低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
产品特点：
的Vcc工作电压： 3.0V 3.6V
低功耗：
20毫安（最大）工作电流
为2uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
25ns的（最大）在Vcc = 3.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
数据保持电源电压低至1.2V
易于扩展与CE \\和OE \\选项
UC62LS4008
-20/-25
描述
该UC62LV2008是一款高性能，低功耗
CMOS静态随机存取记忆体组织为524,288
由8位字，并从3.0V至3.6V电源
电压。先进的CMOS技术和电路技术
同时提供高速，低功耗的特点，用
为2uA和最大接入典型CMOS待机电流
在3.0V操作25ns的时间。
易内存扩展，提供使能（ CE \\ ） ，并
低电平有效输出使能（ OE \\ ）和三态输出
驱动程序。
该UC62LS4008具有自动断电功能，
降低功率消耗显著当芯片是
取消选择。
该UC62LS4008是JEDEC标准32个可用
销450mil塑料SOP， 8mmx20.0mm TSOP （I型） ，
和8mmx13.4mm STSOP 。
产品系列
产品系列
UC62LS4008HC
UC62LS4008FC
UC62LS4008GC
UC62LS4008AC
UC62LS4008HI
UC62LS4008FI
UC62LS4008GI
UC62LS4008AI
操作
Tempature
VCC范围
速度
（纳秒）
Vcc=3.0V(Max.)
耗电量
待机
操作
Vcc=3.3V(Typ.)
2uA
Vcc=3.6V(Max.)
20mA
包
TYPE
TSOP-32
SOP-32
STSOP-32
骰子
TSOP-32
SOP-32
STSOP-32
骰子
0℃ ~ 70℃
3.0V ~ 3.6V
20/25
-40℃ ~ 85℃
3.0V ~ 3.6V
20/25
2uA
20mA
销刀豆网络gurations
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
32
1
31
2
30
3
29
4
28
5
27
6
26
7
25
8
9 CS62LS4008FI 24
10 CS62LS4008FC 23
22
11
21
12
20
13
19
14
15
18
16
17
VCC
A15
A18
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
框图
ROW
解码器
ROW
地址
地址输入
卜FF器
CE
WE
OE
A0 - A18
存储阵列
512K ×8位
COL
地址
列解码器
检测放大器
＆放大器;
写入驱动器
X8
I / O缓冲器
控制
输入
卜FF器
控制
块
CE
WE
OE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A11
A9
A8
A13
WE
A18
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CS62LS4008HI
CS62LS4008HC
CS62LS4008GI
CS62LS4008GC
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
U-芯片技术公司有限公司。
.
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低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
引脚说明
名字
A0 – A18
CE \\
TYPE
输入
输入
功能
UC62LS4008
-20/-25
地址输入，用于在RAM选择524288 ×8位字中的一个
CE \\低电平有效。芯片使能必须被激活时，数据读取或写入到该设备。如果芯片
使是不活动的，则取消选择器件，而不是在备用电源关断模式。在DQ
引脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
WE \\
输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与芯片
选，当WE \\为HIGH和OE \\为低时，输出数据将出现在DQ管脚，当
WE \\为LOW ，在DQ管脚的数据的内容就被写入到所选择的存储位置。
OE \\
输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而芯片选择
和写使能无效时，数据将出现在DQ管脚，它们将被激活。
DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE \\无效。
DQ0 - DQ7
VCC
GND
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE \\
X
H
H
L
CE \\
H
L
L
L
OE \\
X
H
L
X
I / O状态
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
PT
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5到V
CC
+0.5
-40至125
-50-150
1
20
单位
V
℃
℃
W
mA
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 °至70°
V
CC
3.0V ~ 3.6V
电容
(1)
(TA=25℃,f=1.0MHz)
符号
CIN
参数
条件MAX 。
单位
输入
VIN=0V
6
pF
电容
输入/输出
VDQ
8
pF
干熄焦
电容
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
U-芯片技术公司有限公司。
.
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低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
DC电气特性（ TA = 0 ℃到70℃ ）
符号
V
IL
V
IH
I
L
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
SB1
I
SB2
UC62LS4008
-20/-25
评论
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
TTL待机电流
CMOS待机电流
o
测试条件
V
CC
=2.4V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.6V V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
= 3.6V CE \\ = V
IH
或OE \\ = V
IH
V
IO
= 0V吨V
CC
V
CC
= 3.6V ，我
OL
=2mA
V
CC
= 3.0V ，我
OH
=-1mA
CE \\ = V
IL
,I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE \\ = V
IH
, V
IN
=V
IH
到V
IL
CE \\ = V
CC
-0.2V, V
IN
=V
CC
-0.2V
到0.2V
(3)
分钟。
-0.5
2.0
-
-
-
2.4
-
-
-
典型值。
(1)
-
-
-
-
-
-
-
-
2
马克斯。
0.8
Vcc-0.2
1
1
0.4
-
20
1
10
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
1.典型的特点是在TA = 25℃。
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 / tRC的。
数据保持特性（ TA = 0 ℃到70℃ ）
符号
V
DR
I
CCDR
t
DR
t
R
1.
2.
评论
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE \\ = V
CC
- 0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE \\ = V
CC
- 0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
见保留波形
T
RC
(2)
分钟。
1.2
-
0
典型值。
-
(1)
马克斯。
-
1
-
-
单位
V
uA
ns
ns
0.1
-
-
V
CC
= 1.5V ， TA = 25 ℃ 。
t
RC
=读周期时间
VCC低于数据保存波形
(1)
（ CE \\控制）
VCC
CE
t
CDR
VIH
数据保持方式
V
DR
> = 1 2V
CE > = V
CC
- 0. 2V
t
R
VIH
U-芯片技术公司有限公司。
.
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低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
UC62LS4008
-20/-25
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE
t
CLZ （ 5 ）
D
OUT
t
CE
t
CHZ （ 5 ）
读CYCLE3
(1,4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE
t
OLZ
t
CLZ （ 5 ）
D
OUT
注意事项：
1. \\高的读周期。
2.设备不断选择的时候CE \\ = VIL
3.地址之前或一致通过CE \\过渡低有效。
4. OE \\ = VIL 。
5.过渡是从稳定状态的CL = 5pF的测量± 500mV的，如图1B所示。该
参数是保证，但不是100 ％测试。
t
OH
t
OHZ （1,5）
t
CE
t
CHZ （ 5 ）
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低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
产品特点：
的Vcc工作电压： 3.0V 3.6V
低功耗：
20毫安（最大）工作电流
为2uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
25ns的（最大）在Vcc = 3.0V
自动断电，当芯片被取消
三态输出与TTL兼容
数据保持电源电压低至1.2V
易于扩展与CE \\和OE \\选项
UC62LS4008
-20/-25
描述
该UC62LV2008是一款高性能，低功耗
CMOS静态随机存取记忆体组织为524,288
由8位字，并从3.0V至3.6V电源
电压。先进的CMOS技术和电路技术
同时提供高速，低功耗的特点，用
为2uA和最大接入典型CMOS待机电流
在3.0V操作25ns的时间。
易内存扩展，提供使能（ CE \\ ） ，并
低电平有效输出使能（ OE \\ ）和三态输出
驱动程序。
该UC62LS4008具有自动断电功能，
降低功率消耗显著当芯片是
取消选择。
该UC62LS4008是JEDEC标准32个可用
销450mil塑料SOP， 8mmx20.0mm TSOP （I型） ，
和8mmx13.4mm STSOP 。
产品系列
产品系列
UC62LS4008HC
UC62LS4008FC
UC62LS4008GC
UC62LS4008AC
UC62LS4008HI
UC62LS4008FI
UC62LS4008GI
UC62LS4008AI
操作
Tempature
VCC范围
速度
（纳秒）
Vcc=3.0V(Max.)
耗电量
待机
操作
Vcc=3.3V(Typ.)
2uA
Vcc=3.6V(Max.)
20mA
包
TYPE
TSOP-32
SOP-32
STSOP-32
骰子
TSOP-32
SOP-32
STSOP-32
骰子
0℃ ~ 70℃
3.0V ~ 3.6V
20/25
-40℃ ~ 85℃
3.0V ~ 3.6V
20/25
2uA
20mA
销刀豆网络gurations
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
32
1
31
2
30
3
29
4
28
5
27
6
26
7
25
8
9 CS62LS4008FI 24
10 CS62LS4008FC 23
22
11
21
12
20
13
19
14
15
18
16
17
VCC
A15
A18
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
框图
ROW
解码器
ROW
地址
地址输入
卜FF器
CE
WE
OE
A0 - A18
存储阵列
512K ×8位
COL
地址
列解码器
检测放大器
＆放大器;
写入驱动器
X8
I / O缓冲器
控制
输入
卜FF器
控制
块
CE
WE
OE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
A11
A9
A8
A13
WE
A18
A15
VCC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
CS62LS4008HI
CS62LS4008HC
CS62LS4008GI
CS62LS4008GC
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
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低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
引脚说明
名字
A0 – A18
CE \\
TYPE
输入
输入
功能
UC62LS4008
-20/-25
地址输入，用于在RAM选择524288 ×8位字中的一个
CE \\低电平有效。芯片使能必须被激活时，数据读取或写入到该设备。如果芯片
使是不活动的，则取消选择器件，而不是在备用电源关断模式。在DQ
引脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
WE \\
输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与芯片
选，当WE \\为HIGH和OE \\为低时，输出数据将出现在DQ管脚，当
WE \\为LOW ，在DQ管脚的数据的内容就被写入到所选择的存储位置。
OE \\
输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能有效而芯片选择
和写使能无效时，数据将出现在DQ管脚，它们将被激活。
DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE \\无效。
DQ0 - DQ7
VCC
GND
I / O
动力
动力
这些8个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
写
WE \\
X
H
H
L
CE \\
H
L
L
L
OE \\
X
H
L
X
I / O状态
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
PT
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5到V
CC
+0.5
-40至125
-50-150
1
20
单位
V
℃
℃
W
mA
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 °至70°
V
CC
3.0V ~ 3.6V
电容
(1)
(TA=25℃,f=1.0MHz)
符号
CIN
参数
条件MAX 。
单位
输入
VIN=0V
6
pF
电容
输入/输出
VDQ
8
pF
干熄焦
电容
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
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512K ×8位
DC电气特性（ TA = 0 ℃到70℃ ）
符号
V
IL
V
IH
I
L
I
OL
V
OL
V
OH
I
CC
I
SB1
I
SB2
UC62LS4008
-20/-25
评论
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
TTL待机电流
CMOS待机电流
o
测试条件
V
CC
=2.4V
V
CC
=3.6V
V
CC
=3.6V V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
= 3.6V CE \\ = V
IH
或OE \\ = V
IH
V
IO
= 0V吨V
CC
V
CC
= 3.6V ，我
OL
=2mA
V
CC
= 3.0V ，我
OH
=-1mA
CE \\ = V
IL
,I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
CE \\ = V
IH
, V
IN
=V
IH
到V
IL
CE \\ = V
CC
-0.2V, V
IN
=V
CC
-0.2V
到0.2V
(3)
分钟。
-0.5
2.0
-
-
-
2.4
-
-
-
典型值。
(1)
-
-
-
-
-
-
-
-
2
马克斯。
0.8
Vcc-0.2
1
1
0.4
-
20
1
10
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
uA
1.典型的特点是在TA = 25℃。
2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
3.的Fmax = 1 / tRC的。
数据保持特性（ TA = 0 ℃到70℃ ）
符号
V
DR
I
CCDR
t
DR
t
R
1.
2.
评论
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE \\ = V
CC
- 0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE \\ = V
CC
- 0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
见保留波形
T
RC
(2)
分钟。
1.2
-
0
典型值。
-
(1)
马克斯。
-
1
-
-
单位
V
uA
ns
ns
0.1
-
-
V
CC
= 1.5V ， TA = 25 ℃ 。
t
RC
=读周期时间
VCC低于数据保存波形
(1)
（ CE \\控制）
VCC
CE
t
CDR
VIH
数据保持方式
V
DR
> = 1 2V
CE > = V
CC
- 0. 2V
t
R
VIH
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低功耗CMOS SRAM
512K ×8位
开关波形（读周期）
读CYCLE1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
UC62LS4008
-20/-25
t
OH
READ循环2
(1,3,4)
CE
t
CLZ （ 5 ）
D
OUT
t
CE
t
CHZ （ 5 ）
读CYCLE3
(1,4)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE
t
OLZ
t
CLZ （ 5 ）
D
OUT
注意事项：
1. \\高的读周期。
2.设备不断选择的时候CE \\ = VIL
3.地址之前或一致通过CE \\过渡低有效。
4. OE \\ = VIL 。
5.过渡是从稳定状态的CL = 5pF的测量± 500mV的，如图1B所示。该
参数是保证，但不是100 ％测试。
t
OH
t
OHZ （1,5）
t
CE
t
CHZ （ 5 ）
U-芯片技术公司有限公司。
.
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QQ：2880707522 复制
