数据表
CS65-70B
CS65-70D
CS65-70M
CS65-70N
CS65-70P
CS65-70PB
可控硅整流器
70安培RMS ， 200 THRU 1200伏
TO- 65 CASE
描述
中央半导体CS65-70B系列类型有大功率可控硅整流器设计
相位控制应用。
最大额定值（Ta = 25° C除非另有说明）
符号
重复峰值断态电压
峰值不重复反向电压
RMS通态电流（ TC = 102 ° C）
平均通态电流（ TC = 102 ° C）
峰值一个周期浪涌（ 60Hz）的
I
2
为融合吨值（T = 8.3ms的）
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均栅极电源（ TP = 10微秒）
栅极峰值电流
通态电流临界上升率
储存温度
结温
热阻
VDRM ， VRRM
VRSM
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
ITSM
I
2
t
VFGM
VRGM
PGM
PG （AV）
IGM
的di / dt
TSTG
TJ
Θ
J-
CS65 CS65 CS65 CS65
-70B -70D -70M -70N
200
300
400
500
600
700
63
40
1000
4100
20
10
10
1.0
3.0
200
-65到+150
-65到+125
0.35
800
900
CS65
-70P
1000
1100
CS65
-70PB单位
1200
1300
V
V
A
A
A
A
2
s
V
V
W
W
A
A / μs的
°C
°C
° C / W
电气特性（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
IDRM ， IRRM
IGT
IH
VGT
VTM
dv / dt的
测试条件
额定VDRM ， VRRM ， TC = 125°C
VD = 12V ，RL = 33Ω
IT=500mA
VD = 12V ，RL = 33Ω
ITM=500A
VD = 0.67 X VDRM ， TC = 125°C
民
典型值
最大
6.0
100
200
3.0
3.0
200
单位
mA
mA
mA
V
V
V / μs的
（请参阅背面）
R2
CS65-70系列
SILCON控整流器
最大通态特性
1000
I
TM
，通态电流（A
T C = 2 5℃
T C = 12 5℃
100
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
TM
， 0：N - ST A T E V LT A G E（ V）
TO- 65封装 - 机械外形
A
D
B
C
尺寸
英寸
MILLIMETERS
最大
民
最大
符号最小值
A（ DIA ）
-
0.667
-
16.94
B
0.025 0.030 0.64
0.76
C
-
0.770
-
19.56
D
0.677 0.685 17.20 17.40
E
0.120
-
3.05
-
F
0.200 0.300 5.08
7.62
G（ DIA ） 0.145 0.155 3.68
3.93
H
0.065 0.085 1.65
2.15
J
1.200 1.250 30.48 31.75
K（ DIA ） 0.055 0.065 1.40
1.65
L
0.115 0.155 2.92
3.94
M
-
0.515
-
13.08
N
0.427 0.447 10.84 11.35
TO- 65 （ REV ： R1 ）
H
F
G
E
阴极
J
K
门
M
L
N
阳极
1 / 4-28 UNF - 3A螺纹
R1
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