初步
CY7C197D
256K （ 256K ×1）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C197B
高速
— t
AA
= 10纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
TTL兼容的输入和输出
数据保持在2.0V
自动断电时取消
提供无铅封装
功能说明
[1]
该CY7C197D是一个高性能的CMOS静态RAM
由1位组织为256K字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE）和三态提供
驱动程序。该CY7C197D具有自动断电
特性，降低了功耗取消时。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（四
IN
）被写入到存储器位置指定上
地址引脚（A
0
至A
17
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE）低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下的存储器位置的内容指定
上的地址引脚会出现在数据输出（D
OUT
）引脚。
输出引脚保持在高阻抗状态，当芯片
使能（CE ）为高电平或写使能（WE ）是低电压。
该CY7C197D是标准的24引脚DIP和SOJ可用
无铅封装。
逻辑框图
DI
销刀豆网络gurations
DIP / SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
1
24
2
23
22
3
4
21
5
20
7C197D
19
6
18
7
8
17
9
16
10
15
14
11
12
13
V
CC
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
D
IN
CE
输入缓冲器
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
行解码器
1024 x 256
ARRAY
检测放大器
DO
COLUMN
解码器
动力
下
CE
D
OUT
WE
GND
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
WE
选购指南
CY7C197D-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
10
60
3
CY7C197D-12
12
50
3
CY7C197D-15
15
40
3
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05458牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年1月11日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65
°
C至+150
°
C
环境温度与
电源应用................................................ ..- 55
°
C至+ 125
°
C
电源电压对地电位
（引脚24至引脚12） ........................................... ......- 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
CY7C197D
直流输入电压
[2]
.................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
40°C
至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C197D-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
0.5
1
1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+1
300
60
10
3
2.0
0.5
1
1
马克斯。
7C197D-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
300
50
10
3
7C197D-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
0.5
1
1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+1
300
40
10
3
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
输出短路电流
[3]
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
输出短路电流
[3]
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05458牧师* C
第2页8
初步
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[4]
热阻
（结点到外壳）
[4]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
CY7C197D
全包
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
10 ns的设备
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12，15 -ns设备
Z = 50
所有的输入脉冲
3.0V
10%
＆ LT ;吨
r
R1 480
高阻抗特性：
R1 480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
90%
90%
10%
＆ LT ;吨
r
30 pF的*
GND
(a)
相当于：
戴维南等效
167
产量
1.73V
5V
产量
(b)
(c)
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C197D-10
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
SCE
t
HA
t
SA
t
WC
t
AW
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[8]
CE高来高
Z
[8, 9]
0
10
8
0
0
10
7
9
0
0
12
9
CE为低电时
CE高到掉电
CE低到写结束
从写端地址保持
地址建立到开始写
写周期时间
地址建立撰写完
3
5
0
12
10
0
0
15
10
3
10
3
5
0
15
100
10
10
3
12
3
7
100
12
12
3
15
100
15
15
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C197D-12
分钟。
马克斯。
7C197D-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10]
注意事项：
5. t
r
= < 3ns的所有速度。
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZCE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的是在交流测试负载和波形（b）部分。过渡测
±200
毫伏从稳态电压。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05458牧师* C
第3页8
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