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CSMF03V3C
CSMF05C
CSMF12C
CSMF15C
CSMF24C
CSMF36C
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体CSMF03V3C系列是
5号线TVS /齐纳阵列封装在一个超小型SOT- 363
表面贴装情况。这些设备旨在保护
敏感的电子设备，如计算机，
防火墙，网络通信，蜂窝电话和仪器仪表
过电压瞬变和ESD损坏。可在
电压范围为3.3V至36V 。
特点
极低的钳位电压
表面贴装
5线硅TVS /齐纳阵列
3.3伏THRU 36伏
改发
Specifie
对峙
电压
SOT- 363案例
标记代码
CSMF03V3C ：
CF03
CSMF05C ：
CF05
CSMF12C ：
CF12
CSMF15C ：
CF15
CSMF24C ：
CF24
CSMF36C ：
CF36
低漏电流
100W功率耗散
SMD SOT- 363封装
IEC61000-4-2 ESD 20kV的空气， 15kV的接触合规性
应用范围：
手持便携式应用
网络，服务器和电信
台式机和笔记本电脑
仪器仪表
符号
Ppp
VESD
TJ ， TSTG
单位
W
kV
°C
最大额定值：
（ TA = 25° C除非另有说明）
峰值脉冲功率（ 8x20usec波形）
电压ESD （HBM ）
工作和存储结温范围
100
25
-55到+150
每二极管电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
最大
反向
对峙
电压
型号
VWRM
(V)
VBR @为Ibr
(V)
（MA ）
4.7
6.2
13.3
16.6
26.7
38
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
IR @ VR
μ
(μA)
(V)
250
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
3.3
5
12
15
24
36
VCL @ IPP
(V)
(A)
7.5
9
17
23
35
40
5.0
5.0
3.0
3.0
1.0
1.0
VCL @ IPP
(V)
(A)
9
10
20
25
45
50
9
9
5
4
2
2
最低
反向
击穿
电压
最大
反向
泄漏
当前
最大
夹紧
电压
μ
8× 20μs的
最大
夹紧
电压
μ
8× 20μs的
最大
关国
连接点
电容
（ VR = 0V ， F = 1MHz的）
CJ
（PF ）
160
90
60
46
38
27
CSMF03V3C
CSMF05C
CSMF12C
CSMF15C
CSMF24C
CSMF36C
3.3
5
12
15
24
36
R0 （ 2005年19月）
中央
TM
半导体公司
CSMF03V3C
CSMF05C
CSMF12C
CSMF15C
CSMF24C
CSMF36C
表面贴装
5线硅TVS /齐纳阵列
3.3伏THRU 36伏
SOT- 363 - 案例 - 机械外形
引脚配置
前导码：
1 ）阴极D1
2 ）阳极D1，D2， D3，D4， D5的
3 ）阴极D2
4 ）阴极D3
5 ）阴极D4
6 ）阴极D5
电路图
R0 （ 2005年19月）
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CSMF03V3C
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CSMF03V3C
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