CY7C1061BV33
16兆位（ 1M ×16 ）静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 990毫瓦（最大）
工作3.3 ± 0.3V的电压
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
提供无铅和无无铅54引脚TSOP II
包
低使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过使芯片实现
通过采取CE为低，同时迫使输出使能（ OE ）低
和写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）是
低电平，然后从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。见真值表本数据手册的后面的
读写模式，完整的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ LOW CE和WE低）。
该CY7C1061BV33可在一个54引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
功能说明
该CY7C1061BV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为1,048,576字。
写入设备是通过使芯片（CE完成
LOW ），而强迫写使能（ WE）输入低电平。如果字节
逻辑框图
销刀豆网络gurations
[1, 2]
54针TSOP II （顶视图）
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1M ×16
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
I / O
12
V
CC
I / O
13
I / O
14
V
SS
I / O
15
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
BHE
CE
V
CC
WE
DNU / V
CC
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
I / O
0
V
CC
I / O
1
I / O
2
V
SS
I / O
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
I / O
11
V
SS
I / O
10
I / O
9
V
CC
I / O
8
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
OE
V
SS
DNU / V
SS
BLE
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
7
V
SS
I / O
6
I / O
5
V
CC
I / O
4
行解码器
注意事项：
1. DNU / V
CC
销（ ＃ 16 ）必须悬空或连接到V
CC
和DNU / V
SS
引脚（ ＃ 40 ）必须悬空或连接到V
SS
以确保适当的应用程序。
2. NC - 未连接引脚未连接至模
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05693牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY7C1061BV33
选购指南
–10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
广告
产业
商业/工业
10
275
275
50
–12
12
260
260
50
mA
单位
ns
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
-0.5V至+ 4.6VDC
施加电压到输出
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
–10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
广告
产业
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
70
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
260
260
70
–12
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
商用/
产业
I
SB2
50
50
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
描述
测试条件
54针TSOP -II
49.95
3.34
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻（结到环境） ，测试条件遵循标准测试
方法和程序
热阻（结到管壳）
测量热阻抗，每
EIA/JESD51.
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05693牧师* B
第2 9
[+ ]反馈
CY7C1061BV33
交流测试负载和波形
[5]
50
产量
Z
0
= 50
30 pF的*
V
TH
= 1.5V
*容性负载由所有的COM的
在测试环境中的元件。
所有的输入脉冲
3.3V
90%
GND
上升时间> 1V / ns的
10%
90%
10%
下降时间： > 1V / ns的
3.3V
产量
5 pF的*
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 317
(a)
(b)
(c)
AC开关特性
在整个工作范围
[6]
–10
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
（典型值）的第一接入
[7]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[8]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[8]
CE为低电时
[9]
CE为高电平
掉电
[9]
1
5
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
10
5
1
6
3
5
0
12
6
1
5
3
6
3
10
5
1
6
1
10
10
3
12
6
1
12
12
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
–12
马克斯。
单位
注意事项：
5.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
并指定传输线的负载。试验条件为交流测试负载的读周期利用输出部分地示出加载） ，除非另有规定。
7.这部分有一个电压调节器降压为3V的电压在内部2V 。吨
动力
时，必须首先提供一个读/写操作是前
开始。
8. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
, t
HZBE
和T
LZOE
, t
LZCE
, t
\\ LZWE
, t
LZBE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±200
毫伏从稳态
电压。
9，这些参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。芯片使必须是活动和WE和字节使能必须低到
开始写，以及任何这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考前缘
因此终止了写入的信号。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05693牧师* B
第3 9
[+ ]反馈
CY7C1061BV33
AC开关特性
在整个工作范围
[6]
（续）
–10
参数
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
t
HA
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[8]
WE低到高-Z
[8]
字节使能，以结束写的
从写端地址保持
7
0
10
7
7
0
7
5.5
0
3
5
8
0
12
8
7
0
8
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
–12
马克斯。
单位
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
12.设备被连续地选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05693牧师* B
第4页第9
[+ ]反馈
CY7C1061BV33
开关波形
（续）
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IICC
CC
I
SB
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
写周期第1号（ CE控制）
[15, 16]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
BW
BHE ， BLE
t
SD
DATAI / O
t
HD
t
HA
注意事项：
14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
15.数据的I / O为高阻抗，如果OE或BHE和/或BLE = V
IH
.
16.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05693牧师* B
第5 9
[+ ]反馈
