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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第250页 > CY14B104M-ZSP25XIT
CY14B104K ， CY14B104M
4兆位（ 512 K＆times 256分之8 K＆times 16 ）的nvSRAM
带实时时钟
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44引脚和54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为512K的× 8 （ CY14B104K ）或256千× 16
(CY14B104M)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM是由软件或上电启动
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
赛普拉斯的nvSRAM中的数据完整性与功能齐全的结合
实时时钟（RTC）
功能说明
赛普拉斯CY14B104K和CY14B104M结合了4兆位
非易失性静态RAM （的nvSRAM ）与全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM中被读出并
书面无限的次数，而独立的非易失性
数据保存在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的，高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
Quatrum
陷阱
2048 X 2048
V
CC
V
CA
P
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048
商店
召回
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
存储/调用
控制
软件
检测
HSB
A
14
- A
2
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
18
- A
0
OE
WE
COLUMN DEC
CE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BLE
BHE
笔记
1.地址
0
- A
18
为× 8配置和地址
0
- A
17
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07103修订版* S
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月21日
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
目录
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
五金店（ HSB ）操作................................. 5
硬件RECALL （上电） ....................................... 5
软件商店................................................ ............... 5
软件RECALL ................................................ ............. 5
防止自动存储................................................ 6 .......
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
实时时钟运行.............................................. 7
nvTIME操作................................................ 7 .......
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 8
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
................................................最佳实践................. 15
最大额定值................................................ ........... 16
经营范围................................................ ............. 16
直流电气特性........................................ 16
数据保留和耐力..................................... 17
电容................................................. ................... 17
热阻................................................ ........ 17
AC测试条件............................................... ......... 17
RTC特征................................................ ....... 18
AC开关特性....................................... 19
SRAM读周期............................................... ..... 19
SRAM写周期............................................... ...... 19
开关波形................................................ .... 21
自动存储/上电RECALL ....................................... 22
开关波形................................................ .... 22
软件控制的存储和调用循环........ 23
五金店周期............................................... 24 ..
真值表SRAM操作................................ 25
对于X8配置............................................... ... 25
对于x16配置............................................... 25
订购信息................................................ ...... 26
订购代码定义........................................... 26
包图................................................ .......... 27
与缩略语................................................. ....................... 28
文档约定............................................. 28
计量单位............................................... ........ 28
文档历史记录页............................................... .. 29
销售，解决方案和法律信息...................... 33
全球销售和设计支持....................... 33
产品................................................. ................... 33
的PSoC解决方案................................................ ......... 33
文件编号： 001-07103修订版* S
第33 2
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X
OUT
X
in
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
[4]
NC
44 - TSOP II
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
X
OUT
X
in
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
A
17
A
16
V
RTCcap
V
RTCbat
表1.引脚定义
引脚名称
A
0
– A
18
A
0
– A
17
DQ
0
？ DQ
7
DQ
0
？ DQ
15
I / O类型
输入
描述
地址输入。用于选择的524288字节的nvSRAM对于x8的配置之一。
地址输入。用于选择262,144字的nvSRAM对于x16的配置之一。
输入/输出双向数据I / O线为× 8配置。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据的I / × 16配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。当选定低时，在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
- DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
- DQ
0
.
水晶连接。驱动器在启动时结晶。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
笔记
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-07103修订版* S
第33 3
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
表1.引脚定义
（续）
引脚名称
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
产量
地
描述
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后，
与软件商店运营， HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
设备操作
该CY14B104K / CY14B104M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （在
RECALL操作） 。使用这种独特的架构，所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B104K / CY14B104M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达百万店铺运营
操作。见
真值表的SRAM操作
在页
25，用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B104K / CY14B104M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是：
五金店，由HSB激活;软件商店，
由一个地址序列激活;自动存储，对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
CY14B104K/CY14B104M.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第6页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B104K / CY14B104M执行一个读周期时CE
和OE低， WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0-18
OR A
0-17
确定哪一个524288的
数据字节或每16位262,144字被存取。字节
使（ BHE ， BLE）确定哪些字节使能到
输出，在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时，输出是有效吨的延迟之后
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE ，输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期2 ） 。该
数据输出反复进行响应，以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效，直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0-15
被写入到存储器中，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制写入或CE控制写入结束前。
字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
写的，在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平，在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
帽
V
帽
V
SS
文件编号： 001-07103修订版* S
第33 4
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
图2
第4页上显示存储的正确连接
电容（V
帽
）自动存储操作。请参阅
DC
电气特性
对于V的尺寸16页
帽
。该
电压在V
帽
引脚被驱动到V
CC
由上所述的调节器
芯片。上拉应放在WE举行期间，未激活
电。这种上拉才有效，如果WE信号为三态
在上电期间。许多主控板三态上电的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时， MPU必须
主动或保持无效，直到MPU的WE脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储，并
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B104K / CY14B104M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。经过STORE周期启动，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。要启动软件
商店周期，以下阅读顺序必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B104K / CY14B104M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低，中CY14B104K / CY14B104M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
（内部100 k弱上拉电阻器）的内部驱动
低电平，表示处于忙碌状态时存储（通过启动
任何装置）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B104K / CY14B104M 。但是，任何SRAM读取和
写周期被禁止，直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B104K / CY14B104M继续驱动HSB销
低，释放它，只有当实体店完成。上
在STORE操作完成时，存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB未连接，如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除;然后，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
文件编号： 001-07103修订版* S
第33 5
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
4兆位（ 512 K＆times 256分之8 K＆times 16 ）的nvSRAM
带实时时钟
4兆位（ 512 K＆times 256分之8 K＆times 16 ）的nvSRAM与实时时钟
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
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■
■
■
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44引脚和54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） II型
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为512K的× 8 （ CY14B104K ）或256千× 16
(CY14B104M)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非挥发性元素被启动
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM是由软件或上电启动
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
赛普拉斯的nvSRAM中的数据完整性与功能齐全的结合
实时时钟（RTC）
功能说明
赛普拉斯CY14B104K和CY14B104M结合了4兆位
非易失性静态RAM （的nvSRAM ）与全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM被读
和写入次数无限多，而独立
非易失性数据驻留在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的，高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
V
CC
V
CA
P
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
Quatrum
陷阱
2048 X 2048
商店
召回
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
存储/调用
控制
HSB
软件
检测
A
14
- A
2
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
18
- A
0
OE
COLUMN DEC
WE
CE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BLE
BHE
笔记
1.地址
0
–A
18
为× 8配置和地址
0
–A
17
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
-DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
-DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07103修订版* U
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年7月12日
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
目录
引脚定义................................................ .................. 3
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
五金店（ HSB ）操作................................. 5
硬件RECALL （上电） ....................................... 5
软件商店................................................ ............... 5
软件RECALL ................................................ ............. 5
防止自动存储................................................ 6 .......
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
实时时钟运行.............................................. 7
nvTIME操作................................................ 7 .......
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 8
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
................................................最佳实践................. 15
最大额定值................................................ ........... 16
经营范围................................................ ............. 16
直流电气特性........................................ 16
数据保留和耐力..................................... 17
电容................................................. ................... 17
热阻................................................ ........ 17
AC测试负载............................................... ................. 17
AC测试条件............................................... ......... 17
RTC特征................................................ ....... 18
AC开关特性....................................... 19
SRAM读周期............................................... ..... 19
SRAM写周期............................................... ...... 19
自动存储/上电RECALL ....................................... 22
开关波形................................................ .... 22
软件控制的存储和调用循环........ 23
五金店周期............................................... 24 ..
真值表SRAM操作................................ 25
订购信息................................................ ...... 26
订购代码定义......................................... 26
包图................................................ .......... 27
与缩略语................................................. ....................... 29
文档约定............................................. 29
计量单位............................................... ........ 29
文档历史记录页............................................... 30 ..
销售，解决方案和法律信息...................... 35
全球销售和设计支持....................... 35
产品................................................. ................... 35
的PSoC解决方案................................................ ......... 35
文件编号： 001-07103修订版* U
第35 2
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X
OUT
X
in
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
[4]
NC
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
44引脚TSOP II
(x 8)
54针TSOP II
(x 16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
– A
18
A
0
– A
17
DQ
0
？ DQ
15
I / O类型
输入
描述
地址输入。用于选择的524,288字节的nvSRAM为× 8配置之一。
地址输入。用于选择262,144字的nvSRAM为×16配置的一个。
双向数据I / O线× 16的配置。作为根据操作的输入或输出线路。
DQ
0
？ DQ
7
输入/输出双向数据I / O线为× 8配置。作为根据操作的输入或输出线路。
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。当选定低时，在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
-DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
-DQ
0
.
水晶连接。驱动器在启动时结晶。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
产量
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源监视器响应。
也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
笔记
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展16 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-07103修订版* U
第35 3
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
引脚德网络nitions
（续）
引脚名称
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
地
描述
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部向芯片它发起一个非易失STORE操作。每个硬件后，
与软件商店运营， HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
设备操作
该CY14B104K / CY14B104M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞向SRAM （在
RECALL操作） 。使用这种独特的架构，所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B104K / CY14B104M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性细胞和多达百万STORE操作
操作。看
真值表SRAM操作第25页
用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B104K / CY14B104M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是：
五金店，由HSB激活;软件商店，
由一个地址序列激活;自动存储，对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
CY14B104K/CY14B104M.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储6页。
如果自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B104K / CY14B104M执行一个读周期时CE
和OE低， WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0–18
OR A
0–17
确定哪一个524288的
数据字节或每16位262,144字被存取。字节
使（ BHE ， BLE）确定哪些字节使能到
输出，在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时，输出是有效吨的延迟之后
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE ，输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期2 ） 。该
数据输出反复进行响应，以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效，直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0–15
被写入到存储器中，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制写入或CE控制写入结束前。
字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
写的，在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平，在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
帽
V
帽
V
SS
图2中第4页
显示存储的正确连接
电容（V
帽
）自动存储操作。请参阅
DC
第16页的电气特性
对于V的大小
帽
。该
电压在V
帽
引脚被驱动到V
CC
由上所述的调节器
第35 4
文件编号： 001-07103修订版* U
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
芯片。上拉应放在WE举行期间，未激活
电。这种上拉才有效，如果WE信号为三态
在上电期间。许多主控板三态上电的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时， MPU必须
主动或保持无效，直到MPU的WE脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储，并
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
软件商店
数据被从SRAM传输到非易失性存储器
由一个软件地址序列。该CY14B104K / CY14B104M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。经过STORE周期启动，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。要启动软件
商店周期，以下阅读顺序必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B104K / CY14B104M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低，中CY14B104K / CY14B104M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
（内部100 k弱上拉电阻器）的内部驱动
低电平，表示处于忙碌状态时存储（通过启动
任何装置）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B104K / CY14B104M 。但是，任何SRAM读取和
写周期被禁止，直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B104K / CY14B104M继续驱动HSB销
低，释放它，只有当实体店完成。上
在STORE操作完成时，存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB未连接，如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器传送到SRAM
由一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除;然后，非易失性的信息传送到
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
文件编号： 001-07103修订版* U
第35 5
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
4兆位（ 512 K＆times 256分之8 K＆times 16 ）的nvSRAM
带实时时钟
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44引脚和54引脚薄型小尺寸封装（ TSOP II ）
无铅和有害物质限制指令（RoHS ）
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为512K的× 8 （ CY14B104K ）或256千× 16
(CY14B104M)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM是由软件或上电启动
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 ％ ， - 10％操作
赛普拉斯的nvSRAM中的数据完整性与功能齐全的结合
实时时钟（RTC）
功能说明
赛普拉斯CY14B104K和CY14B104M结合了4兆位
非易失性静态RAM （的nvSRAM ）与全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM中被读出并
书面无限的次数，而独立的非易失性
数据保存在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的，高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的，用于周期性分钟，小时，
天，或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
Quatrum
陷阱
2048 X 2048
V
CC
V
CA
P
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048
商店
召回
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
存储/调用
控制
软件
检测
HSB
A
14
- A
2
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
18
- A
0
OE
WE
COLUMN DEC
CE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BLE
BHE
笔记
1.地址
0
- A
18
为× 8配置和地址
0
- A
17
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07103修订版* S
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月21日
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
目录
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
五金店（ HSB ）操作................................. 5
硬件RECALL （上电） ....................................... 5
软件商店................................................ ............... 5
软件RECALL ................................................ ............. 5
防止自动存储................................................ 6 .......
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
实时时钟运行.............................................. 7
nvTIME操作................................................ 7 .......
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 8
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
................................................最佳实践................. 15
最大额定值................................................ ........... 16
经营范围................................................ ............. 16
直流电气特性........................................ 16
数据保留和耐力..................................... 17
电容................................................. ................... 17
热阻................................................ ........ 17
AC测试条件............................................... ......... 17
RTC特征................................................ ....... 18
AC开关特性....................................... 19
SRAM读周期............................................... ..... 19
SRAM写周期............................................... ...... 19
开关波形................................................ .... 21
自动存储/上电RECALL ....................................... 22
开关波形................................................ .... 22
软件控制的存储和调用循环........ 23
五金店周期............................................... 24 ..
真值表SRAM操作................................ 25
对于X8配置............................................... ... 25
对于x16配置............................................... 25
订购信息................................................ ...... 26
订购代码定义........................................... 26
包图................................................ .......... 27
与缩略语................................................. ....................... 28
文档约定............................................. 28
计量单位............................................... ........ 28
文档历史记录页............................................... .. 29
销售，解决方案和法律信息...................... 33
全球销售和设计支持....................... 33
产品................................................. ................... 33
的PSoC解决方案................................................ ......... 33
文件编号： 001-07103修订版* S
第33 2
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X
OUT
X
in
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
[4]
NC
44 - TSOP II
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
（不按比例）
顶视图
（不按比例）
X
OUT
X
in
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
A
17
A
16
V
RTCcap
V
RTCbat
表1.引脚定义
引脚名称
A
0
– A
18
A
0
– A
17
DQ
0
？ DQ
7
DQ
0
？ DQ
15
I / O类型
输入
描述
地址输入。用于选择的524288字节的nvSRAM对于x8的配置之一。
地址输入。用于选择262,144字的nvSRAM对于x16的配置之一。
输入/输出双向数据I / O线为× 8配置。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据的I / × 16配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。当选定低时，在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入，低电平有效。当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择的芯片。
输出使能，低电平有效。该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能，低电平有效。控制DQ
15
- DQ
8
.
低字节使能，低电平有效。控制DQ
7
- DQ
0
.
水晶连接。驱动器在启动时结晶。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
笔记
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号： 001-07103修订版* S
第33 3
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
表1.引脚定义
（续）
引脚名称
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
产量
地
描述
中断输出。可编程的时钟闹钟，看门狗定时器，电源响应
监视。也可编程为高电平（推或拉）或低（漏极开路） 。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 ％ -10 ％
输入/输出五金店忙（ HSB ） 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后，
与软件商店运营， HSB驱动为高电平很短的时间（t
HHHD
）与标准输出高
当前，然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平（外部上拉电阻连接
可选）。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时，从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
帽
设备操作
该CY14B104K / CY14B104M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞到SRAM （在
RECALL操作） 。使用这种独特的架构，所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B104K / CY14B104M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外，它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达百万店铺运营
操作。见
真值表的SRAM操作
在页
25，用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B104K / CY14B104M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是：
五金店，由HSB激活;软件商店，
由一个地址序列激活;自动存储，对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术，默认情况下启用的
CY14B104K/CY14B104M.
在正常操作期间，该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
帽
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中，部分
自动断开V
帽
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
帽
电容。
记
如果电容器没有连接到V
帽
针，自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第6页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
帽
引脚时，设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B104K / CY14B104M执行一个读周期时CE
和OE低， WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0-18
OR A
0-17
确定哪一个524288的
数据字节或每16位262,144字被存取。字节
使（ BHE ， BLE）确定哪些字节使能到
输出，在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时，输出是有效吨的延迟之后
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE ，输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读周期2 ） 。该
数据输出反复进行响应，以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效，直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平，否则我们还是HSB变为低电平。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
SRAM写
写周期完成时， CE和WE低， HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0-15
被写入到存储器中，如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制写入或CE控制写入结束前。
字节使能输入（ BHE ， BLE）确定哪些字节
写的，在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平，在整个写周期，以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平，内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
帽
V
帽
V
SS
文件编号： 001-07103修订版* S
第33 4
[+ ]反馈
CY14B104K ， CY14B104M
图2
第4页上显示存储的正确连接
电容（V
帽
）自动存储操作。请参阅
DC
电气特性
对于V的尺寸16页
帽
。该
电压在V
帽
引脚被驱动到V
CC
由上所述的调节器
芯片。上拉应放在WE举行期间，未激活
电。这种上拉才有效，如果WE信号为三态
在上电期间。许多主控板三态上电的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时， MPU必须
主动或保持无效，直到MPU的WE脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储，并
五金店操作被忽略，除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控，如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B104K / CY14B104M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期，先前的擦除
首先，进行非易失性数据，随后的一个节目
非易失性元件。经过STORE周期启动，进一步
输入和输出被禁止，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序，或者序列被中止
没有存储或调用发生。要启动软件
商店周期，以下阅读顺序必须执行：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取，与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后，
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足， SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店（ HSB ）操作
该CY14B104K / CY14B104M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低，中CY14B104K / CY14B104M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
（内部100 k弱上拉电阻器）的内部驱动
低电平，表示处于忙碌状态时存储（通过启动
任何装置）正在进行中。
记
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短（叔
HHHD
）与标准输出高
目前，然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时， HSB驱动
低以任何方式给出时间（t
延迟
）前完成
启动存储操作。但是，任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止，直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置， HSB不被驱动
LOW由CY14B104K / CY14B104M 。但是，任何SRAM读取和
写周期被禁止，直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作，不管它是如何发起的，
该CY14B104K / CY14B104M继续驱动HSB销
低，释放它，只有当实体店完成。上
在STORE操作完成时，存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB未连接，如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作：
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除;然后，非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时， SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
＆ LT ; V
开关
） ，一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时，召回周期
会自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候， HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
文件编号： 001-07103修订版* S
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