CAT28C512/513
512K位CMOS并行EEPROM
特点
s
快速读取访问时间： 120/150纳秒
s
低功耗CMOS功耗：
s
自动页写操作：
-active ：最大50 mA 。
-Standby ： 200
A最大。
s
简单的写操作：
-1 128字节的5毫秒
负载翻页计时器
s
写检测结束：
- 酮芯片地址和数据锁存器
- 自定时写周期，自动清除
s
快速写周期时间：
- 切换位
威刚投票
数据
s
硬件和软件写保护
s
100,000编程/擦除周期
s
百年数据保留
s
商用，工业和汽车
-5ms最大
s
CMOS和TTL兼容的I / O
温度范围
描述
该CAT28C512 / 513是一种快速，低功耗， 5V - CMOS只
并行EEPROM组织为64K ×8位。它要求
一个简单的界面，在系统编程。片上
地址和数据锁存器，自定时写周期
自动清除和V
CC
上电/掉电写保护
消除附加的定时和保护硬件。
数据
轮询和切换状态位信号的开始和
自定时写周期的结束。此外，该
CAT28C512 / 513功能的硬件和软件写
保护。
该CAT28C512 / 513使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保留100年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚DIP ， PLCC ，32引脚TSOP和40引脚
TSOP封装。
框图
A7–A15
ADDR 。 BUFFER
&门锁
对开关
写
保护
ROW
解码器
65,536 x 8
E
2
舞会
ARRAY
128字节页
注册
VCC
高压
发电机
CE
OE
WE
控制
I / O缓冲器
定时器
数据轮询
和
切换位
COLUMN
解码器
5096 FHD F02
I/O0–I/O7
A0–A6
ADDR 。 BUFFER
&门锁
2001 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1007号，版本A
CAT28C512/513
引脚配置
DIP封装（ P）
PLCC封装（ N）
A12
A15
NC
NC
VCC
WE
NC
PLCC封装（ N）
A15
VCC
WE
A7
A12
A14
A13
29
28
27
26
25
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
4 3 2 1 32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
29
28
27
26
25
24
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
4 3 2 1 32 31 30
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
CAT28C512
顶视图
CAT28C513
顶视图
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
5096 FHD F01
TSOP封装（10毫米X 14毫米） （ T14 ）
A11
A9
A8
A13
A14
NC
NC
NC
WE
VCC
NC
NC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
NC
VSS
NC
NC
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
TSOP封装（ 8mmx20mm ） （ T）
NC
I/O3
I/O4
I/O5
CAT28C512
顶视图
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CAT28C512
顶视图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚功能
引脚名称
A
0
–A
15
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
引脚名称
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
写使能
5V电源
地
无连接
文档。 1007号，版本A
2
CAT28C512/513
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面
(2)
........... -2.0V到+ V
CC
+ 2.0V
V
CC
相对于地面............... -2.0V至+ 7.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） ................................... 1.0W
引线焊接温度（ 10秒） ............ 300℃
输出短路电流
(3)
........................百毫安
可靠性的特点
符号
N
END(1)
T
DR(1)
V
ZAP(1)
I
LTH(1)(4)
参数
耐力
数据保留
ESD敏感性
闭锁
民
100,000
100
2000
100
马克斯。
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或之外的任何其他条件的
在本规范钙的业务部门所列出的那些
化，是不是暗示。暴露于任何绝对最大
评级长时间会影响器件的perfor-
曼斯和可靠性。
单位
周期/字节
岁月
伏
mA
测试方法
MIL - STD-883标准，测试方法1033
MIL - STD-883标准，测试方法1008
MIL - STD-883标准，测试方法3015
JEDEC标准17
直流工作特性
V
CC
= 5V
±10%,
除非另有规定ED 。
范围
符号
I
CC
I
CCC(5)
I
SB
I
SBC(6)
I
LI
I
LO
V
IH(6)
V
IL(5)
V
OH
V
OL
V
WI
参数
V
CC
电流（工作， TTL ）
V
CC
电流（工作， CMOS ）
V
CC
电流（待机， TTL ）
V
CC
电流（待机， CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
写禁止电压
3.5
-10
-10
2
-1
2.4
0.4
民
典型值
马克斯。
50
25
3
200
10
10
V
CC
+0.3
0.8
单位
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
I
OH
= –400A
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
CE
=
OE
= V
IL
， F = 6MH
z
所有的I / O公开赛
CE
=
OE
= V
ILC
， F = 6MH
z
所有的I / O公开赛
CE
= V
IH
，所有的I / O公开赛
CE
= V
IHC
,
所有的I / O公开赛
V
IN
= GND到V
CC
V
OUT
= GND到V
CC
,
CE
= V
IH
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2）最小的直流输入电压为-0.5V 。在转换过程中，输入可能下冲至-2.0V为小于20毫微秒周期。最大直流
电压输出引脚为V
CC
+ 0.5V ，这可能会过冲至V
CC
+ 2.0V为小于20毫微秒周期。
（ 3）输出短路不超过一秒。不超过一个输出短路的时间。
提供（ 4 ）闩锁保护的压力高达100mA的地址和数据引脚从-1V到V
CC
+1V.
(5) V
ILC
= -0.3V到+ 0.3V 。
(6) V
IHC
= V
CC
-0.3V到V
CC
+0.3V.
3
文档。 1007号，版本。一
CAT28C512/513
模式选择
模式
读
字节写（我们控制）
字节写（ CE控制）
待机和写禁止
读取和写入禁止
H
X
CE
L
L
L
X
H
WE
H
OE
L
H
H
X
H
I / O
D
OUT
D
IN
D
IN
高-Z
高-Z
动力
活跃
活跃
活跃
待机
活跃
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫，V
CC
= 5V
符号
C
I/O(1)
C
IN(1)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
交流的特点，读周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C512/513-12 28C512/513-15
符号
t
RC
t
CE
t
AA
t
OE
t
LZ(1)
t
OLZ(1)
t
HZ(1)(2)
t
OHZ(1)(2)
t
OH(1)
参数
读周期时间
CE
存取时间
地址访问时间
OE
存取时间
CE
低到有源输出
OE
低到有源输出
CE
高输出高阻态
OE
高输出高阻态
从地址变更输出保持
0
0
0
50
50
0
分钟。
120
120
120
50
0
0
50
50
马克斯。
分钟。
150
150
150
70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
上电时序
符号
t
聚氨酯（1）
t
PUW （2）
参数
上电到读操作
上电到写操作
5
分钟。
最大
100
10
单位
s
ms
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（2）输出的浮动（高Z ）被定义为状态时的外部数据线是由输出缓冲器不再驱动。
文档。 1007号，版本A
4
CAT28C512/513
交流的特点，写周期
V
CC
= 5V ±10％ ，除非另有说明
28C512/513-12 28C512/513-15
分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
5
0
50
0
0
100
0
0
100
50
0
5
0.1
10
100
0
50
0
0
100
0
0
100
50
0
5
0.1
10
100
5
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
CW(3)
t
OES
t
OEH
t
WP(3)
t
DS
t
DH
t
INIT(1)
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
CE
建立时间
CE
保持时间
CE
脉冲时间
OE
建立时间
OE
保持时间
WE
脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写保护期后电
t
BLC(1)(4)
字节负载循环时间
图1.交流测试输入/输出波形（ 2 ）
2.4 V
输入脉冲电平
0.45 V
0.8 V
5096 FHD F03
2.0 V
参考点
图2.交流测试负载电路（例如）
1.3V
1N914
3.3K
设备
下
TEST
OUT
CL = 100 pF的
5096 FHD F04
CL INCLUDES夹具电容
注意：
（ 1 ）此参数与最初设计或工艺变更影响的参数后进行测试。
（ 2 ）输入上升和下降时间（ 10 ％和90 ％ ）， < 10纳秒。
（ 3 ）小于20ns的时间写脉冲不会启动写周期。
持续时间T（ 4 ）计时器
BLC
最大。开始每低到WE高过渡。如果允许超时，页面或字节写操作将开始;
从高电平变为低电平内吨然而过渡
BLC
最大。停止定时器。
5
文档。 1007号，版本。一
