添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第250页 > CY14B104M-ZSP25XIT
CY14B104K , CY14B104M
4兆位( 512 K&times 256分之8 K&times 16 )的nvSRAM
带实时时钟
特点
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44引脚和54引脚薄型小尺寸封装( TSOP II )
无铅和有害物质限制指令(RoHS )
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为512K的× 8 ( CY14B104K )或256千× 16
(CY14B104M)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件,器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM是由软件或上电启动
高可靠性
无限的读,写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 % , - 10%操作
赛普拉斯的nvSRAM中的数据完整性与功能齐全的结合
实时时钟(RTC)
功能说明
赛普拉斯CY14B104K和CY14B104M结合了4兆位
非易失性静态RAM (的nvSRAM )与全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM中被读出并
书面无限的次数,而独立的非易失性
数据保存在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的,高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的,用于周期性分钟,小时,
天,或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
Quatrum
陷阱
2048 X 2048
V
CC
V
CA
P
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048
商店
召回
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
存储/调用
控制
软件
检测
HSB
A
14
- A
2
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
18
- A
0
OE
WE
COLUMN DEC
CE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BLE
BHE
笔记
1.地址
0
- A
18
为× 8配置和地址
0
- A
17
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-07103修订版* S
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月21日
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
目录
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
五金店( HSB )操作................................. 5
硬件RECALL (上电) ....................................... 5
软件商店................................................ ............... 5
软件RECALL ................................................ ............. 5
防止自动存储................................................ 6 .......
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
实时时钟运行.............................................. 7
nvTIME操作................................................ 7 .......
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 8
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
................................................最佳实践................. 15
最大额定值................................................ ........... 16
经营范围................................................ ............. 16
直流电气特性........................................ 16
数据保留和耐力..................................... 17
电容................................................. ................... 17
热阻................................................ ........ 17
AC测试条件............................................... ......... 17
RTC特征................................................ ....... 18
AC开关特性....................................... 19
SRAM读周期............................................... ..... 19
SRAM写周期............................................... ...... 19
开关波形................................................ .... 21
自动存储/上电RECALL ....................................... 22
开关波形................................................ .... 22
软件控制的存储和调用循环........ 23
五金店周期............................................... 24 ..
真值表SRAM操作................................ 25
对于X8配置............................................... ... 25
对于x16配置............................................... 25
订购信息................................................ ...... 26
订购代码定义........................................... 26
包图................................................ .......... 27
与缩略语................................................. ....................... 28
文档约定............................................. 28
计量单位............................................... ........ 28
文档历史记录页............................................... .. 29
销售,解决方案和法律信息...................... 33
全球销售和设计支持....................... 33
产品................................................. ................... 33
的PSoC解决方案................................................ ......... 33
文件编号: 001-07103修订版* S
第33 2
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X
OUT
X
in
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
[4]
NC
44 - TSOP II
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
(不按比例)
顶视图
(不按比例)
X
OUT
X
in
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
A
17
A
16
V
RTCcap
V
RTCbat
表1.引脚定义
引脚名称
A
0
– A
18
A
0
– A
17
DQ
0
? DQ
7
DQ
0
? DQ
15
I / O类型
输入
描述
地址输入。用于选择的524288字节的nvSRAM对于x8的配置之一。
地址输入。用于选择262,144字的nvSRAM对于x16的配置之一。
输入/输出双向数据I / O线为× 8配置。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据的I / × 16配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入,低电平有效。当选定低时,在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入,低电平有效。当低,选择芯片。当HIGH ,取消选择的芯片。
输出使能,低电平有效。该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能,低电平有效。控制DQ
15
- DQ
8
.
低字节使能,低电平有效。控制DQ
7
- DQ
0
.
水晶连接。驱动器在启动时结晶。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
笔记
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号: 001-07103修订版* S
第33 3
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
表1.引脚定义
(续)
引脚名称
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
产量
描述
中断输出。可编程的时钟闹钟,看门狗定时器,电源响应
监视。也可编程为高电平(推或拉)或低(漏极开路) 。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 % -10 %
输入/输出五金店忙( HSB ) 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后,
与软件商店运营, HSB驱动为高电平很短的时间(t
HHHD
)与标准输出高
当前,然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平(外部上拉电阻连接
可选)。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时,从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
设备操作
该CY14B104K / CY14B104M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞(在
STORE操作) ,或从非易失性细胞到SRAM (在
RECALL操作) 。使用这种独特的架构,所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B104K / CY14B104M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外,它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达百万店铺运营
操作。见
真值表的SRAM操作
在页
25,用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B104K / CY14B104M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是:
五金店,由HSB激活;软件商店,
由一个地址序列激活;自动存储,对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术,默认情况下启用的
CY14B104K/CY14B104M.
在正常操作期间,该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中,部分
自动断开V
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
电容。
如果电容器没有连接到V
针,自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第6页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
引脚时,设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B104K / CY14B104M执行一个读周期时CE
和OE低, WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0-18
OR A
0-17
确定哪一个524288的
数据字节或每16位262,144字被存取。字节
使( BHE , BLE)确定哪些字节使能到
输出,在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时,输出是有效吨的延迟之后
AA
(读周期1) 。如果读通过CE或OE ,输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
,以较迟者为准(读周期2 ) 。该
数据输出反复进行响应,以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效,直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平,否则我们还是HSB变为低电平。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
SRAM写
写周期完成时, CE和WE低, HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期,必须保持稳定,直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0-15
被写入到存储器中,如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制写入或CE控制写入结束前。
字节使能输入( BHE , BLE)确定哪些字节
写的,在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平,在整个写周期,以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平,内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
V
V
SS
文件编号: 001-07103修订版* S
第33 4
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
图2
第4页上显示存储的正确连接
电容(V
)自动存储操作。请参阅
DC
电气特性
对于V的尺寸16页
。该
电压在V
引脚被驱动到V
CC
由上所述的调节器
芯片。上拉应放在WE举行期间,未激活
电。这种上拉才有效,如果WE信号为三态
在上电期间。许多主控板三态上电的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时, MPU必须
主动或保持无效,直到MPU的WE脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储,自动存储,并
五金店操作被忽略,除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控,如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B104K / CY14B104M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期,先前的擦除
首先,进行非易失性数据,随后的一个节目
非易失性元件。经过STORE周期启动,进一步
输入和输出被禁止,直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始,就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序,或者序列被中止
没有存储或调用发生。要启动软件
商店周期,以下阅读顺序必须执行:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取,与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后,
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足, SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店( HSB )操作
该CY14B104K / CY14B104M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低,中CY14B104K / CY14B104M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
(内部100 k弱上拉电阻器)的内部驱动
低电平,表示处于忙碌状态时存储(通过启动
任何装置)正在进行中。
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短(叔
HHHD
)与标准输出高
目前,然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时, HSB驱动
低以任何方式给出时间(t
延迟
)前完成
启动存储操作。但是,任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止,直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置, HSB不被驱动
LOW由CY14B104K / CY14B104M 。但是,任何SRAM读取和
写周期被禁止,直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作,不管它是如何发起的,
该CY14B104K / CY14B104M继续驱动HSB销
低,释放它,只有当实体店完成。上
在STORE操作完成时,存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB未连接,如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期,
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部,召回是一个两步的过程。首先, SRAM数据
被清除;然后,非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时, SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL (上电)
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
& LT ; V
开关
) ,一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时,召回周期
会自动启动,并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候, HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
文件编号: 001-07103修订版* S
第33 5
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
4兆位( 512 K&times 256分之8 K&times 16 )的nvSRAM
带实时时钟
4兆位( 512 K&times 256分之8 K&times 16 )的nvSRAM与实时时钟
特点
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44引脚和54引脚薄型小尺寸封装( TSOP ) II型
无铅和有害物质限制指令(RoHS )
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为512K的× 8 ( CY14B104K )或256千× 16
(CY14B104M)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非挥发性元素被启动
软件,器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM是由软件或上电启动
高可靠性
无限的读,写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 % , - 10%操作
赛普拉斯的nvSRAM中的数据完整性与功能齐全的结合
实时时钟(RTC)
功能说明
赛普拉斯CY14B104K和CY14B104M结合了4兆位
非易失性静态RAM (的nvSRAM )与全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM被读
和写入次数无限多,而独立
非易失性数据驻留在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的,高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的,用于周期性分钟,小时,
天,或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
V
CC
V
CA
P
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
Quatrum
陷阱
2048 X 2048
商店
召回
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
存储/调用
控制
HSB
软件
检测
A
14
- A
2
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
18
- A
0
OE
COLUMN DEC
WE
CE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BLE
BHE
笔记
1.地址
0
–A
18
为× 8配置和地址
0
–A
17
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
-DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
-DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-07103修订版* U
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年7月12日
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
目录
引脚定义................................................ .................. 3
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
五金店( HSB )操作................................. 5
硬件RECALL (上电) ....................................... 5
软件商店................................................ ............... 5
软件RECALL ................................................ ............. 5
防止自动存储................................................ 6 .......
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
实时时钟运行.............................................. 7
nvTIME操作................................................ 7 .......
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 8
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
................................................最佳实践................. 15
最大额定值................................................ ........... 16
经营范围................................................ ............. 16
直流电气特性........................................ 16
数据保留和耐力..................................... 17
电容................................................. ................... 17
热阻................................................ ........ 17
AC测试负载............................................... ................. 17
AC测试条件............................................... ......... 17
RTC特征................................................ ....... 18
AC开关特性....................................... 19
SRAM读周期............................................... ..... 19
SRAM写周期............................................... ...... 19
自动存储/上电RECALL ....................................... 22
开关波形................................................ .... 22
软件控制的存储和调用循环........ 23
五金店周期............................................... 24 ..
真值表SRAM操作................................ 25
订购信息................................................ ...... 26
订购代码定义......................................... 26
包图................................................ .......... 27
与缩略语................................................. ....................... 29
文档约定............................................. 29
计量单位............................................... ........ 29
文档历史记录页............................................... 30 ..
销售,解决方案和法律信息...................... 35
全球销售和设计支持....................... 35
产品................................................. ................... 35
的PSoC解决方案................................................ ......... 35
文件编号: 001-07103修订版* U
第35 2
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X
OUT
X
in
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
[4]
NC
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
44引脚TSOP II
(x 8)
54针TSOP II
(x 16)
顶视图
(不按比例)
顶视图
(不按比例)
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
– A
18
A
0
– A
17
DQ
0
? DQ
15
I / O类型
输入
描述
地址输入。用于选择的524,288字节的nvSRAM为× 8配置之一。
地址输入。用于选择262,144字的nvSRAM为×16配置的一个。
双向数据I / O线× 16的配置。作为根据操作的输入或输出线路。
DQ
0
? DQ
7
输入/输出双向数据I / O线为× 8配置。作为根据操作的输入或输出线路。
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入,低电平有效。当选定低时,在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入,低电平有效。当低,选择芯片。当HIGH ,取消选择的芯片。
输出使能,低电平有效。该低电平有效OE输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能,低电平有效。控制DQ
15
-DQ
8
.
低字节使能,低电平有效。控制DQ
7
-DQ
0
.
水晶连接。驱动器在启动时结晶。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
产量
中断输出。可编程的时钟闹钟,看门狗定时器,电源监视器响应。
也可编程为高电平(推或拉)或低(漏极开路) 。
笔记
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展16 - Mbit的。 NC引脚未连接到死。
文件编号: 001-07103修订版* U
第35 3
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
引脚德网络nitions
(续)
引脚名称
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
描述
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 % -10 %
输入/输出五金店忙( HSB ) 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部向芯片它发起一个非易失STORE操作。每个硬件后,
与软件商店运营, HSB驱动为高电平很短的时间(t
HHHD
)与标准输出高
当前,然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平(外部上拉电阻连接
可选)。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时,从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
设备操作
该CY14B104K / CY14B104M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞(在
STORE操作) ,或从非易失性细胞向SRAM (在
RECALL操作) 。使用这种独特的架构,所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B104K / CY14B104M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外,它提供了无限的RECALL
从非易失性细胞和多达百万STORE操作
操作。看
真值表SRAM操作第25页
用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B104K / CY14B104M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是:
五金店,由HSB激活;软件商店,
由一个地址序列激活;自动存储,对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术,默认情况下启用的
CY14B104K/CY14B104M.
在正常操作期间,该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中,部分
自动断开V
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
电容。
如果电容器没有连接到V
针,自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储6页。
如果自动存储是没有启用
电容上的V
引脚时,设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B104K / CY14B104M执行一个读周期时CE
和OE低, WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0–18
OR A
0–17
确定哪一个524288的
数据字节或每16位262,144字被存取。字节
使( BHE , BLE)确定哪些字节使能到
输出,在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时,输出是有效吨的延迟之后
AA
(读周期1) 。如果读通过CE或OE ,输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
,以较迟者为准(读周期2 ) 。该
数据输出反复进行响应,以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效,直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平,否则我们还是HSB变为低电平。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
SRAM写
写周期完成时, CE和WE低, HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期,必须保持稳定,直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0–15
被写入到存储器中,如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制写入或CE控制写入结束前。
字节使能输入( BHE , BLE)确定哪些字节
写的,在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平,在整个写周期,以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平,内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
V
V
SS
图2中第4页
显示存储的正确连接
电容(V
)自动存储操作。请参阅
DC
第16页的电气特性
对于V的大小
。该
电压在V
引脚被驱动到V
CC
由上所述的调节器
第35 4
文件编号: 001-07103修订版* U
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
芯片。上拉应放在WE举行期间,未激活
电。这种上拉才有效,如果WE信号为三态
在上电期间。许多主控板三态上电的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时, MPU必须
主动或保持无效,直到MPU的WE脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储,自动存储,并
五金店操作被忽略,除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控,如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
软件商店
数据被从SRAM传输到非易失性存储器
由一个软件地址序列。该CY14B104K / CY14B104M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期,先前的擦除
首先,进行非易失性数据,随后的一个节目
非易失性元件。经过STORE周期启动,进一步
输入和输出被禁止,直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始,就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序,或者序列被中止
没有存储或调用发生。要启动软件
商店周期,以下阅读顺序必须执行:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取,与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后,
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足, SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店( HSB )操作
该CY14B104K / CY14B104M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低,中CY14B104K / CY14B104M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
(内部100 k弱上拉电阻器)的内部驱动
低电平,表示处于忙碌状态时存储(通过启动
任何装置)正在进行中。
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短(叔
HHHD
)与标准输出高
目前,然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时, HSB驱动
低以任何方式给出时间(t
延迟
)前完成
启动存储操作。但是,任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止,直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置, HSB不被驱动
LOW由CY14B104K / CY14B104M 。但是,任何SRAM读取和
写周期被禁止,直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作,不管它是如何发起的,
该CY14B104K / CY14B104M继续驱动HSB销
低,释放它,只有当实体店完成。上
在STORE操作完成时,存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB未连接,如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器传送到SRAM
由一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期,
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部,召回是一个两步的过程。首先, SRAM数据
被清除;然后,非易失性的信息传送到
SRAM单元。之后的T
召回
周期时, SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL (上电)
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
& LT ; V
开关
) ,一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时,召回周期
会自动启动,并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候, HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
文件编号: 001-07103修订版* U
第35 5
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
4兆位( 512 K&times 256分之8 K&times 16 )的nvSRAM
带实时时钟
特点
看门狗定时器
可编程中断时钟闹铃
电容或电池备份RTC
工业温度
44引脚和54引脚薄型小尺寸封装( TSOP II )
无铅和有害物质限制指令(RoHS )
柔顺
25 ns到45 ns的访问时间
内部组织为512K的× 8 ( CY14B104K )或256千× 16
(CY14B104M)
只有一小关就断电自动STORE手
电容
商店到QuantumTrap非易失性元件是由发起
软件,器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM是由软件或上电启动
高可靠性
无限的读,写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3 V + 20 % , - 10%操作
赛普拉斯的nvSRAM中的数据完整性与功能齐全的结合
实时时钟(RTC)
功能说明
赛普拉斯CY14B104K和CY14B104M结合了4兆位
非易失性静态RAM (的nvSRAM )与全功能的RTC在
单片集成电路。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。 SRAM中被读出并
书面无限的次数,而独立的非易失性
数据保存在非易失性元件。
RTC的功能提供了一个精确的时钟与闰年
跟踪和一个可编程的,高精确度的振荡器。该
报警功能是可编程的,用于周期性分钟,小时,
天,或数月报警。还有一个可编程看门狗
计时器用于过程控制。
Quatrum
陷阱
2048 X 2048
V
CC
V
CA
P
逻辑框图
[1, 2, 3]
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048
商店
召回
动力
控制
V
RTCbat
V
RTCcap
存储/调用
控制
软件
检测
HSB
A
14
- A
2
RTC
X
OUT
X
in
INT
列I / O
MUX
A
18
- A
0
OE
WE
COLUMN DEC
CE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BLE
BHE
笔记
1.地址
0
- A
18
为× 8配置和地址
0
- A
17
对于× 16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
为× 8配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于× 16的配置。
3. BHE和BLE适用于只× 16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-07103修订版* S
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月21日
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
目录
设备操作................................................ .............. 4
SRAM读................................................ ....................... 4
SRAM写................................................ ....................... 4
自动存储操作................................................ 4 ........
五金店( HSB )操作................................. 5
硬件RECALL (上电) ....................................... 5
软件商店................................................ ............... 5
软件RECALL ................................................ ............. 5
防止自动存储................................................ 6 .......
数据保护................................................ ................. 7
噪声考虑................................................ 7 .......
实时时钟运行.............................................. 7
nvTIME操作................................................ 7 .......
时钟操作................................................ ......... 7
读时钟............................................... 7 ........
设置时钟............................................... .......... 7
备用电源................................................ ............. 7
停止和启动振荡器............................ 8
校准时钟............................................... 8 ....
报警................................................. .......................... 8
看门狗定时器................................................ .......... 8
电源监视器................................................ ............. 9
中断................................................. .................... 9
标志登记................................................ ........... 10
................................................最佳实践................. 15
最大额定值................................................ ........... 16
经营范围................................................ ............. 16
直流电气特性........................................ 16
数据保留和耐力..................................... 17
电容................................................. ................... 17
热阻................................................ ........ 17
AC测试条件............................................... ......... 17
RTC特征................................................ ....... 18
AC开关特性....................................... 19
SRAM读周期............................................... ..... 19
SRAM写周期............................................... ...... 19
开关波形................................................ .... 21
自动存储/上电RECALL ....................................... 22
开关波形................................................ .... 22
软件控制的存储和调用循环........ 23
五金店周期............................................... 24 ..
真值表SRAM操作................................ 25
对于X8配置............................................... ... 25
对于x16配置............................................... 25
订购信息................................................ ...... 26
订购代码定义........................................... 26
包图................................................ .......... 27
与缩略语................................................. ....................... 28
文档约定............................................. 28
计量单位............................................... ........ 28
文档历史记录页............................................... .. 29
销售,解决方案和法律信息...................... 33
全球销售和设计支持....................... 33
产品................................................. ................... 33
的PSoC解决方案................................................ ......... 33
文件编号: 001-07103修订版* S
第33 2
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
引脚配置
图1.引脚图 - 44引脚和54引脚TSOP II
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
X
OUT
X
in
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
[4]
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ5
DQ4
V
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
V
RTCcap
V
RTCbat
INT
[5]
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
CC
V
SS
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
HSB
[4]
NC
44 - TSOP II
(x8)
54 - TSOP II
(x16)
顶视图
(不按比例)
顶视图
(不按比例)
X
OUT
X
in
A
15
OE
BHE
BLE
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
V
SS
V
CC
DQ
11
DQ
10
DQ
9
DQ
8
V
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
A
17
A
16
V
RTCcap
V
RTCbat
表1.引脚定义
引脚名称
A
0
– A
18
A
0
– A
17
DQ
0
? DQ
7
DQ
0
? DQ
15
I / O类型
输入
描述
地址输入。用于选择的524288字节的nvSRAM对于x8的配置之一。
地址输入。用于选择262,144字的nvSRAM对于x16的配置之一。
输入/输出双向数据I / O线为× 8配置。作为根据操作的输入或输出线路。
双向数据的I / × 16配置O线。作为根据操作的输入或输出线路。
无连接
输入
输入
输入
输入
输入
产量
输入
未连接。该管脚没有连接到模具上。
写使能输入,低电平有效。当选定低时,在I / O引脚的数据被写入到所述特定
地址位置。
芯片使能输入,低电平有效。当低,选择芯片。当HIGH ,取消选择的芯片。
输出使能,低电平有效。该低电平有效OE输入使能时读取的数据输出缓冲器
周期。拉高OE HIGH导致I / O引脚为三态。
高字节使能,低电平有效。控制DQ
15
- DQ
8
.
低字节使能,低电平有效。控制DQ
7
- DQ
0
.
水晶连接。驱动器在启动时结晶。
水晶连接。对于32.768 kHz晶振。
NC
WE
CE
OE
BHE
BLE
X
OUT
X
in
V
RTCcap
V
RTCbat
电源电容器供给备份的RTC电源电压。悬空若V
RTCbat
被使用。
电源电池提供备用RTC电源电压。悬空若V
RTCcap
被使用。
笔记
4.地址扩展为8兆比特。 NC引脚未连接到死。
5.地址扩展为16兆比特。 NC引脚未连接到死。
文件编号: 001-07103修订版* S
第33 3
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
表1.引脚定义
(续)
引脚名称
INT
V
SS
V
CC
HSB
I / O类型
产量
描述
中断输出。可编程的时钟闹钟,看门狗定时器,电源响应
监视。也可编程为高电平(推或拉)或低(漏极开路) 。
地面的装置。必须连接到该系统的地面。
供电电源的输入到所述控制器。 3.0 V + 20 % -10 %
输入/输出五金店忙( HSB ) 。当这种低输出表明五金店正在进行中。
当拉低外部芯片它发起的非易失性存储操作。每个硬件后,
与软件商店运营, HSB驱动为高电平很短的时间(t
HHHD
)与标准输出高
当前,然后内部弱上拉电阻保持这个引脚为高电平(外部上拉电阻连接
可选)。
电源自动存储电容。供应电源的nvSRAM在断电时,从SRAM数据存储
非易失性元件。
V
设备操作
该CY14B104K / CY14B104M的nvSRAM是由两个
功能组件配对在相同的物理单元中。这些
是一个SRAM的存储单元和一个非易失性QuantumTrap细胞。
SRAM的存储单元作为一个标准的快速静态RAM 。
在SRAM中的数据传送到所述非易失性细胞(在
STORE操作) ,或从非易失性细胞到SRAM (在
RECALL操作) 。使用这种独特的架构,所有的细胞都
存储和调用并行。在STORE和RECALL
操作SRAM的读写操作被禁止。该
CY14B104K / CY14B104M支持无限的读取和写入
类似于典型的SRAM 。此外,它提供了无限的RECALL
从非易失性单元和高达百万店铺运营
操作。见
真值表的SRAM操作
在页
25,用于读取和写入模式的完整描述。
自动存储操作
使用CY14B104K / CY14B104M将数据存储到所述的nvSRAM
1三个存储操作。这三种操作是:
五金店,由HSB激活;软件商店,
由一个地址序列激活;自动存储,对设备
掉电。该自动存储操作的一大特色
QuantumTrap技术,默认情况下启用的
CY14B104K/CY14B104M.
在正常操作期间,该器件消耗的电流从V
CC
to
充电连接至V的电容器
引脚。此存储
充电所使用的芯片来执行单个STORE操作。
如果在V的电压
CC
引脚低于V
开关
中,部分
自动断开V
引脚从V
CC
。商店
启动与由V提供的功率运行
电容。
如果电容器没有连接到V
针,自动存储
必须使用指定的软序列被禁用
预防
自动存储
第6页。如果对自动存储是没有启用
电容上的V
引脚时,设备会尝试的自动存储
如果没有足够的充电操作来完成存储。这
会破坏存储在的nvSRAM的数据。
图2.自动存储模式
V
CC
SRAM读
该CY14B104K / CY14B104M执行一个读周期时CE
和OE低, WE和HSB是HIGH 。地址
引脚指定的
0-18
OR A
0-17
确定哪一个524288的
数据字节或每16位262,144字被存取。字节
使( BHE , BLE)确定哪些字节使能到
输出,在16位字的情况。当通过开始的读取
的地址转换时,输出是有效吨的延迟之后
AA
(读周期1) 。如果读通过CE或OE ,输出启动
是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
,以较迟者为准(读周期2 ) 。该
数据输出反复进行响应,以解决内的变化
t
AA
无需转换任何控制访问时间
输入引脚。这仍然有效,直到另一个地址变更或
直到CE或OE变为高电平,否则我们还是HSB变为低电平。
0.1 uF的
10千欧
V
CC
SRAM写
写周期完成时, CE和WE低, HSB
为HIGH 。地址输入必须在进入之前稳定
写周期,必须保持稳定,直到CE或WE变为高电平时
该循环的结束。对通用I数据输入/输出引脚DO
0-15
被写入到存储器中,如果它是有效吨
SD
一月底前
我们控制写入或CE控制写入结束前。
字节使能输入( BHE , BLE)确定哪些字节
写的,在16位字的情况。所以建议参考
保持高电平,在整个写周期,以避免数据总线
争上常见的I / O线。如果OE保持低电平,内部
电路关闭输出缓冲器吨
HZWE
当我们变低。
WE
V
V
V
SS
文件编号: 001-07103修订版* S
第33 4
[+ ]反馈
CY14B104K , CY14B104M
图2
第4页上显示存储的正确连接
电容(V
)自动存储操作。请参阅
DC
电气特性
对于V的尺寸16页
。该
电压在V
引脚被驱动到V
CC
由上所述的调节器
芯片。上拉应放在WE举行期间,未激活
电。这种上拉才有效,如果WE信号为三态
在上电期间。许多主控板三态上电的控制。
这应在使用上拉时进行验证。当
的nvSRAM出来上电召回时, MPU必须
主动或保持无效,直到MPU的WE脱离复位状态。
为了减少不必要的非易失性存储,自动存储,并
五金店操作被忽略,除非至少有一个
自从最近商店的写操作已经发生或
RECALL周期。启动软件商店周期执行
不管写操作是否已经发生。该
HSB信号是由系统监控,如果一个自动存储到检测
周期正在进行中。
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该CY14B104K / CY14B104M
软件商店周期由执行顺序CE或启动
OE控制的读周期从六个具体地址位置
确切顺序。在商店周期,先前的擦除
首先,进行非易失性数据,随后的一个节目
非易失性元件。经过STORE周期启动,进一步
输入和输出被禁止,直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始,就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的顺序,或者序列被中止
没有存储或调用发生。要启动软件
商店周期,以下阅读顺序必须执行:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE读取控制
或OE控制读取,与我们一直HIGH所有六个读
序列。该序列中的第六个地址输入后,
在STORE周期开始和芯片被禁用。 HSB是
驱动为低电平。之后的T
商店
周期时间满足, SRAM是
用于读取和写入操作再次启动。
五金店( HSB )操作
该CY14B104K / CY14B104M提供了HSB引脚来控制
并确认存储操作。 HSB的引脚用于
请求五金店周期。当HSB引脚驱动
低,中CY14B104K / CY14B104M有条件启动
吨后STORE操作
延迟
。实际STORE周期开始
只有在写入SRAM自上次STORE已经发生
或者RECALL周期。在HSB引脚还充当开漏驱动器
(内部100 k弱上拉电阻器)的内部驱动
低电平,表示处于忙碌状态时存储(通过启动
任何装置)正在进行中。
每一个硬件和软件商店运营HSB后
被驱动为高电平的时间很短(叔
HHHD
)与标准输出高
目前,然后保持高由内部100 k拉
电阻器。
SRAM写操作正在进行中时, HSB驱动
低以任何方式给出时间(t
延迟
)前完成
启动存储操作。但是,任何的SRAM写
HSB要求后周期变低被禁止,直到HSB
返回高电平。的情况下的写锁存器未被设置, HSB不被驱动
LOW由CY14B104K / CY14B104M 。但是,任何SRAM读取和
写周期被禁止,直到HSB由MPU返回高电平或
其他外部来源。
在任何商店的操作,不管它是如何发起的,
该CY14B104K / CY14B104M继续驱动HSB销
低,释放它,只有当实体店完成。上
在STORE操作完成时,存储器的nvSRAM
访问被禁止在t
LZHSB
HSB引脚时间后返回高电平。
离开HSB未连接,如果它不被使用。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期,
执行CE或OE控制阅读下列顺序
操作:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部,召回是一个两步的过程。首先, SRAM数据
被清除;然后,非易失性信息被传输至电
SRAM单元。之后的T
召回
周期时, SRAM再次是
准备读取和写入操作。调用操作
不改变在非易失性元件的数据。
硬件RECALL (上电)
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
& LT ; V
开关
) ,一个内部调出请求被锁定。当
V
CC
再次超过V
开关
上电时,召回周期
会自动启动,并采取吨
HRECALL
来完成。中
这个时候, HSB引脚由HSB驾驶员和所有驱动为低电平
读取和写入的nvSRAM被禁止。
文件编号: 001-07103修订版* S
第33 5
[+ ]反馈
查看更多CY14B104M-ZSP25XITPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    CY14B104M-ZSP25XIT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY14B104M-ZSP25XIT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
CY14B104M-ZSP25XIT
CYPRESS
2425+
11280
TSOP-56
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877807 复制

电话:171-4755-1968(微信同号)
联系人:周小姐171-4755-196微信同号,无线联通更快捷!8
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
CY14B104M-ZSP25XIT
CYPRESS
24+
1000
TSOP-54
471¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:471元
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
CY14B104M-ZSP25XIT
Infineon Technologies
24+
10000
54-TSOP II
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
CY14B104M-ZSP25XIT
Infineon Technologies
24+
15000
54-TSOP II
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
CY14B104M-ZSP25XIT
CYPRESS
24+
9850
TSOP
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
CY14B104M-ZSP25XIT
INFINEON
2022
345860
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507162 复制

电话:755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道)
联系人:张小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室 (亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
CY14B104M-ZSP25XIT
Cypress
22+
9550
54-TSOP II
专业分销产品!原装正品!价格优势!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CY14B104M-ZSP25XIT
Cypress
21+
9640
54-TSOP II
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
CY14B104M-ZSP25XIT
Cypress Semiconductor Corp
13+
10001
54-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
CY14B104M-ZSP25XIT
Cypress Semiconductor
㊣10/11+
9962
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多CY14B104M-ZSP25XIT供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!