CY7C1049BNV33
512K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 504毫瓦(最大)
CMOS低待机功耗(商业L型)
- 1.8毫瓦(最大)
2.0V数据保留( 660
W
在2.0V保留)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
功能说明
[1]
该CY7C1049BNV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位, 524,288字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能( CE)的
低电平有效输出使能( OE )和三态驱动器。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。在八个数据I / O
引脚( I / O
0
通过I / O
7
)将被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能( CE)和输出使能( OE )为低,同时迫使写
使能( WE) HIGH 。根据这些条件下,内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE为高电平) ,或写在
操作( CE低, WE LOW ) 。
该CY7C1049BNV33可在一个标准的400密耳宽
36引脚SOJ和44引脚TSOPII封装中心供电
和地(革命)的引脚。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
TSOP
顶视图
I / O
0
INPUTBUFFER
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
GND
I / O
2
I/O3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
GND
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
NC
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-06432修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
[+ ]反馈
CY7C1049BNV33
选购指南
-12
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流(mA )
最大的CMOS待机电流(mA )
Com'l
Ind'l
Com'l / Ind'l
Com'l
L
12
200
220
8
0.5
-15
15
180
200
8
0.5
-20
20
160
170
8
0.5
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.....- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
[2]
在高Z状态.......................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出( LOW ) ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
测试条件
V
CC
=最小值,
I
OH
= -4.0毫安
分钟。
2.4
0.4
2.2 V
CC
+ 0.5
–0.5
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
OUT
& LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大,
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
IH
V
IN
& GT ; V
IH
or
V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
Com'l / Ind'l
CE > V
CC
– 0.3V,
Com'l L
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
& LT ; 0.3V , F = 0
Com'l
Ind'l
–1
–1
0.8
+1
+1
200
220
30
2.2
–0.5
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
180
200
30
2.2
–0.5
–1
–1
-15
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
160
170
30
-20
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
输出低电压V
CC
=最小值,
I
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
-TTL输入
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
I
SB2
8
0.5
8
0.5
8
0.5
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.对于SRAM的系统设计指南,请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记,在互联网上提供的www.cypress.com 。
2. V
IL
(分) = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 001-06432修订版**
第2页8
[+ ]反馈
CY7C1049BNV33
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
351
R1 317
戴维南等效
167
产量
所有的输入脉冲
3.3V
90%
90%
10%
下降时间:
1 V / ns的
GND
上升时间: 1 V / ns的
10%
1.73V
(b)
AC开关特性
[4]
在整个工作范围
-12
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
(典型值)的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
0
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
3
6
0
15
20
13
13
0
0
13
9
0
3
8
0
6
3
7
0
20
3
12
6
0
7
3
8
1
12
12
3
15
7
0
8
1
15
15
3
20
8
1
20
20
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
写周期
[8, 9]
注意事项:
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间,定时1.5V的参考电平,为0的输入脉冲电平到3.0V ,并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.这部分有一个电压调节器,它由5V电压降压至3.3V内部。 T.
动力
时,必须首先提供一个读/写操作是前
开始。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载(b)部分。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义,和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写,和过渡要么
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号(WE控制, OE为低电平)是t的总和
HZWE
和T
SD
.
10.没有输入可能超过V
CC
+ 0.5V
11. .t
r
& LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
& LT ; 5纳秒为-20 NS和较慢的速度。
文件编号: 001-06432修订版**
第3页8
[+ ]反馈
CY7C1049BNV33
开关波形
(续)
写周期号1 (我们控制, OE高在写)
[15, 16]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注17
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
写周期2号(我们控制, OE低)
[16]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
SD
数据I / O
注17
t
HZWE
数据有效
t
PWE
t
HA
t
HD
t
LZWE
真值表
CE
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
I / O
0
- I / O
7
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
掉电
读
写
选择输出禁用
模式
动力
待机(我
SB
)
主动(我
CC
)
主动(我
CC
)
主动(我
CC
)
注意事项:
15.数据的I / O为高阻抗,如果OE = V
IH
.
16.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时,输出保持在高阻抗状态。
17.在此期间, I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号: 001-06432修订版**
第5页8
[+ ]反馈