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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第299页 > CY7C1046DV33-10VXI
CY7C1046DV33
4兆位（ 1M ×4 ），静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1046CV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 90毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 10毫安
2.0 V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
提供无铅400密耳宽32引脚封装SOJ
功能说明
[1]
该CY7C1046DV33是一个高性能的CMOS静态
RAM 4位组织为100万字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。写作
到该设备，采取芯片使能（CE）来实现，并
写使能（ WE）输入低电平。在四个I / O引脚上的数据（I / O
0
通过I / O
3
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1046DV33可在一个标准的400密耳宽
32引脚SOJ封装中心的电源和地（革命
任意）引脚排列。
逻辑框图
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
输入缓冲器
I / O
0
检测放大器
1兆位×4
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
V
CC
GND
I / O
1
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
3
GND
V
CC
I / O
2
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
行解码器
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-10
10
90
10
单位
ns
mA
mA
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅
系统设计指南
赛普拉斯应用笔记，可以在互联网上www.cypress.com上。
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05611牧师* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年4月3日
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
直流输入电压
[2]
................................. -0.3V到V
CC
+0.3V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V + 0.3V
.......- 0.3 + 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
.....................................- 0.3V至V
CC
+0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
80
70
60
20
10
mA
mA
mA
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ包装单位
53.44
38.25
° C / W
° C / W
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
文件编号： 38-05611牧师* B
第2页8
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
交流测试负载和波形
[4]
Z=50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
高阻抗特性：
3.3V
产量
5 pF的
(c)
R2
351
R 317
1.5V
(a)
3.0V
90%
所有的输入脉冲
90%
10%
10%
30 pF的*
GND
上升时间： 1 V / ns的
(b)
下降时间： 1 V / ns的
AC开关特性
在整个工作范围
[5]
-10
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
周期
[9, 10]
写周期时间
描述
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
分钟。
100
10
马克斯。
单位
s
ns
10
3
10
5
0
5
3
5
0
10
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
WE低到
[8]
高-Z
[7, 8]
注意事项：
4. AC特性（高Z除外）使用（a）中所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载显示所有速度
（c）中。
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
6. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容的（c）部分。当输出输入高电平的转换测量
阻抗状态。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡要么
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05611牧师* B
第3页8
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
[3]
[12]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
条件
[11]
分钟。
2.0
最大
10
单位
V
mA
ns
ns
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
芯片取消到数据保留时间CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
手术恢复时间
0
t
RC
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0V
t
CDR
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[13, 14]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[14, 15]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
I
CC
高
阻抗
注意事项：
11.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V
12.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s
13.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
14.我们是高读周期。
15.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05611牧师* B
第4页8
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE控制）
[16, 17]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[16, 17]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注18
t
HZOE
注意事项：
16.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
17.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
18.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
t
HD
数据
IN
有效
文件编号： 38-05611牧师* B
第5页8
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
4兆位（ 1米×4 ），静态RAM
4兆位（ 1米×4 ），静态RAM
特点
■
■
功能说明
该CY7C1046DV33
[1]
是一个高性能的CMOS静态
RAM 4位组织为100万字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。写作
到该设备，采取芯片使能（CE）来实现，并
写使能（ WE）输入低电平。在四个I / O引脚上的数据（I / O
0
通过I / O
3
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1046DV33可在一个标准的400密耳宽
32引脚SOJ封装中心的电源和地
（革命）的引脚。
引脚和功能兼容CY7C1046CV33
高速
t
AA
= 10纳秒
低有功功率
I
CC
= 90毫安， 10纳秒
CMOS的低待机功耗
I
SB2
= 10毫安
2.0 V数据保留
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅400密耳宽32引脚封装SOJ
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
输入缓冲器
行解码器
I / O
0
检测放大器
1兆位×4
I / O
1
I / O
2
I / O
3
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅
系统设计指南
赛普拉斯应用笔记，可在互联网上
www.cypress.com 。
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05611牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年12月2日
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
目录
选型指南................................................ ................ 3
引脚配置................................................ ............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
直流电气特性.......................................... 4
电容................................................. ..................... 4
热阻................................................ .......... 4
交流测试负载和波形....................................... 5
AC开关特性......................................... 6
数据保持特性....................................... 7
数据保存波形............................................... 7
开关波形................................................ ...... 7
读周期1号............................................. ........... 7
读周期2号（ OE控制） .............................. 7
写周期第1号（ CE控制） ............................... 8
写周期2号（我们控制，
OE高在写） ............................................. ......... 8
写周期第3号（我们控制， OE低） ............. 9
真值表................................................ ........................ 9
订购信息................................................ ...... 10
订购代码定义......................................... 10
包图................................................ ............ 11
与缩略语................................................. ....................... 12
文档约定................................................ 12
计量单位............................................... ........ 12
文档历史记录页............................................... .. 13
销售，解决方案和法律信息...................... 14
全球销售和设计支持....................... 14
产品................................................. ................... 14
的PSoC解决方案................................................ ......... 14
文件编号： 38-05611牧师* D
第14页2
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
–10
10
90
10
单位
ns
mA
mA
引脚配置
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
V
CC
GND
I / O
1
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
OE
I / O
3
GND
V
CC
I / O
2
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
文件编号： 38-05611牧师* D
第14页3
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用........................................... -55°C至+125°C
在V电源电压
CC
相对于GND ........ -0.3到+4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
.................................. 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
[2]
直流输入电压
[2]
............................... 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+85°C
V
CC
3.3 V + 0.3 V
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3 V或V
IN
< 0.3 V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
–10
民
2.4
–
2.0
–0.3
–1
–1
–
–
–
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
80
70
60
20
10
mA
mA
mA
单位
V
V
V
V
A
A
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3 V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
JA
JC
描述
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ包装
53.44
38.25
单位
° C / W
° C / W
笔记
2. V
IL
（分钟）= -2.0 V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05611牧师* D
第14页4
[+ ]反馈
CY7C1046DV33
交流测试负载和波形
[4]
Z=50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
高Z特点：
3.3 V
产量
5 pF的
(c)
R2
351
R 317
1.5 V
(a)
3.0 V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
30 pF的*
GND
上升时间： 1 V / ns的
(b)
下降时间： 1 V / ns的
记
4. AC特性（高原子序数除外）使用（a）中所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
在（ c）中所示。
文件编号： 38-05611牧师* D
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