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CPH3145 / CPH3245
CPH3145 / CPH3245
应用
PNP / NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
超小型封装有利于小型化终产物（安装高度： 0.9毫米） 。
高允许功耗。
特定网络阳离子
（）： CPH3145
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 600毫米
2
!0.8mm)
条件
评级
(--50)80
(--50)80
(--)50
(--)6
(--)2
(--)4
(--)400
0.9
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ -
-)100mA
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 300毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
200
420
(16)8
评级
民
典型值
最大
(--)1
(--)1
560
兆赫
pF
单位
A
A
标记： CPH3145 ： BE ， CPH3245 ： DQ
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
D2004EA TS IM TB- 00000981 No.8166-1 / 5
CPH3145 / CPH3245
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
IC = （ - ） 100μA ， RBE = 0
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ -
- ） 10μA ， IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
(-
-50)80
(-
-50)80
(-
-)50
(--)6
(35)35
(200)330
(24)40
评级
民
典型值
(--)0.9
最大
(--)1.2
(-
-165)130 (--330)260
单位
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm
2150A
2.9
0.4
3
0.6
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
IB1
产量
IB2
VR
50
+
100F
VBE = --5V
+
470F
VCC=25V
RB
0.2
0.15
输入
RL
0.05
1.6
2.8
1
1.9
2
0.6
0.7
0.9
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
三洋： CPH3
0.2
IC = 10IB1 = --10IB2 = 0.7A
对于PNP ，极性是相反的。
--2.0
--1.8
IC - VCE
CPH3145
--
A
mA
60mA
0m
--80
--
10
2.0
IC - VCE
50m
m
--40
1.8
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
A
--20m
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
A
A
A
m
40
30mA
CPH3245
20mA
15mA
--10mA
--8mA
--6mA
--4mA
--2mA
10mA
8mA
6mA
4mA
2mA
--0.4
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
IB=0
--1.8
--2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IB=0
1.8
2.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
--2.00
--1.75
IT08923
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT08924
IC - VBE
CPH3145
VCE = --2V
集电极电流， IC - 一个
IC - VBE
CPH3245
VCE=2V
集电极电流， IC - 一个
--1.50
--1.25
--25
°
C
°
C
25
°
C
Ta=7
5
--0.75
--0.50
--0.25
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
IT08925
0
0.2
0.4
0.6
TA
75
--1.00
°
C
25
°
C
--25
°
C
0.8
1.0
IT08926
基极发射极电压VBE - V
基极发射极电压VBE - V
No.8166-2/5
CPH3145 / CPH3245
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
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PS No.8166-5 / 5
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