添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1016页 > CY7C109D
CY7C109D
CY7C1009D
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
与CY7C109B / CY7C1009B引脚和功能兼容
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 80毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
提供CY7C109D无铅32引脚400密耳宽模压
SOJ和32引脚TSOP封装我。 CY7C1009D可用
无铅32引脚300mil的全模压SOJ包装
功能说明
[1]
该CY7C109D / CY7C1009D是一个高性能的CMOS
静态RAM由8位， 131,072字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE
1
） ，高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，有源低
输出使能（ OE ）和三态drivers.The八进
输出引脚（ IO
0
通过IO
7
）被置于高阻抗
状态时：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（ CE
1
低，CE
2
高，
和WE LOW ）
通过采取芯片使能一个写入设备（ CE
1
）和写
使能（ WE）输入低电平，芯片使能两（ CE
2
）输入
HIGH 。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）然后
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
).
从设备读取采取芯片使能一（ CE
1
）和
输出使能（ OE ）低，而强迫写使能（ WE）和
芯片使能两（ CE
2
）高。在这些条件下，该
由地址引脚指定的存储单元的内容
出现在IO引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
IO0
IO1
行解码器
128K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
CE1
CE2
WE
OE
列解码器
动力
下
IO7
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05468牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年2月22日
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
销刀豆网络gurations
[2]
SOJ
顶视图
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
GND
IO
2
IO
1
IO
0
A
0
A
1
A
2
A
3
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
GND
TSOP I
顶视图
（不按比例）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
选购指南
CY7C109D-10
CY7C1009D-10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
80
3
单位
ns
mA
mA
记
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05468牧师* E
第11 2
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
... -0.5V至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
...................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
............................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
0.5V
速度
10纳秒
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
MAX V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
7C109D-10
7C1009D-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
最大
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
单位
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
I
SB2
3
mA
记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05468牧师* E
第11 3
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
300-Mil
广SOJ
57.61
40.53
400-Mil
广SOJ
56.29
38.14
TSOP I
50.72
16.21
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
3.0V
30 pF的*
GND
上升时间：
≤
3纳秒
(a)
(b)
下降时间：
≤
3纳秒
高阻抗特性：
5V
产量
INCLUDING
夹具
范围
5 pF的
R2
255
R1 480
(c)
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05468牧师* E
第11 4
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
开关特性
（在整个工作范围内）
[6]
参数
读周期
t
电力[ 7 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
聚氨酯[10]
t
PD [10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[8, 9]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[9]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[8, 9]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
10
7
7
0
0
7
6
0
3
5
0
10
3
5
0
5
3
10
5
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
7C109D-10
7C1009D-10
民
最大
单位
写周期
[11, 12]
笔记
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取能够进行
8. t
HZOE
, t
HZCE
和T
HZWE
的采用5 pF的负载电容被指定为在（c）部分
“交流测试负载和波形
[5]
“第4页。
当输入输出过渡测量
一个高阻抗状态。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10，此参数由设计保证，未经测试。
11.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，并
任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
12.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05468牧师* E
第11个5
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
特点
■
■
功能说明
[1]
该CY7C109D / CY7C1009D是一个高性能的CMOS
静态RAM由8位， 131,072字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE
1
） ，高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，有源低
输出使能（ OE ）和三态drivers.The八进
输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被置于高阻抗
状态时：
■
■
■
引脚和功能兼容CY7C109B / CY7C1009B
高速
t
AA
= 10纳秒
低有功功率
I
CC
= 80 mA的10纳秒
CMOS的低待机功耗
I
SB2
= 3毫安
2.0 V数据保留
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE选项
CY7C109D在提供无铅32引脚400密耳宽模压
SOJ和32引脚TSOP封装我。 CY7C1009D可用
无铅32引脚300mil的全模压SOJ包装
■
■
■
■
■
■
■
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（ CE
1
低，CE
2
高，
和WE LOW ）
通过采取芯片使能一个写入设备（ CE
1
）和写
使能（ WE）输入低电平，芯片使能两（ CE
2
）输入
HIGH 。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
).
从设备读取采取芯片使能一（ CE
1
）和
输出使能（ OE ）低，而强迫写使能（ WE）和
芯片使能两（ CE
2
）高。在这些条件下，该
由地址引脚指定的存储单元的内容
出现在I / O引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
IO0
IO1
行解码器
128K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
CE1
CE2
WE
OE
列解码器
动力
下
IO7
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05468牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年4月15日
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
目录
引脚配置................................................ ............. 3
选型指南................................................ ................ 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性
（在工作范围） ... 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
开关特性
（在整个工作范围内）
.. 6
数据保持特性
（在整个工作范围内）
............................................... 7
数据保存波形............................................... 7
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ........................ 9
订购信息................................................ ...... 10
订购代码定义......................................... 10
包图................................................ .......... 11
与缩略语................................................. ....................... 12
文档约定................................................ 12
计量单位............................................... ........ 12
文档历史记录页............................................... .. 13
销售，解决方案和法律信息...................... 14
全球销售和设计支持....................... 14
产品................................................. ................... 14
文件编号： 38-05468牧师* G
第14页2
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
引脚配置
[2]
SOJ
顶视图
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
TSOP I
顶视图
（不按比例）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
选购指南
CY7C109D-10
CY7C1009D-10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
80
3
单位
ns
mA
mA
记
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05468牧师* G
第14页3
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
..- 0.5 V至6.0 V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
................................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
直流输入电压
[3]
............................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5 V
±
0.5 V
速度
10纳秒
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
MAX V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
,
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.3 V ，或CE
2
< 0.3 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3 V或V
IN
< 0.3 V ， F = 0
测试条件
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
7C109D-10
7C1009D-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
最大
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
单位
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
I
SB2
3
mA
记
3. V
IL
（分钟）= -2.0 V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1 V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05468牧师* G
第14页4
[+ ]反馈
CY7C109D
CY7C1009D
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0 V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
300-Mil
广SOJ
57.61
40.53
400-Mil
广SOJ
56.29
38.14
TSOP I
50.72
16.21
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
所有的输入脉冲
Z = 50Ω
产量
50
Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5 V
上升时间：
≤
3纳秒
3.0 V
90%
90%
10%
30 pF的*
GND
10%
(a)
(b)
下降时间：
≤
3纳秒
高阻抗特性：
R1 480Ω
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255Ω
(c)
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05468牧师* G
第14页5
[+ ]反馈
查看更多CY7C109DPDF信息
推荐型号
CY8C20534-12PVXI
CS65-70B
CXA1665
CY7C346-25JI
CV111-3AF
CD4001MW
CXA1260Q-Z
CR16MCS9VJE97
CY37064VP100-143AXC
CPH3145
CAT25C16V-TE13
CYSD1J1A20.000
CY37128VP100-66AXC
CY22800-152A
CM1407-08DE
CX94610
CBC-EVAL-09
CD54HC280M
CAT93C76YI-T2
CTSLF0732T-3R3M
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    CY7C109D
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
CY7C109D
CYPRESS
24+
9850
原厂原封
100%原装正品，可长期订货
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
CY7C109D
CYPRESS
最新环保批次
28500
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
CY7C109D
CYPRESS
最新环保批次
28500
全新原装正品/质量有保证
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
CY7C109D
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10304
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多CY7C109D供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！