应用到任何引脚相对于V
SS
输出短路电流
静电放电电压（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流
描述
价值
-65到+150
-55到+125
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
20
＆ GT ; 2001年
＆ GT ; 200
单位
°C
°C
V
V
mA
V
mA
工作范围
范围
广告
产业
环境温度（T
A
)
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
电压范围（Ⅴ
CC
)
5.0V ± 10%
5.0V ± 10%
DC电气特性
在工作范围（ -12 ， -15 ）
2
12纳秒
参数
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
CC
I
SB1
描述
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前TTL输入
自动CE
掉电
当前的CMOS
输入
输出漏
当前
输入负载电流
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
=
1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
, V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
GND
≤
Vi
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
Vi
≤
V
CC
条件
动力
–
–
–
–
–
–
L
–
L
–
–
分钟。
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
85
30
10
10
500
+5
+5
15纳秒
分钟。
2.2
–0.5
2.4
–
–
–
–
–
–
–5
–5
马克斯。
V
CC
+ 0.3
0.8
–
0.4
80
30
10
10
500
+5
+5
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
I
SB2
I
OZ
I
IX
DC电气特性
在工作范围（ -20 ， -25 ）
3
20纳秒
参数
V
IH
描述
输入高电压
条件
动力
–
民
2.2
最大
V
CC
+
0.3
0.8
–
0.4
25纳秒
民
2.2
最大
V
CC
+
0.3
0.8
–
0.4
单位
V
V
IL
V
OH
V
OL
输入低电压
输出高电压
输出低电压
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
–
–
–
–0.5
2.4
–
–0.5
2.4
–
V
V
V
注意事项：
2. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05408修订版**
第12页4
CY7C199C
20纳秒
参数
I
CC
I
SB1
描述
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前TTL输入
自动CE
掉电
当前的CMOS
输入
输出漏
当前
输入负载电流
条件
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
=
1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
, V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = F
最大
最大。 V
CC
，CE
≥
V
CC
– 0.3V, V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
GND
≤
Vi
≤
V
CC
，输出禁用
GND
≤
Vi
≤
V
CC
动力
–
–
L
–
L
–
–
民
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
75
30
10
10
500
+5
+5
25纳秒
民
–
–
–
–
–
–5
–5
最大
75
30
10
10
500
+5
+5
单位
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
I
SB2
I
OZ
I
IX
电容
4
最大
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25 ，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
ALL - 套餐
8
8
单位
pF
AC测试负载
输出负载
R1
V
CC
V
CC
产量
C1
R2
输出负载
对于T
HZOE
, t
HZCE
＆放大器;牛逼
HZWE
R3
C2
R4
(A)*
(B)*
戴维南等效
所有的输入脉冲
V
CC
90%
90%
产量
R
th
V
T
V
SS
10%
10%
上升时间
1 V / ns的
下降时间
1 V / ns的
*包括范围和夹具电容
注意事项：
4.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
文件编号： 38-05408修订版**
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