67A
CY7C167A
16K ×1静态RAM
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 15纳秒
低有功功率
- 495毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
TTL兼容的输入和输出
能够承受大于2001V的电 -
静电放电
V
IH
2.2V的
功能说明
该CY7C167A是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
ganized为16,384字1位。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE）和三态提供
驱动程序。该CY7C167A具有自动省电为特色的
TURE ，降低了功率消耗，当67％的
取消选择。
写入设备来完成，当芯片选择
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（ DI）被写入到指定的存储位置
地址引脚（A
0
至A
13
).
阅读该设备通过采用芯片使能实现
（ CE ）较低，而（我们）仍然很高。在这些条件下
的位置上的地址引脚指定的内容将
出现在数据输出（ DO）的引脚。
输出引脚保持在高阻抗状态，当芯片
能为高，或写使能（WE ）是低电压。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
逻辑框图
引脚配置
DIP
顶视图
DI
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
DO
WE
GND
CE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
7C167A
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
输入缓冲器
V
CC
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
DI
CE
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
行解码器
SENSE AMP
128 x 128
ARRAY
DO
C167A-2
COLUMN
解码器
动力
下
WE
A13
A10
A11
A12
A7
A8
A9
C167A-1
选购指南
7C167A-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
15
90
7C167A-20
20
90
7C167A-25
25
90
7C167A-35
35
90
7C167A-45
45
90
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05027牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C167A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚20至引脚10 ） ........................................... .....
0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.................................................... 0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
................................................. 3.0V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[1]
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C167A-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
[4]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC =
最多，我
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，
I
OL
= 12.0毫安， 8.0毫安米尔
2.2
0.5
10
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
40
7C167A-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
[4]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC =
最多，我
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，
I
OL
= 12.0毫安， 8.0毫安米尔
2.2
0.5
10
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
20
2.2
0.5
10
10
马克斯。
2.2
0.5
10
10
马克斯。
7C167A-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
40
7C167A-45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
2.2
0.5
10
10
马克斯。
7C167A-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
注意事项：
1. T
A
是的情况下的温度。
2. V
IL
分钟。 =
3.0V的脉冲持续时间小于30纳秒。
短路3.持续时间不得超过30秒钟。
4.上拉电阻到V
CC
在CE输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
文件编号： 38-05027牧师**
第2 9
CY7C167A
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
C
CE
描述
输入电容
输出电容
芯片使能电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
6
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 329
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
202
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
202
R1 329
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C167A-4
＆ LT ; 5纳秒
(a)
(b)
C167A-3
戴维南等效
125
产量
1.9V
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C167A-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[7]
7C167A-20
分钟。
20
马克斯。
7C167A-25
分钟。
25
马克斯。
7C167A-35
分钟。
30
马克斯。
7C167A-45
分钟。
马克斯。
单位
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
5
15
5
8
0
15
15
12
12
0
0
12
10
0
7
5
5
20
15
15
0
0
15
10
0
0
5
5
20
5
20
5
8
0
20
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
25
5
25
5
10
0
20
25
25
25
0
0
20
15
0
7
5
30
5
35
5
15
0
20
40
30
30
0
0
20
15
0
10
5
15
25
15
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
[9]
写周期
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[7, 8]
WE高到低Z
[7]
注意事项：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
小于吨
LZ
对于任何给定的设备。
8. t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05027牧师**
第3 9
CY7C167A
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9, 13]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
t
HZWE
高阻抗
数据I / O
数据中，未定义
C167A-8
t
SCE
t
HA
t
HD
数据
IN
有效
注意：
13.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05027牧师**
第5 9
67A
CY7C167A
16K ×1静态RAM
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
高速
- 15纳秒
低有功功率
- 495毫瓦
低待机功耗
- 220毫瓦
TTL兼容的输入和输出
能够承受大于2001V的电 -
静电放电
V
IH
2.2V的
功能说明
该CY7C167A是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
ganized为16,384字1位。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE）和三态提供
驱动程序。该CY7C167A具有自动省电为特色的
TURE ，降低了功率消耗，当67％的
取消选择。
写入设备来完成，当芯片选择
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（ DI）被写入到指定的存储位置
地址引脚（A
0
至A
13
).
阅读该设备通过采用芯片使能实现
（ CE ）较低，而（我们）仍然很高。在这些条件下
的位置上的地址引脚指定的内容将
出现在数据输出（ DO）的引脚。
输出引脚保持在高阻抗状态，当芯片
能为高，或写使能（WE ）是低电压。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
逻辑框图
引脚配置
DIP
顶视图
DI
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
DO
WE
GND
CE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
7C167A
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
输入缓冲器
V
CC
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
DI
CE
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
行解码器
SENSE AMP
128 x 128
ARRAY
DO
C167A-2
COLUMN
解码器
动力
下
WE
A13
A10
A11
A12
A7
A8
A9
C167A-1
选购指南
7C167A-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
15
90
7C167A-20
20
90
7C167A-25
25
90
7C167A-35
35
90
7C167A-45
45
90
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05027牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CY7C167A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
.....................................65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚20至引脚10 ） ........................................... .....
0.5V
至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.................................................... 0.5V
至+ 7.0V
直流输入电压
................................................. 3.0V
至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
[1]
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C167A-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
[4]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC =
最多，我
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，
I
OL
= 12.0毫安， 8.0毫安米尔
2.2
0.5
10
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
40
7C167A-35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
[4]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC =
最多，我
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
4.0
mA
V
CC
=最小值，
I
OL
= 12.0毫安， 8.0毫安米尔
2.2
0.5
10
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
20
2.2
0.5
10
10
马克斯。
2.2
0.5
10
10
马克斯。
7C167A-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
40
7C167A-45
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
2.2
0.5
10
10
马克斯。
7C167A-25
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+10
+10
350
90
20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
注意事项：
1. T
A
是的情况下的温度。
2. V
IL
分钟。 =
3.0V的脉冲持续时间小于30纳秒。
短路3.持续时间不得超过30秒钟。
4.上拉电阻到V
CC
在CE输入必须保持在V取消设备
CC
电，否则我
SB
将超过给定值。
文件编号： 38-05027牧师**
第2 9
CY7C167A
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
C
CE
描述
输入电容
输出电容
芯片使能电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
6
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 329
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R2
202
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
202
R1 329
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
C167A-4
＆ LT ; 5纳秒
(a)
(b)
C167A-3
戴维南等效
125
产量
1.9V
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C167A-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[7]
7C167A-20
分钟。
20
马克斯。
7C167A-25
分钟。
25
马克斯。
7C167A-35
分钟。
30
马克斯。
7C167A-45
分钟。
马克斯。
单位
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
5
15
5
8
0
15
15
12
12
0
0
12
10
0
7
5
5
20
15
15
0
0
15
10
0
0
5
5
20
5
20
5
8
0
20
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
25
5
25
5
10
0
20
25
25
25
0
0
20
15
0
7
5
30
5
35
5
15
0
20
40
30
30
0
0
20
15
0
10
5
15
25
15
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
[9]
写周期
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[7, 8]
WE高到低Z
[7]
注意事项：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
小于吨
LZ
对于任何给定的设备。
8. t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05027牧师**
第3 9
CY7C167A
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9, 13]
t
WC
地址
t
SA
CE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
t
HZWE
高阻抗
数据I / O
数据中，未定义
C167A-8
t
SCE
t
HA
t
HD
数据
IN
有效
注意：
13.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05027牧师**
第5 9
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