SM5021系列
晶体振荡器模块集成电路
概观
在SM5021系列晶体振荡器模块集成电路制造中NPC的钼栅CMOS ，即
结合高频率，低电流消耗振荡器和输出缓冲器电路。高精确度
thin-液膜反馈电阻和高频电容器内置，省去了外部的COM
ponents制成一种稳定的第三谐波振荡器。
特点
I
I
I
I
I
第三谐波振荡
振荡器用电容器C
G
, C
D
内建的
逆变器放大器呃反馈电阻内置
(A
×
, B
×
系列）
TTL输入电平
输出驱动能力
4毫安（V
DD
= 2.7V)
= 8毫安（V
DD
= 4.5V)
I
I
I
I
I
输出三态功能
工作电源电压范围
2.7至5.5V （A
×
, K
×
系列）
4.5 5.5V （B
×
, L
×
系列）
振荡器的输出频率
6引脚SOT （ SM5021
××
H)
芯片形式（ CF5021
××
)
系列CON组fi guration
工作电源
电压范围[V]
芯片
SM5021AAH
SM5021ABH
SM5021ACH
SM5021ADH
SM5021AEH
SM5021BAH
SM5021BBH
SM5021BCH
SM5021BDH
SM5021KDH
SM5021KEH
SM5021LDH
2.75.5
2.7 3.6
4.5 5.5
2.75.5
2.7 3.6
4.5 5.5
22 50
*3
50至70
*3
×
4.5 5.5
4.5 5.5
×
2.7 3.6
×
2.75.5
2.75.5
4.5 5.5
SOT
4.5 5.5
推荐
工作频率
范围
*2
[兆赫]
3V
5V
操作操作
×
22至30
30至40
40至50
50至70
22至30
30至43
43至55
55至70
×
22至30
30至43
43至55
55至70
22 70
*3
×
22 70
*3
8
8
15
12
15
8
15
12
8
15
内建的
电容
[ pF的]
C
G
C
D
1
1
2
3
4
1
1
2
3
3
4
3
6.0
3.3
3.9
2.7
2.7
6.0
3.3
3.9
2.7
–
–
fo
fo
CMOS
TTL
高阻抗
高阻抗
fo
TTL
高阻抗
fo
CMOS
高阻抗
VERSION
*1
gm
比
Rf
[k]
产量
频率
产量
水平
待机输出
状态
* 1 。芯片形式的设备有指定CF5021
××
.
* 2 。推荐的工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而，在该振荡器
器频段不能保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以
部件的振动特性，必须仔细评估。
* 3 。使用外部电阻器的第三谐波频率范围来设置截止频率。
订购信息
设备
SM5021
××
H
CF5021
××
–2
包
SOT23-6
芯片形式
精工NPC株式会社-1
SM5021系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
功耗
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
芯片形式
T
英镑
I
OUT
P
D
SOT23-6
SOT23-6
条件
等级
0.5 + 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 + 85
65 + 150
55 + 125
13
250
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
mW
推荐工作条件
V
SS
= 0V ，女
≤
为70MHz ，C
L
≤
15pF
等级
参数
电源电压
输入电压
工作温度
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
条件
民
2.7
V
SS
20
典型值
–
–
–
最大
5.5
V
DD
+ 80
V
V
°
C
单位
注：推荐的操作条件将根据工作频率，负载容量，或功率消耗变化。
精工NPC株式会社-4
SM5021系列
电气特性
3V操作： AA ， AB ， AC，AD ， AE ， KD ， KE系列
V
DD
= 2.7 3.6V ，V
SS
= 0V ，TA =
20至+ 80
°
C除非另有说明。
参数
符号
条件
SM5021
×
AH ， CF5021
×
A
SM5021
×
BH ， CF5021
×
B
SM5021
×
CH ， CF5021
×
C
SM5021
×
DH ， CF5021
×
D
SM5021
×
EH ， CF5021
×
E
SM5021
×
AH ， CF5021
×
A
SM5021
×
BH ， CF5021
×
B
SM5021
×
CH ， CF5021
×
C
SM5021
×
DH ， CF5021
×
D
SM5021
×
EH ， CF5021
×
E
2.0
–
–
–
–
25
SM5021 × AH ， CF5021 ×A
反馈电阻
(A
×
系列）
SM5021 × BH ， CF5021 ×B
R
f
测量CCT 5
SM5021 × CH ， CF5021 ×C
SM5021 × DH ， CF5021 ×深
SM5021 × EH ， CF5021 ×E
C
G
内置电容
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
SM5021 × AH ， CF5021 ×A
SM5021 × BH ， CF5021 ×B
SM5021 × CH ， CF5021 ×C
SM5021 × DH ， CF5021 ×深
SM5021 × EH ， CF5021 ×E
5.1
2.8
3.3
2.3
7.44
–
–
–
–
13
100
6.0
3.3
3.9
2.7
8
–
0.5
10
10
25
250
6.9
3.8
4.5
3.1
8.56
pF
k
V
V
A
等级
民
典型值
最大
单位
高电平输出电压
V
OH
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 2.7V,
I
OH
= 4毫安
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 2.7V,
I
OH
= 8毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 2.7V,
I
OL
= 4毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 2.7V,
I
OL
= 8毫安
2.1
2.4
–
V
低电平输出电压
V
OL
–
0.3
0.4
V
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
V
IH
V
IL
I
Z
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 3.3V ， INHN = LOW ，V
OH
= V
DD
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 3.3V ， INHN = LOW ，V
OL
= V
SS
70MHz的晶振，
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 15pF的
测量CCT 4
SM5021A × H， CF5021A ×
SM5021K × H， CF5021K ×
消耗电流
INHN上拉电阻
I
DD
R
UP
mA
k
C
D
设计值。在监视器模式
晶片测试。
13.95
15
16.05
pF
11.16
12
12.84
精工NPC株式会社-5
QQ：2880707522 复制
