CX6SM水晶
800 kHz至1.35 MHz的
超低扁平（1mm ）
微型表面贴装石英晶体
描述
实际尺寸
该CX6SM石英晶体器件的无铅设计
表面安装在印刷电路板上或混合
基材。它们密封在一个坚固的，
微型陶瓷封装。他们正在使用的制
STATEK开发的光刻工艺，和是
旨在通过利用生产中获得的经验
数以百万计的晶体为工业，商业，军事和
医疗应用。最大过程温度应
不超过260
O
C.
特点
SIDE VIEW
玻璃盖所示
包装尺寸
D
超低扁平（1mm ）
扩张模式
非常适合与微处理器使用
专为低功耗应用
低老化
提供完整的军事试验
非常适合电池供电的应用
设计的，并在美国制造的
典型值。
等效电路
B
C
D
A
顶部
底部
马克斯。
mm
6.73
2.62
-
1.27
英寸
0.280
0.114
0.060
mm
7.11
2.90
1.52
暗淡
A
B
C
D
DIM“ C”
英寸
0.265
0.103
-
0.050
C
0
1
L
1
C
1
R
1
2
见下文
玻璃盖
英寸
0.039
0.041
0.044
mm
0.99
1.04
1.12
陶瓷盖
英寸
0.053
0.055
0.058
mm
1.35
1.40
1.47
R
1
动感电阻率L
1
动态电感
C
1
动感电容C
0
旁路电容
最大
SM1
SM2
SM3
建议提出的土地格局
0.070 (1.78)
0.120 (3.05)
英寸（毫米）
0.215 (5.46)
10133 - 修订版B
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
IS
O
90
01
特定网络阳离子
典型用途
针对皮尔斯振荡器
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
频带
功能模式
校准公差*
800千赫 - 1.35 MHz的
伸展
+
_
为500ppm （0.05％）
+
_
为1000ppm （0.1％）
+
_
10000ppm的（1.0％）
负载电容
7 pF的
（除非客户指定）
串联电阻（R
1
)
5 kΩ最大
动态电容（C
1
) 1.2fF
品质因数（Q ）
150 k
并联电容（C
0
)
1.0 pF的
驱动电平
3
W
最大
转折点（T
0
)**
35
O
C
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
老龄化，第一年
5 ppm的MAX
冲击，生存
千克的峰值， 0.3毫秒， 1月2日的正弦
振动，生存
10克RMS ， 201,000 Hz的随机
工作温度。范围
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
储存温度。范围
-55
O
C至+ 125
O
C
最大加工温度260
O
下进行20秒。
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
在拐点温度T
0
按： F-F
0
2
=
K（ T形
0
)
f
0
*提供更严格的公差。
**可用其他值。
低调CX微型表面贴装晶体是理想
用于小型化，高密度，电池供电的便携式产品。
在CX水晶设计皮尔斯振荡器（单
逆变器）电路提供非常低的电流消耗，
高稳定性。传统的CMOS皮尔斯振荡器电路
如下所示。该晶体是有效电感，并在
与C PI -网络电路
D
和C
G
提供了额外的
所需的相移，以维持振荡。振荡
频率（f
0
）为15 150ppm的上述的晶体的系列
谐振频率（f
S
).
驱动电平
R
A
用于通过形成限制液晶的驱动电平
R的电压分压器
A
和C
D
. R
A
也稳定
振荡器反对改变放大器的输出
电阻（R
0
). R
A
应增加为更高的电压
操作。
负载电容
在CX晶体校准公差是由影响
有效电路的电容，指定作为负载
电容（C
L
). C
L
约等于：
C
L
=
C
D
乘C
G
C
D
+ C
G
+
C
S
(1)
注：C
D
和C
G
包括流浪布局，地面和C
S
是在晶体之间的杂散电容并联
终奌站。在实践中，将C的有效数值
L
将少
比从C计算
D
, C
G
和C
S
因为价值观
的放大器的输出电阻的影响。
S
应
被最小化。
的振荡频率（f
0
）近似等于：
包装
f
0
=
f
S
1
+
其中f
S
C
1
C
0
[
C
1
2(C
0
+ C
L
)
]
(2)
CX6SM
- 托盘包装
- 磁带和卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109 ）
晶体=串联谐振频率
=动态电容
=并联电容
终端
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
传统的CMOS
皮尔斯振荡器电路。
R
f
卜FF器
HOW TO ORDER CX6SM晶体
CX6
S
C
SM1
1.0M,
频率
K =千赫
M →兆赫
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
500
校准
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
/
M
扩音器
R
A
OSC
频率（F
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果SRD 。
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
C
G
CX6
C
D
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
10133 - 修订版B
S
YS
ERT
T
E
M
C
IFIC
T
A
N
IO
RSG电子元件有限公司 - Sprendlinger Landstr 。 115 - 63069奥芬巴赫 - 德国 - www.rsg-electronic.de
IS
O
90
01
CX6SM水晶
800 kHz至1.35 MHz的
超低扁平（1mm ）
微型表面贴装石英晶体
描述
实际尺寸
该CX6SM石英晶体器件的无铅设计
表面安装在印刷电路板上或混合
基材。它们密封在一个坚固的，
微型陶瓷封装。他们正在使用的制
STATEK开发的光刻工艺，和是
旨在通过利用生产中获得的经验
数以百万计的晶体为工业，商业，军事和
医疗应用。最大过程温度应
不超过260
O
C.
特点
SIDE VIEW
玻璃盖所示
包装尺寸
D
超低扁平（1mm ）
扩张模式
非常适合与微处理器使用
专为低功耗应用
低老化
提供完整的军事试验
非常适合电池供电的应用
设计的，并在美国制造的
典型值。
等效电路
B
C
D
A
顶部
底部
马克斯。
mm
6.73
2.62
-
1.27
英寸
0.280
0.114
0.060
mm
7.11
2.90
1.52
暗淡
A
B
C
D
DIM“ C”
英寸
0.265
0.103
-
0.050
C
0
1
L
1
C
1
R
1
2
见下文
玻璃盖
英寸
0.039
0.041
0.044
mm
0.99
1.04
1.12
陶瓷盖
英寸
0.053
0.055
0.058
mm
1.35
1.40
1.47
R
1
动感电阻率L
1
动态电感
C
1
动感电容C
0
旁路电容
最大
SM1
SM2
SM3
建议提出的土地格局
0.070 (1.78)
0.120 (3.05)
英寸（毫米）
0.215 (5.46)
10133 - 修订版B
S
YS
C
ERT
I
F
I
C
统
AT
N
IO
STATEK公司512 N. MAIN ST ，橙色，CA 92868 714-639-7810传真： 714-997-1256
www.statek.com
IS
O
90
01
特定网络阳离子
典型用途
针对皮尔斯振荡器
规格是典型的25
O
C除非另有说明。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
频带
功能模式
校准公差*
800千赫 - 1.35 MHz的
伸展
+
_
为500ppm （0.05％）
+
_
为1000ppm （0.1％）
+
_
10000ppm的（1.0％）
负载电容
7 pF的
（除非客户指定）
串联电阻（R
1
)
5 kΩ最大
动态电容（C
1
) 1.2fF
品质因数（Q ）
150 k
1.0 pF的
并联电容（C
0
)
驱动电平
3
W
最大
35
O
C
转折点（T ） **
0
温度系数（ k）的-0.035 ppm的/
O
C
2
老龄化，第一年
5 ppm的MAX
冲击，生存
千克的峰值， 0.3毫秒， 1月2日的正弦
振动，生存
10克RMS ， 201,000 Hz的随机
工作温度。范围
-10
O
C至+70
O
C（商业）
-40
O
C至+ 85
O
C（工业级）
-55
O
C至+ 125
O
C（军事）
储存温度。范围
-55
O
C至+ 125
O
C
最大加工温度260
O
下进行20秒。
注意：在温度T的频率f被涉及到频率f
0
在拐点温度T
0
按： F-F
0
2
=
K（ T形
0
)
f
0
*提供更严格的公差。
**可用其他值。
低调CX微型表面贴装晶体是理想
用于小型化，高密度，电池供电的便携式产品。
在CX水晶设计皮尔斯振荡器（单
逆变器）电路提供非常低的电流消耗，
高稳定性。传统的CMOS皮尔斯振荡器电路
如下所示。该晶体是有效电感，并在
与C PI -网络电路
D
和C
G
提供了额外的
所需的相移，以维持振荡。振荡
频率（f
0
）为15 150ppm的上述的晶体的系列
谐振频率（f
S
).
驱动电平
R
A
用于通过形成限制液晶的驱动电平
R的电压分压器
A
和C
D
. R
A
也稳定
振荡器反对改变放大器的输出
电阻（R
0
). R
A
应增加为更高的电压
操作。
负载电容
在CX晶体校准公差是由影响
有效电路的电容，指定作为负载
电容（C
L
). C
L
约等于：
C
L
=
C
D
乘C
G
C
D
+ C
G
+
C
S
(1)
注：C
D
和C
G
包括流浪布局，地面和C
S
是在晶体之间的杂散电容并联
终奌站。在实践中，将C的有效数值
L
将少
比从C计算
D
, C
G
和C
S
因为价值观
的放大器的输出电阻的影响。
S
应
被最小化。
的振荡频率（f
0
）近似等于：
包装
f
0
=
f
S
1
+
其中f
S
C
1
C
0
[
C
1
2(C
0
+ C
L
)
]
(2)
CX6SM
- 托盘包装
- 磁带和卷轴
（参考磁带和卷轴数据表10109 ）
晶体=串联谐振频率
=动态电容
=并联电容
终端
称号
SM1
SM2
SM3
终止
镀金
焊接镀
浸焊剂
传统的CMOS
皮尔斯振荡器电路。
R
f
卜FF器
HOW TO ORDER CX6SM晶体
CX6
S
C
SM1
1.0M,
频率
K =千赫
M →兆赫
SM1 =镀金
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
500
校准
公差
@ 25
O
C
（单位：ppm ）
/
M
扩音器
R
A
OSC
频率（F
“S”如有特殊或
定制设计。
空白，如果SRD 。
工作温度。范围：
C = -10
O
C至+70
O
C
I = -40
O
C至+ 85
O
C
M = -55
O
C至+ 125
O
C
S =客户指定
C
G
CX6
C
D
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
10133 - 修订版B
S
YS
C
ERT
I
F
I
C
统
AT
N
IO
STATEK公司512 N. MAIN ST ，橙色，CA 92868 714-639-7810传真： 714-997-1256
www.statek.com
IS
O
90
01
欧元
石英
薄型小型SMD晶体
特点
扩张模式谐振器， 760kHz至1.35MHz
专为低功耗应用
理想的微处理器的时钟晶体
低老化
提供完整的军事试验
CX6SM水晶
800kHz至1.35MHz
轮廓尺寸&
描述
CX6SM晶体组成一个高质量外延模式谐振器的
在一个坚固，密封陶瓷封装。
规范
规格说明是典型的25°C时，除非另有说明。
规格如有变更，恕不另行通知。
频率范围：
800kHz至1.35MHz
标准校准公差* ： ± 500ppm的（ 0.05 ％ ）
± 1000ppm的（ 0.1 ％ ）
± 10000PPM （1.0％）
负载电容：
7pF
串联电阻（ R1 ） ：
5kΩ的最大
动态电容（C1） ：
1.2fF
品质因数（Q ） ：
150k
并联电容（ C0 ） ：
1.0pF
驱动电平：
3μW最大
转折点（ T0 ** ） ：
35°C
温度系数（ k）的：
-0.035ppm/°C
2
老龄化第一年：
± 5ppm的最大
冲击，生存：
千克， 0.3ms ， ＆ frac12 ;正弦
振动，生存：
10克RMS ， 20 1000Hz的随机
工作温度范围：
-10 ° C至+ 70°C （商业）
-40 ° C至+ 85°C （工业级）
-55 ° C至+ 125°C （军事）
存储温度范围：
-55 °C至+ 125°C
最大过程温度：
+ 260℃ 20秒
*
**
更严格的频率校准可用。
其他的转折点是可用的。
暗淡。
SM1
SM2
SM3
SM4
SM5
玻璃
LID
0.99
1.04
1.12
1.04
1.12
陶瓷的
LID
1.35
1.40
1.47
1.40
1.47
封装选项
CX6SM晶体，可无论是纸盒包装（ <250pcs ）或磁带
和卷轴（ >250件） 。
16毫米磁带， 178毫米或330毫米卷轴（ EIA 418 ） 。
转折点温度
注意：在温度T的频率f被相关频率佛在
拐点温度要通过：
F- FO
= K （T -要）
2
fo
HOW TO ORDER CX6SM晶体
CX6 -
S
-
C
空白=玻璃盖
C =陶瓷盖
-
SM1
-
1.0M
频率
K =千赫
M =兆赫
, 500
校准
公差
@25°C
（单位：ppm ）
/
I
TEMP 。 RANGE
C = -10° ~ +70°C
I = -40 ° + 85°C
M = -55 ° + 125°C
S =客户指定
'S'如有特殊，
定制设计。
否则保留
空白
终端
SM1 =镀金*
SM2 =焊接镀
SM3 =浸焊
SM4 =焊接镀*
SM5 =焊接蘸*
* =无铅
EUROQUARTZ有限公司Blacknell巷克鲁肯萨默塞特英国TA18 7他
电话：+44 （ 0 ） 1460 230000传真： +44 （ 0 ） 1460 230001 info@euroquartz.co.uk www.euroquartz.co.uk
欧元
石英
薄型小型SMD晶体
晶体等效电路
CX6SM水晶
800kHz至1.35MHz
一般适用于
皮尔斯振荡器
低调CX微型晶体是非常适合于小型，高使用
密度，电池供电的便携式产品。在CX水晶设计
在皮尔斯振荡器（单逆变器）电路提供非常低的电流
消费和高稳定性。传统的皮尔斯振荡器
如上所示。该晶体是有效的归纳和在π网络
电路用C
D
和C
G
提供了额外的相移，以维持
振荡。的振荡频率（f
O
）为15 250ppm的上述
晶体的谐振频率（f
S
).
驱动电平
R
A
用于通过形成一个电压分压器，用于限制液晶的驱动电平
R的
A
和C
D
. R
A
还可稳定对抗变化振荡器
放大器的输出电阻（R
O
). R
A
应增加对
更高的工作电压。
负载电容
在CX晶体校准公差是由有效的影响
电路电容，指定为负载电容（C
L
). C
L
is
约等于：
C
L
=
C
D
乘C
G
C
D
+ C
G
+ C
S
R1串联电阻
C1动态电容
L1动态电感
C0并联电容
传统的CMOS皮尔斯振荡器电路
注：C
D
和C
G
包括流浪布局引起的对地电容
和C
S
是晶体端子之间的寄生并联电容。在
练，C的有效值
L
将小于该距离计算
C
D
, C
G
和C
S
由于放大器输出的影响值
性。
S
应该被最小化。
的振荡频率（f
O
）近似等于：
端子的 - 电镀
称号
终止
f
O
= f
S
哪里
1+
C
1
2(C
O
+ C
L
)
SM1
SM2
SM3
SM4
SM5
镀金（无铅）
焊接镀
浸焊剂
镀焊锡（无铅）
焊锡浸胶（无铅）
F
S
晶体=串联谐振频率
C
1
=动态电容
C
O
=并联电容
EUROQUARTZ有限公司Blacknell巷克鲁肯萨默塞特英国TA18 7他
电话：+44 （ 0 ） 1460 230000传真： +44 （ 0 ） 1460 230001 info@euroquartz.co.uk www.euroquartz.co.uk
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