CSD16404Q5A
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SLPS198B - 2009年8月 - 修订2010年4月
N通道NexFET 功率MOSFET
检查样品：
CSD16404Q5A
1
特点
超Q
g
和Q
gd
低热阻
额定雪崩
无铅端子电镀
符合RoHS
无卤
SON 5毫米×6毫米的塑料包装
产品概述
V
DS
Q
g
Q
gd
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
漏源极电压
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
漏极至源极导通电阻
阈值电压
25
6.5
1.7
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
1.8
5.7
4.1
V
nC
nC
m
m
V
2
订购信息
设备
CSD16404Q5A
包
SON 5毫米×6毫米
塑料包装
媒体
13-Inch
REEL
数量
2500
船
磁带和
REEL
应用
负载点的同步降压转换器
在网络，电信及应用
计算系统
优化控制FET应用
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
,
T
英镑
E
AS
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流，T
C
= 25°C
连续漏电流
(1)
(1)
(2)
价值
25
+16 / –12
81
21
135
3
-55到150
80
单位
V
V
A
A
A
W
°C
mJ
描述
该NexFET功率MOSFET的设计
最大限度地减少电源转换应用的损失。
顶视图
S
1
8
D
漏电流脉冲，T
A
= 25°C
功耗
工作结存储
温度范围
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 40A ，L = 0.1mH ，R
G
= 25
S
2
7
D
S
3
D
6
D
(1) R
qJA
= 41 ° C / W 1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）
Cu焊盘上0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
（2）脉冲持续时间
≤300ms,
占空比
≤2%
G
4
5
D
P0093-01
R
DS （ ON）
VS V
GS
20
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
G006
栅极电荷
12
I
D
= 20A
10
V
G
- 栅极电压 - V
8
6
4
2
I
D
= 20A
V
DS
= 12.5V
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
0
0
3
6
9
12
15
G003
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的NexFET是德州仪器的商标。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
电气特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
静态特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gd
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
Q
rr
t
rr
漏源极电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
串联门极电阻
栅极电荷总数（ 4.5V ）
栅极电荷栅漏
栅极电荷门源
栅极电荷在Vth的
输出充电
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复电荷
反向恢复时间
I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 13V ，我
F
= 20A ，的di / dt = 300A / MS
V
DD
= 13V ，我
F
= 20A ，的di / dt = 300A / MS
V
DS
= 12.5V, V
GS
= 4.5V,
I
D
= 20A ，R
G
= 2
V
DS
= 13V, V
GS
= 0V
V
DS
= 12.5V ，我
D
= 20A
V
GS
= 0V, V
DS
= 12.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 20V
V
DS
= 0V, V
GS
= +16/-12V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 20A
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
V
DS
= 15V ，我
D
= 20A
1.4
1.8
5.7
4.1
57
940
810
62
0.9
6.5
1.7
3
1.5
16
7.8
13.4
8.4
4.6
0.85
20
22
1
1220
1050
80
1.8
8.5
25
1
100
2.1
7.2
5.1
V
mA
nA
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
nC
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态特性
二极管的特性
热特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
R
QJC
R
qJA
(1)
(2)
热阻结到外壳
(1)
(2)
民
典型值
最大
3.3
52
单位
° C / W
° C / W
热阻结到环境
(1)
R
QJC
与安装在一个1英寸的设备确定
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司在1.5英寸× 1.5英寸（ 3.81厘米× （ 0.071毫米厚） Cu焊盘
3.81厘米） ， 0.06英寸（ 1.52毫米）厚的FR4 PCB 。
QJC
由设计规定，而
qJA
是通过用户的电路板的设计来确定。
设备安装在FR4材料1英寸
2
(6.45-cm
2
） ， 2盎司（ 0.071毫米厚）的Cu 。
2
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门
N-二陈×6 QFN TTA MAX Rev3型
来源
N-二陈×6 QFN TTA MIN Rev3型
门
来源
最大
qJA
= 52 ° C / W
当安装在
1英寸
2
（ 6.45厘米
2
）的
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
最大
qJA
= 120 ° C / W
当安装在
最小焊盘面积
2盎司（ 0.071毫米厚）
铜。
漏
M0137-01
漏
M0137-02
文本
文本
文本
和
和
和
br
br
br
额外
额外
额外
为
为
为
间距
间距
间距
典型MOSFET的特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
10
Z
qJA
- 归热阻抗
1
0.5
0.3
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
占空比= T
1
/t
2
P
t
1
t
2
0.01
R
q
JA
= 96
°
C / W （分铜）
T
J
= P
Z
q
JA
R
q
JA
0.001
0.001
0.01
0.1
1
t
p
- 脉冲宽度 - S
10
100
1k
G012
图1.瞬态热阻抗
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典型MOSFET的特性（续）
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
TEXT增加了间距
60
50
I
D
- 漏电流 - 一个
40
30
20
10
0
0.0
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 3.5V
I
D
- 漏电流 - 一个
60
V
DS
= 5V
50
40
T
C
= 125°C
30
20
10
0
1.5
TEXT增加了间距
V
GS
= 3V
T
C
= 25°C
T
C
= 55°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
G001
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
G002
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图2.饱和特性
TEXT增加了间距
12
10
V
G
- 栅极电压 - V
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
G003
图3.传输特性
TEXT增加了间距
3.0
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
I
D
= 20A
V
DS
= 12.5V
- 电容 - nF的
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
C
RSS
= C
GD
C
OSS
= C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
= C
GD
+ C
GS
20
25
G004
Q
g
- 栅极电荷 - 数控
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
图4.栅极电荷
TEXT增加了间距
2.5
V
GS （ TH）
- 阈值电压 - V
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
75
25
25
75
125
175
G005
图5.电容
TEXT增加了间距
20
I
D
= 250A
R
DS （ ON）
- 导通状态电阻 - mΩ的
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
G006
I
D
= 20A
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
图6.阈值电压随温度的变化
图7.导通电阻与栅极至源极电压
4
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典型MOSFET的特性（续）
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
TEXT增加了间距
1.5
I
SD
- 源极到漏极电流 - 一个
归一化通态电阻
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
75
25
25
75
125
175
G007
TEXT增加了间距
100
I
D
= 20A
V
GS
= 10V
10
1
0.1
0.01
0.001
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
0.0001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
G008
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
图8.归通态电阻与温度
TEXT增加了间距
1k
图9.典型的二极管正向电压
TEXT增加了间距
1k
I
（AV）
- 峰值雪崩电流 - 一个
100
I
D
- 漏电流 - 一个
10
100
m
s
1ms
100
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
10
1
区有限公司
由R
DS （ ON）
单脉冲
R
θJA
= 96 ℃/ W（分铜）
0.1
1
10
10ms
100ms
0.1
DC
0.01
0.01
100
G009
1
0.01
0.1
1
10
100
G010
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
（AV）
- 时间在雪崩 - 质谱
图10.最大安全工作区
图11.单脉冲松开电感开关
TEXT增加了间距
120
100
I
D
- 漏电流 - 一个
80
60
40
20
0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
G011
T
C
- 外壳温度 -
°C
图12.最大漏极电流与温度的关系
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