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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1040页 > CY62137FV18LL-55BVXI
CY62137FV18的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
超高速： 55纳秒
宽电压范围： 1.65V - 2.25V
引脚兼容CY62137CV18
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 5
A
超低有功功率
典型工作电流：2.6毫安， F = 1兆赫
超低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
字节的掉电功能
可提供无铅48球VFBGA封装
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式，以更降低了功耗
超过99 ％时，取消（ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）置于
在高阻抗状态时：
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
无论是高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
■
■
■
■
■
■
■
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
“真值表”
第9页上的一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
功能说明
该CY62137FV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
BHE
BLE
A
14
掉电
电路
CE
A
11
A
12
A
13
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-08030修订版* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年8月1日
CY62137FV18的MoBL
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围（V ）
民
CY62137FV18LL
1.65
典型值
[1]
1.8
最大
2.25
55
速度
（纳秒）
典型值
[1]
1.6
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[1]
13
最大
18
待我
SB2
(A)
典型值
[1]
1
最大
5
引脚配置
图1. 48球VFBGA引脚
[2, 3]
顶视图
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
NC
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
NC
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
笔记
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
2. NC引脚未连接的芯片。
3.引脚D3， H1 ，G2和H6在VBGA包是地址的扩展标签以4兆， 8兆， 16兆和32兆，分别。
文件编号： 001-08030修订版* E
第11 2
CY62137FV18的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. ....- 0.2V至+ 2.45V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[4, 5]
.........................................- 0.2V至2.45V
直流输入电压
[4, 5]
.....................................- 0.2V至2.45V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62137FV18
范围
环境
温度
V
CC
[6]
工业-40 ° C至+ 85°C 1.65V到2.25V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V到2.25V
V
CC
= 1.65V到2.25V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC（ MAX）的
= 2.25V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
V
CC（ MAX）的
= 2.25V
1.4
–0.2
–1
–1
13
测试条件
55纳秒
民
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
18
典型值
[1]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
F = 1 MHz的
I
SB1
1.6
1
2.5
5
mA
A
V
CC（ MAX）的
= 2.25V
自动CE掉电CE > V
CC
0.2V,
目前， CMOS
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
输入
f = f
最大
（地址和数据只），F
= 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
自动CE掉电CE > V - 0.2V ，
CC
目前， CMOS
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
输入
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
V
CC（ MAX）的
= 2.25V
I
SB2 [7]
1
5
A
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
=V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定至少100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.只有芯片使能（ CE）和字节使能（ BHE和BLE）必须与CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 001-08030修订版* E
第11 3
CY62137FV18的MoBL
热阻
测试的最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
.
参数
Q
JA
Q
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
75
10
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图2.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
1.80V
13500
10800
6000
0.80
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR [7]
t
CDR的[8]
t
R [9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V ， CE＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
1.0
1
4
典型值
[1]
最大
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
图3.数据保存波形
[10]
V
CC（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.0V
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
R
笔记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
10. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片取消芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE 。
文件编号： 001-08030修订版* E
第11 4
CY62137FV18的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[11, 12]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高到高Z
[13, 14]
CE低到低Z
[13]
CE高到高阻
[13, 14]
CE低到通电
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[13]
BLE / BHE高到高阻
[13, 14]
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[13, 14]
WE高到低Z
[13]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
10
18
0
55
55
10
18
5
18
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
55纳秒
民
最大
单位
写周期
[15]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
0至V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”
第4页。
12. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。请参见应用笔记AN13842进一步澄清。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定
装置。
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 001-08030修订版* E
第11个5
CY62137FV18的MoBL
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
超高速： 55纳秒
宽电压范围： 1.65 V - 2.25 V
引脚兼容CY62137CV18
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 5
A
超低有功功率
典型工作电流：2.6毫安， F = 1兆赫
超低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
字节掉电功能
可提供无铅48球超精细球栅封装
（ VFBGA ）封装
■
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式，以更降低了功耗
超过99 ％时，取消（ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入和输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在当设备被取消选择一个高阻抗状态（CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，无论是高字节
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或活性的写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
“真值表”
第11页上的一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
■
■
■
■
■
■
功能说明
该CY62137FV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
BHE
BLE
A
14
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
15
A
16
CE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-08030修订版* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年10月15日
[+ ]反馈
CY62137FV18的MoBL
目录
产品组合................................................ .............. 3
引脚配置................................................ ............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 4
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义........................................... 12
包图................................................ ............ 13
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录页............................................... 15 ..
销售，解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号： 001-08030修订版* H
第16页2
[+ ]反馈
CY62137FV18的MoBL
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围（V ）
民
CY62137FV18LL
1.65
典型值
[1]
1.8
最大
2.25
55
速度
（纳秒）
典型值
[1]
1.6
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.5
f = f
最大
典型值
[1]
13
最大
18
待我
SB2
(A)
典型值
[1]
1
最大
5
引脚配置
图1. 48球VFBGA引脚
[2, 3]
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
2
OE
BHE
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
V
SS
I / O
11
V
CC
I / O
12
I / O
14
I / O
13
A
14
I / O
15
NC
NC
A
8
A
12
A
9
笔记
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
2. NC引脚未连接的芯片。
3.引脚D3 ， H1 ， G2 ， H6和H3的VFBGA封装的地址扩展插针分别为4兆， 8兆， 16兆， 32兆和64兆。
文件编号： 001-08030修订版* H
第16页3
[+ ]反馈
CY62137FV18的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，
电源电压对地
潜在................................................. ...- 0.2 V至+ 2.45 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[4, 5]
.......................................- 0.2 V至2.45 V
直流输入电压
[4, 5]
...................................- 0.2 V至2.45 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................ > 2001年V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62137FV18
范围
环境
温度
V
CC
[6]
工业-40 ° C至+85°C 1.65 V至2.25 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65 V至2.25 V
V
CC
= 1.65 V至2.25 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC（ MAX）的
= 2.25 V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
V
CC（ MAX）的
= 2.25 V
1.4
–0.2
–1
–1
–
测试条件
55纳秒
民
1.4
典型值
[7]
–
–
–
–
–
–
13
最大
–
0.2
V
CC
+ 0.2 V
0.4
+1
+1
18
单位
V
V
V
V
A
A
mA
F = 1 MHz的
I
SB1[8]
自动断电
目前， CMOS输入
–
–
1.6
1
2.5
5
mA
A
CE > V
CC
0.2
V或（ BHE和BLE ）V
CC（ MAX）的
= 2.25 V
＆ GT ; V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V，F = F
最大
（地址和数据
只） ， F = 0 （ OE ， WE）
CE > V
CC
- 0.2 V或（ BHE和BLE ）V
CC（ MAX）的
= 2.25 V
＆ GT ; V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或
V
IN
< 0.2 V ， F = 0
I
SB2 [8]
自动断电
目前， CMOS输入
–
1
5
A
电容
参数
[9]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
=V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定至少100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C
8.芯片使能（ CE）和字节使能（ BHE和BLE）必须与CMOS电平，以满足我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
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第16页4
[+ ]反馈
CY62137FV18的MoBL
热阻
参数
[10]
描述
JA
热阻
（结到环境）
热阻
JC
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
75
10
单位
C
/ W
C
/ W
交流测试负载和波形
图2.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
1.80 V
13500
10800
6000
0.80
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
记
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
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第16页5
[+ ]反馈
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