CY62158CV25/30/33
的MoBL
1024K ×8的MoBL静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
电压范围：
- CY62158CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62158CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62158CV33 ： 3.0V - 3.6V
超低有功功率
- 典型工作电流为1mA @ F = 1兆赫
- 典型工作电流： 7毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机功耗
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
在便携式应用中，诸如蜂窝电话。 DE-的
副也有显自动断电功能
着80％的地址时降低功耗
不切换。该装置可被置于待机模式
dese-时功耗降低了99％以上的
lected （ CE
1
高或CE
2
低） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入
低。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）低
而强迫写使能（ WE） HIGH 。在这样的条件
中，请在存储器位置的由指定的内容
地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
该CY62158CV25 / 30/ 33个在48球FBGA封装提供
封装。
功能说明
该CY62158CV25 / 33分之30是高性能静态CMOS
由8位， 1024K字的RAM 。该设备为特色的
Tures的先进的电路设计，提供超低电流活跃
租。这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
CE
1
CE
2
WE
OE
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
1024K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
的MoBL ， MoBL2和更多的电池寿命是赛普拉斯半导体公司的商标
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05019牧师* B
3901北一街
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年1月18日
CY62158CV25/30/33
的MoBL
销刀豆网络gurations
[1, 2]
1
NC
NC
I / O
0
V
SS
V
CC
I / O
3
NC
A
18
2
OE
NC
DNU
I / O
1
I / O
2
NC
NC
A
8
FBGA
顶视图
4
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
NC
I / O
5
I / O
6
NC
WE
A
11
6
CE
2
NC
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
7
NC
A
19
A
B
C
D
E
F
G
H
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度。 ................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源中的应用。 .............................................. 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位...- 0.5V至V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
.................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
产品
CY62158CV25
CY62158CV30
CY62158CV33
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
工作（我
CC
)
V
CC
范围
产品
CY62158CV25
CY62158CV30
CY62158CV33
分钟。
2.2V
2.7V
3.0V
典型值。
[4]
2.5V
3.0V
3.3V
马克斯。
2.7V
3.3V
3.6V
速度
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
马克斯。
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
12毫安
7毫安
12毫安
7毫安
12毫安
7毫安
马克斯。
25毫安
15毫安
25毫安
15毫安
25毫安
15毫安
10
A
30
A
8
A
25
A
待机（我
SB2
)
典型值。
[4]
6
A
马克斯。
25
A
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2 C2 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05019牧师* B
第12页2
CY62158CV25/30/33
的MoBL
电气特性
在工作范围（续）
CY62158CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
自动CE
掉电电流
rent- CMOS输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
2.2
–0.3
–1
–1
12
1
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
25
2
30
2.2
–0.3
–1
–1
7
1
10
典型值。
[4]
马克斯。
CY62158CV33-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
2
30
A
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE）
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
[5]
（结到环境）
热阻
[5]
（结点到外壳）
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层打印
编辑电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
文件编号： 38-05019牧师* B
第12页4
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