CSD75205W1015

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SLPS222 - 2009年10月

P通道NexFET功率MOSFET

1

特点

双P沟道MOSFET的

常见源配置

小尺寸1毫米× 1.5毫米

栅源电压钳

门ESD保护-3kV

无铅

符合RoHS

无卤

表1.产品概要

V

DS

Q

g

Q

gd

R

DS （ ON）

漏源极电压

栅极电荷总数（ -4.5V ）

栅极电荷栅漏

–20

1.6

0.4

V

GS

= –1.8V

漏极至源极导通电阻

V

GS

= –2.5V

V

GS

= –4.5V

V

GS

= -1.8V

R

D1D2(on)

V

GS （ TH）

排水地漏导通电阻

V

GS

= -2.5V

V

GS

= -4.5V

阈值电压

–0.65

145

115

95

245

180

140

V

nC

nC

m

m

m

m

m

m

V

应用

电池管理

负荷开关

电池保护

订购信息

设备

CSD75205W1015

包

1-mm × 1.5-mm

晶圆级封装

媒体

7-Inch

REEL

数量

3000

船

磁带和

REEL

描述

该设备被设计成提供最低

导通电阻和栅极电荷在最小的轮廓

可以用在一个优良的热特性

超低轮廓。低导通电阻再加上

小尺寸和低姿态使该器件非常适用

对于电池供电的空间受限的应用。

顶视图

绝对最大额定值

T

A

= 25 ° C除非另有说明

V

DS

V

GS

漏源极电压

栅极至源极电压

连续漏极至源极电流，

T

C

= 25°C

(1)

脉冲漏极至源极电流，

T

C

= 25°C

(2)

连续源引脚电流

脉冲源引脚电流

(2)

价值

–20

-6

–1.2

-9.6

-2.3

-30

-0.5

-7

0.75

-55到150

单位

V

V

A

A

A

A

A

A

W

°C

I

DS

I

S

I

G

P

D

T

J

,

T

英镑

P0099-01

连续栅钳位电流

门脉冲钳位电流

功耗

(1)

工作结存储

温度范围

(2)

(1)

(2)

每台设备，双方在传导

脉冲持续时间为10μs ，占空比

≤2%

R

DS （ ON）

VS V

GS

R

D1D2(on)

- 导通状态电阻 - 毫瓦

500

R

DS （ ON）

- 导通状态电阻 - mΩ的

450

400

350

300

250

200

150

100

50

0

0

1

2

3

4

5

6

G006

R

D1D2(on)

VS V

GS

500

450

400

350

300

250

200

150

100

50

0

0

1

2

3

4

5

6

G013

I

D

= -1A

I

D1D2

= -1A

T

J

= 25

°

C

T

J

= 125

°

C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

-V

GS

- 栅极至源极电压 - V

-V

GS

- 栅极至源极电压 - V

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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电气特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

静态特性

BV

DSS

BV

GSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

漏源极电压

栅极至源极电压

漏极至源极漏电流

门源漏电流

门源阈值电压

漏极至源极导通电阻

V

GS

= 0V时，我

DS

= –250μA

V

DS

= 0V时，我

G

= -250μA

V

GS

= 0V, V

DS

= –16V

V

DS

= 0V, V

GS

= -6V

V

DS

= V

GS

, I

DS

= –250μA

V

GS

= -1.8V ，我

D

= –1A

V

GS

= -2.5V ，我

D

= –1A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= –1A

V

GS

= -1.8V ，我

D1D2

= –1A

R

D1D2(on)

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gd

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

Q

rr

t

rr

源极到漏极导通电阻

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷总数（ -4.5V ）

栅极电荷 - 栅漏

栅极电荷 - 门源

栅极电荷在Vth的

输出充电

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

反向恢复电荷

反向恢复时间

I

DS

= -1A ，V

GS

= 0V

V

dd

= -10.25V ，我

F

= -1A ，的di / dt = 200A / μs的

V

dd

= -10.25V ，我

F

= -1A ，的di / dt = 200A / μs的

V

DS

= –10V, V

GS

= –4.5V,

I

DS

= -1A ，R

G

= 10

V

DS

= –10.25V, V

GS

= 0V

V

DS

= –10V,

I

DS

= –1A

V

GS

= 0V, V

DS

= –10V,

F = 1MHz的

V

GS

= -2.5V ，我

D1D2

= –1A

V

GS

= -4.5V ，我

D1D2

= –1A

V

DS

= -10V ，我

D

= –1A

动态特性

205

80

25

1.6

0.4

0.3

0.12

1.5

6.3

5.3

32

17

–0.75

5.7

15.7

–1

265

105

33

2.2

pF

pF

pF

nC

nC

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

V

nC

ns

–0.45

–0.65

145

115

95

245

180

140

5

–20

-6.1

-7.2

–1

–100

–0.85

180

145

120

305

225

175

V

V

μA

nA

V

m

m

m

m

m

m

S

测试条件

民

典型值

最大

单位

二极管的特性

热特性

T

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

R

θJA

(1)

(2)

(3)

热阻结到环境

(1)

热阻结到环境

(2)

(2)

(3)

民

典型值

最大

212

119

单位

° C / W

° C / W

设备安装在FR4材料与铜的最小安装面积

测量偏置在平行状态这两个设备。

设备安装在FR4材料1英寸

2

(6.45-cm

2

） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。

2

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为0x1 。 CSP TTA MAX修订版1

5

P-陈1 。

为0x1 。 CSP TTA MIN修订版1

5

P-陈1 。

最大

θJA

= 119 ° C / W

当安装在

1英寸

2

（ 6.45厘米

2

）的

2盎司（ 0.071毫米厚）

铜。

最大

θJA

= 212 ° C / W

当安装在

最小焊盘面积

2盎司（ 0.071毫米厚）

铜。

M0155-01

M0156-01

典型MOSFET的特性

图是每MOSFET在T

A

= 25 ℃，除非另有说明。排水地漏测量与两个MOSFET做

在一系列（共源配置） 。

10

Z

qJA

- NormalizedThermal阻抗

1

0.5

0.3

0.1

0.1

0.05

0.01

0.02

0.01

占空比= T

1

/t

2

P

t

1

t

2

0.001

单脉冲

0.0001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t

P

- 脉冲持续时间-S

1

典型

q

JA

= 169 ℃/ W（分铜）

T

J

= P X Z

q

JA个R

q

JAJ

10

100

1k

o

G012

图1.瞬态热阻抗

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3

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典型MOSFET的特性（续）

图是每MOSFET在T

A

= 25 ℃，除非另有说明。排水地漏测量与两个MOSFET做

在一系列（共源配置） 。

5.0

4.5

V

GS

= -4.5V

5.0

4.5

V

DS

= 5V

-I

D

- 漏电流 - 一个

-I

D

- 漏电流 - 一个

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

G001

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

0.5

0.75

1

1.25

1.5

T

J

= 25

°

C

T

J

= -55

°

C

T

J

= 125

°

C

V

GS

= -2.5V

V

GS

= -2V

V

GS

= -1.8V

V

GS

= -1.5V

1.75

2

G002

-V

DS

- 漏极至源极电压 - V

-V

GS

- 栅极至源极电压 - V

图2.饱和特性

6

5

4

3

2

1

0

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

2

G003

图3.传输特性

250

-V

GS

- 栅极电压 - V

I

D

= -1A

V

DS

= -10V

225

F = 1MHz的

V

GS

= 0V

- 电容 - nF的

200

175

150

125

100

75

50

25

0

0

5

10

15

20

G004

C

国际空间站

= C

GD

+ C

GS

C

OSS

= C

DS

+ C

GD

C

RSS

= C

GD

QG - 栅极电荷 - 数控

-V

DS

- 漏极至源极电压 - V

图4.栅极电荷

500

450

400

350

300

250

200

150

100

50

0

0

1

图5.电容

R

D1D2(on)

- 导通状态电阻 - 毫瓦

500

R

DS （ ON）

- 导通状态电阻 - mΩ的

450

400

350

300

250

200

150

100

50

0

0

1

2

3

4

5

6

G006

I

D

= -1A

I

D1D2

= -1A

T

J

= 25

°

C

T

J

= 125

°

C

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

2

3

4

5

6

G013

-V

GS

- 栅极至源极电压 - V

-V

GS

- 栅极至源极电压 - V

图6.导通电阻与栅极电压

图7.导通电阻与栅极电压

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典型MOSFET的特性（续）

图是每MOSFET在T

A

= 25 ℃，除非另有说明。排水地漏测量与两个MOSFET做

在一系列（共源配置） 。

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

75

25

25

75

125

175

G007

10

-I

SD

- 源极到漏极电流 - 一个

归一化通态电阻

I

D1D2

= -1A

V

GS

= -4.5V

1

T

J

= 125

°

C

0.1

T

J

= 25

°

C

0.01

0.001

0.0001

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

G008

T

J

- 结温 -

°

C

-V

SD

- 源极到漏极电压 - V

图8.归通态电阻与温度

1.8

1.6

图9.典型的二极管正向电压

100

-I

D

- 漏电流 - 一个

10

1ms

-I

D

- 漏电流 - 一个

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1

10ms

0.1

区有限公司

由R

DS （ ON）

单脉冲

典型

qJA

= 169

°

C / W （分铜）

100ms

DC

0.01

0.01

1

10

100

G009

0.0

50

25

0

25

50

75

100

125

150

175

G011

-V

DS

- 漏极电压 - V

T

J

- 结温 -

°

C

图10.最大安全工作区

1.0

图11.最大漏极电流与温度的关系

-V

GS （ TH）

- 阈值电压 - V

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.4

0.2

0.1

0.0

75

25

25

75

I

D

= -250

m

A

125

175

G005

T

J

- 结温 -

°

C

图12.阈值电压随温度的变化

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5