超低VF低IR SMD肖特基势垒整流器
CDBB120SLR -HF直通。 CDBB160SLR -HF
反向电压: 2060伏特
正向电流: 1.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
- 低型材表面贴装应用
为了优化电路板空间。
- 低功耗,高效率。
-Hight电流能力,低正向电压降。
-Hight浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 超高速开关。
- 硅平面外延片,金属硅交界处。
0.189 (4.80)
0.157 (4.00)
0.012 (0.31)
马克斯。
0.098 (2.50)
0.083 (2.10)
DO- 214AA ( SMB )
0.087 (2.20)
0.075 (1.90)
0.157 (4.00)
0.130 (3.30)
机械数据
- 环氧: UL94 -V0率阻燃。
-Case :模压塑料, DO- 214AA / SMB
-Terminals :每MIL -STD- 750可焊性,
方法2026 。
-Polarity :由阴极频带指示。
- 重量: 0.091克
0.063 (1.60)
0.028 (0.70)
0.008(0.21)
马克斯。
0.220 (5.60)
0.197 (5.00)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在Ta = 25°C等级,除非另有说明。
单相半波,60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
参数
马克斯。重复峰值反向电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。 RMS电压
马克斯。瞬时正向电压@
1.0A ,T
A
=25°C
工作温度
符号
V
RRM
V
DC
V
RMS
V
F
T
J
CDBB120SLR-HF
20
20
14
0.35
CDBB140SLR-HF
40
40
28
0.40
-50至+150
CDBB160SLR-HF
60
60
42
0.50
单位
V
V
V
V
°C
参数
正向整流电流
正向浪涌电流
反向电流
见图1
条件
符号
I
O
I
FSM
I
R
I
R
R
θJA
C
J
T
英镑
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
30
0.5
20
单位
A
A
mA
mA
° C / W
pF
8.3ms单半正弦波叠加
在负荷率( JEDEC的方法)
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
热阻
结到环境
88
120
-50
+150
二极管的结电容F = 1MH
Z
和应用4V直流反接电压
储存温度
°C
REV : B
QW-JL013
第1页
COMCHIP科技有限公司。
超低VF低IR SMD肖特基势垒整流器
额定值和特性曲线( CDBB120SLR -HF直通。 CDBB160SLR -HF )
Fig.1-典型正向电流
降额曲线
瞬时正向电流( A)
平均正向电流( A)
50
10
FIG.2-典型正向特性
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
SL
R
-H
F
~C
D
BB
14
0S
LR
D
BB
12
0
C
D
BB
16
0S
C
LR
-H
T
J
=25°C
脉宽300US
1 %占空比
1.0
0.1
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
F
-H
F
1.1
1.3
1.5
环境温度, (℃)
正向电压( V)
FIG.3-最大非重复正向
浪涌电流
30
FIG.4-典型结电容
350
300
250
200
150
100
50
0
0.01
峰值正向浪涌电流( A)
T
J
=25 C
8.3ms单半正弦
波, JEDEC的方法
O
24
18
12
6
0
1
10
100
结电容(PF )
0.1
1
10
100
循环次数在60Hz
反向电压, (V)的
FIG.5-典型的反向特性
100
反向漏电流(毫安)
10
1.0
T
J
=125°C
0.1
T
J
=25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压的百分比( % )
REV : B
QW-JL013
第2页
COMCHIP科技有限公司。