SONY
描述
CXK77P36R80GB
33/37/4
初步
8MB LW RR HSTL高速同步SRAM （ 256K ×36 ）
该CXK77P36R80GB是一个高速CMOS同步静态RAM与通用I / O引脚，组织为262,144字
由36位。这个同步SRAM集成输入寄存器，高速RAM中，输出寄存器，和一深的写入缓冲器
在一个单片IC上。寄存器 - 寄存器（ RR）读操作和写晚期（ LW ）写操作的支持，亲
人们提供一个高性能的用户界面。
所有的地址和控制输入信号，除了G（输出使能）和ZZ （睡眠模式）上注册的K上升沿
（输入时钟） 。
在读操作期间，输出数据被选自K的上升沿驱动有效，该地址后一个完整的时钟周期被登记。
在写操作中，输入数据被登记K上的上升沿，该地址后一个完整的时钟周期被登记。
输出驱动器系列终止，并且输出阻抗是可编程的，通过一个外部阻抗匹配
电阻RQ 。通过ZQ和V之间的连接RQ
SS
中，所有DQ管脚的输出阻抗可以被精确地控制。
休眠（低功耗模式）的控制是通过异步ZZ输入提供。从单一得到300 MHz运行
3.3V电源。采用IEEE 1149.1标准的协议的一个子集，提供JTAG边界扫描接口。
特点
3速箱
-33
-37
-4 (-4A)
周期时间/访问时间
3.3ns / 1.7ns
3.7ns / 1.9ns
4.0ns / 2.0ns （ 1.8ns ）
单3.3V电源（V
DD
): 3.3V
±
5%
专用输出电源电压（V
DDQ
） ： 1.5V至1.95V的典型
使用专用的输入参考电压HSTL兼容的I / O接口（V
REF
): V
DDQ
/ 2的典型
寄存器 - 寄存器（ R- R）读操作
延迟写（ LW ）写操作
完整的读/写一致性
字节写能力
两个周期取消
差分输入时钟（K / K）
异步输出使能（ G）
可编程阻抗输出驱动器
通过专用的模式引脚休眠（低功耗模式） （ ZZ ）
JTAG边界扫描（ IEEE子集标准1149.1 ）
119引脚（ 7x17 ） ， 1.27mm间距， 14毫米X 22毫米球栅阵列（ BGA ）封装
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CXK77P36R80GB
引脚配置（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQC
DQC
V
DDQ
DQC
DQC
V
DDQ
DQD
DQD
V
DDQ
DQD
DQD
NC
NC
V
DDQ
2
SA
NC
(2)
SA
DQC
DQC
DQC
DQC
DQC
V
DD
DQD
DQD
DQD
DQD
DQD
SA
NC
(1)
TMS
3
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
SBWc
V
SS
V
REF
V
SS
SBWd
V
SS
V
SS
V
SS
M1
(4)
SA
TDI
4
NC
NC
V
DD
ZQ
SS
G
NC
NC
V
DD
K
K
SW
SA
SA
V
DD
SA
TCK
5
SA
SA
SA
V
SS
V
SS
V
SS
SBWb
V
SS
V
REF
V
SS
SBWa
V
SS
V
SS
V
SS
M2
(5)
SA
TDO
6
SA
SA
SA
DQB
DQB
DQB
DQB
DQB
V
DD
DQA
DQA
DQA
DQA
DQA
SA
NC
(1)
RSVD
(3)
7
V
DDQ
NC
NC
DQB
DQB
V
DDQ
DQB
DQB
V
DDQ
DQA
DQA
V
DDQ
DQA
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
初步
注意事项：
1.焊盘位置2T和6T是真正的无式接口。然而，它们被定义为在×18 LW SRAM的SA的地址输入端。
2.垫位置2B是一个真正的无连接。然而，它被定义为在16Mb的LW的SRAM的SA地址输入。
3.垫位置6U必须悬空。它是用于内部测试目的而使用索尼。
4.垫位置3R被定义为M1模式引脚LW的SRAM 。但是，它必须在将器件连接“低” 。
5.垫位置5R被定义为M2的模销在LW的SRAM 。但是，它必须在将器件连接的“高” 。
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引脚说明
初步
符号
SA
DQA ， DQB
DQC ， DQD
TYPE
输入
I / O
描述
同步地址输入 - 注册于K的上升沿
同步数据输入/输出 - 写操作期间登记日K的上升沿。
在读操作期间选自K的上升沿驱动。
DQA - 表示数据字节一个
DQB - 表示数据字节B
DQC - 表示数据字节
DQD - 表示数据字节
差分输入时钟
同步选择输入 - 注册于K的上升沿
SS = 0指定写操作时， SW = 0
指定读出操作时， SW = 1
SS = 1指定一个取消操作
全球同步的写使能输入 - 注册于K的上升沿
SW = 0指定写操作时， SS = 0
SW = 1指定的读取操作时的SS = 0的
同步字节写使能输入 - 注册于K的上升沿
SBWa = 0指定数据写入一个字节时， SS = 0， SW = 0
SBWb = 0指定写入的数据字节b当SS = 0， SW = 0
SBWc = 0指定数据字节写入c当SS = 0， SW = 0
SBWd = 0指定写入的数据字节d出现SS = 0， SW = 0
异步输出使能输入 - 拉高（高）强制数据输出驱动器为Hi -Z 。
异步睡眠模式输入 - 断言（高）强制SRAM进入低功耗模式。
读操作协议选择 - 这些模式引脚必须连接“低”和“高”分别
选择寄存器 - 寄存器读操作。
输出阻抗控制电阻输入
3.3V内核电源 - 核心供电电压。
输出电源 - 输出缓冲器的电源电压。
输入参考电压 - 输入缓冲区阈值电压。
地
K, K
SS
输入
输入
SW
输入
SBWa ， SBWb ，
SBWc ， SBWd
输入
G
ZZ
M1, M2
ZQ
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
SS
TCK
TMS
TDI
TDO
RSVD
NC
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
产量
JTAG时钟
JTAG模式选择
在JTAG数据
JTAG数据输出
保留 - 该引脚只用于索尼的测试目的。必须悬空。
无连接 - 这些引脚是真正的无连接时，即没有内部芯片连接到这些
销。他们可以悬空或者直接连接到V
DD
, V
DDQ
或V
SS
.
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时钟真值表
K
X
L
→
H
L
→
H
L
→
H
L
→
H
L
→
H
L
→
H
ZZ
H
L
L
L
L
L
L
SS
(t
n
)
X
H
L
L
L
L
L
SW
(t
n
)
X
X
H
H
L
L
L
SBWx
(t
n
)
X
X
X
X
L
X
H
G
X
X
H
L
X
X
X
手术
休眠（低功耗模式）
DESELECT
读
读
写的所有字节
写字节， SBWx = L
中止写
DQ
(t
n
)
嗨 - z
X
嗨 - z
X
X
X
X
DQ
(t
n+1
)
嗨 - z
嗨 - z
嗨 - z
Q （T
n
)
（T
n
)
（T
n
)
嗨 - z
休眠（低功耗模式）
睡眠（省电）模式，通过异步输入信号ZZ提供。当ZZ是断言（高） ，输出
司机会去高阻状态， SRAM将开始绘制的待机电流。存储器阵列的内容将是
保存完好。一个使能时间（t
ZZE
）必须满足的SRAM被保证是处于睡眠模式之前，并且恢复时间
(t
ZZR
）必须得到满足之前， SRAM可以恢复正常运行。
可编程阻抗输出驱动器
该器件具有可编程阻抗输出驱动器。的输出阻抗是由一个外部电阻器来控制， RQ。
连接之间的SRAM的ZQ引脚和V
SS
和等于五分之一此电阻的值，名义上。见
直流电气特性的更多信息部分。
输出阻抗被更新时，输出驱动器处于高阻状态。因此，阻抗会更新
写发生在和取消操作，当G无效（高） （见
注1
下文）。上电时， 8192时钟
周期接着一个阻抗更新通过上述三种方法中的一种需要，以确保输出
把阻抗达到所希望的值。上电后，通过三种方法之一阻抗定期更新
如上所述，也需要确保该输出阻抗保持规定的公差范围内。
注1 ：
为了使SRAM的足够的时间来更新所述输出阻抗当G为无效（高）中，G必须
满足建立和保持时间与k的时钟。看到AC电气特性章节以获取更多信息。
上电顺序
对于可靠性的目的， Sony建议的电源开机按以下顺序： V
SS
, V
DD
, V
DDQ
,
V
REF
和输入。 V
DDQ
不应该超过V
DD
。如果此电源时序不能满足，大旁路二极管
可能需要V之间
DD
和V
DDQ
。请联系索尼记忆应用部门以获取更多信息。
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绝对最大额定值
(1)
参数
电源电压
输出电源电压
输入电压（地址，控制，数据，时钟）
输入电压（ M1，M2）
输入电压（ TCK，TMS， TDI） ）
工作温度
结温
储存温度
(1)
符号
V
DD
V
DDQ
V
IN
V
民
V
TIN
T
A
T
J
T
英镑
等级
-0.5到+3.8
-0.5到+2.3
-0.5到V
DDQ
+ 0.5
-0.5到V
DD
+0.5 （ 3.8V以下）
-0.5到+3.8
0到85
0到110
-55到150
单位
V
V
V
V
V
°
C
°
C
°
C
应力大于“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。这
是一个应力只评级，以及该设备的这些功能操作或任何其他条件比表示其他
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
BGA封装热特性
参数
结到外壳温度
符号
Θ
JC
等级
3.6
单位
°
C / W
I / O容量
参数
地址
输入电容
控制
时钟
输出电容
数据
符号
C
IN
C
IN
C
KIN
C
OUT
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
---
---
---
---
(T
A
= 25
o
C，F = 1兆赫）
最大
3.5
3.5
3.5
4.5
单位
pF
pF
pF
pF
注：这些参数进行采样和不是100 ％测试。
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