CY62128B
的MoBL
128K ×8静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
4.5V - 5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
（ 70纳秒， LL版，商业，工业）
- 82.5毫瓦（最大） （15 mA）的
低待机功耗
（ 70纳秒， LL版，商业，工业）
— 110
W
（最大值） （15
A)
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
功能说明
[1]
该CY62128B是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 131,072字。容易记忆
扩展是由一个低电平有效芯片使能（ CE提供
1
),
高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，一个低电平有效输出
使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能，可降低功耗
取消选择时，由多于75％的消耗。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低和芯片
启用两个（ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
启用一个（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，存储单元的内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY62128B可在一个标准的450密耳SOIC宽，
32引脚的TSOP型I和STSOP包。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
行解码器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
动力
下
512x 256x 8
ARRAY
CE1
CE2
WE
OE
COLUMN
解码器
I / O 6
I / O 7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A9
A 10
A 11
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05300牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年2月14日
CY62128B
的MoBL
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62128BLL
产业
产业
汽车
分钟。
4.5
典型值。
[2]
5.0
马克斯。
5.5
速度
（纳秒）
55
70
70
工作，我
CC
（MA ）
典型值。
[2]
7.5
6
6
马克斯。
20
15
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
2.5
2.5
2.5
马克斯。
15
15
25
销刀豆网络gurations
顶视图
SOIC
1
2
3
4
A7 5
A6 6
A5 7
A4 8
A3 9
A2 10
A1 11
A0 12
I / O
0 13
I / O
1 14
I / O
2 15
GN
G
ND 16
g
GNC
G
NC
A16
A14
A12
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE
2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
16
A
12
A
14
A
7
A
4
A
5
A
6
V
CC
NC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
反向TSOP I
顶视图
（不按比例）
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
11
A
2
A
9
A
1
A
8
A
13
A
0
I / O
0
WE
I / O
1
CE
2
A
15
I / O
2
GND V
CC
NC
I / O
3
A
16
I / O
4
A
14
I / O
5
A
12
I / O
6
A
7
I / O
7
A
6
CE
1
A
5
A
10
A
4
OE
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
STSOP
顶视图
（不按比例）
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
TSOP I
顶视图
（不按比例）
32
31
30
29
28
27
26
25
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
引脚德网络nitions
输入
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
输入/控制
地
电源
A
0
-A
16
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
写使能，低电平有效。当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读
下进行的。
CE
1
。芯片使能1 ，低电平有效。
CE
2
。芯片使能2 ，高电平有效。
OE 。
输出使能，低电平有效。控制的I / O引脚的方向。当低时， I / O引脚用作
输出。当拉高高， I / O引脚三态，并作为输入数据引脚
GND 。
地为设备
V
CC
。电源为设备
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，未经测试或保证。典型的值是平均跨越正常生产的分布
变化，主要在V测
CC
= 5.0V ，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
= 70纳秒。
文件编号： 38-05300牧师* C
第11 2
CY62128B
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[3]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车
环境
温度（T
A
)
[4]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
CY62128B-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
当前
[5]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
汽车
GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
输出禁用
–1
汽车
–300
7.5
20
6
6
0.1
2
0.1
0.1
2.5
15
2.5
2.5
+1
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
2.2
–0.3
–1
–10
–1
–10
典型值。
[2]
马克斯。
CY62128B-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+10
+1
+10
–300
15
25
1
2
15
25
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
＆ LT ; V
IL
,
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
工业，
广告
汽车
产业
广告
汽车
I
SB1
I
SB2
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
产业
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
CC
- 0.3V ，商业
或CE
2
≤
0.3V,
汽车
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
热阻
[6]
参数
描述
测试条件
32 SOIC 32 TSOP 32 STSOP 32 RTSOP
66.17
30.87
97.44
26.05
105.14
14.09
97.44
26.05
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循标准测试
（结到环境）的方法和程序
热电阻测量的热阻抗，每
EIA / JESD51 。
（结点到外壳）
注意：
3. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
5.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05300牧师* C
第11 3
CY62128B
的MoBL
开关特性
[7]
在整个工作范围
62128B-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[8, 9]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[9]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[8, 9]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
55
45
45
0
0
45
25
0
5
20
0
55
70
60
60
0
0
50
30
0
5
25
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62128B-70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10]
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
t
AA
数据有效
以前的数据有效
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，并
任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
12.设备被连续地选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05300牧师* C
第11个5
