CS5302
两相降压控制器
集成门
司机和4位DAC
的CS5302是一个两相降压控制器，其
集成了所需的所有控制功能，功耗高性能
处理器和大电流电源。专有的多相位
架构保证了均衡负载电流分布，降低了
总体解决方案成本高电流应用。增强的V
2
控制架构，提供最快的瞬态响应，
出色的整体调节，使用方便。
该CS5302多相架构降低输出电压，
输入电流纹波，从而允许一个显著降低电感
值，并在电感器的电流转换率也相应增加。这
方法允许大大减少输入和输出电容器
需求，以及降低整体解决方案的尺寸和成本。
特点
增强的V
2
控制方法
4位DAC， 1 ％精度
可调输出电压定位
4板载栅极驱动器
200 kHz至800 kHz的工作频率设定由电阻
电流通过降压电感器，检测电阻感测
或V -S控制
打嗝模式电流限制
单个电流限制每相
板载电流检测放大器
3.3 V ，1.0 mA转速输出
开/关控制（通过软启动引脚）
电源良好输出，内置延时
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28
1
SO28L
DW后缀
CASE 751F
标记图
28
CS5302
AWLYYWW
1
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS
REF
PWRGD
N / C
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
I
LIM
REF
1
28
R
OSC
V
CCL
V
CCL1
Gate(L)1
GND1
Gate(H)1
V
CCH1
LGND
SS
V
CCL2
Gate(L)2
GND2
Gate(H)2
V
CCH2
订购信息
设备
CS5302GDW28
CS5302GDWR28
包
SO28L
SO28L
航运
27单位/铁
1000磁带和放大器;卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年7月
Rev.7
1
出版订单号：
CS5302/D
CS5302
+5.0 V
+12 V
1.0
μF
启用
61.9 k
COMP
V
FB
V
DRP
CS1
CS2
CS
REF
PWRGD
N / C
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
I
LIM
REF
R
OSC
V
CCL
V
CCL1
GATE(L)1
GND1
GATE(H)1
V
CCH1
LGND
SS
V
CCL2
Gate(L)2
GND2
Gate(H)2
V
CCH2
Q3
300 nH的
+
1.0
μF
Q1
Q2
+
+
6SP680M
V
OUT
1.0 nF的
7.5 k
25.5 k
1.0 nF的
Q4
470 nH的
CS5302
12.7 k
8
×
4SP820M
12
×
10
μF
CER
PWRGD
V
ID0
V
ID1
V
ID2
V
ID3
0.1
μF
4.32 k
1.0 k
25.5 k
.01
μF
25.5 k
.01
μF
0.1
μF
Q5
Q6
Q7
Q8
470 nH的
.01
μF
图1.应用框图， 5.0 V至1.6 V， 35 A转换器
绝对最大额定值*
等级
工作结温
焊接温度焊接：
存储温度范围
ESD敏感性（人体模型）
第二个最大以上183℃一60 。
*最大包装功耗必须遵守。
回流焊： （只SMD样式） （注1 ）
价值
150
230峰
65
+150
2.0
单位
°C
°C
°C
kV
绝对最大额定值
引脚名称
权力逻辑
电源GATE （L ） 1
电源GATE （L ） 2
功率门控（H）的1
电源GATE （H ） 2
电源良好输出
引脚符号
V
CCL
V
CCL1
V
CCL2
V
CCH1
V
CCH2
PWRGD
V
最大
16 V
16 V
16 V
20 V
20 V
6.0 V
V
民
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
0.3
V
I
来源
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
1.0毫安
I
SINK
50毫安
1.5 A, 1.0
μs
200毫安DC
1.5 A, 1.0
μs
200毫安DC
1.5 A, 1.0
μs
200毫安DC
1.5 A, 1.0
μs
200毫安DC
20毫安
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2
CS5302
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 10 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
R（ OSC）的
= 32.4 K，C
COMP
= 1.0 nF的，C
SS
= 0.1
μF,
C
REF
= 0.1
μF,
DAC代码1001 ，C
VCC
= 1.0
μF,
I
LIM
≥
1.0 V ;除非另有规定）。
特征
测试条件
民
典型值
最大
单位
电压识别DAC （ 0 =连接到V
SS
; 1 =打开或拉至3.3 V ）
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
不允许
不允许
不允许
V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
V
ID3
, V
ID2
, V
ID1
, V
ID0
1.00
25
3.15
1.25
50
3.30
1.50
100
3.45
V
kΩ
V
输入阈值
输入上拉电阻
上拉电压
电源良好输出
电源良好故障延时
输出低电压
输出漏电流
阈值下限
阈值上限
电压反馈误差放大器
V
FB
偏置电流（注2 ）
COMP源电流
CS
REF
= V
DAC
到V
DAC
±
15%
CS
REF
= 1.0 V，I
PWRGD
= 4.0毫安
CS
REF
= 1.6 V， PWRGD = 5.5 V
％额定VID代码的
％额定VID代码的
25
14
8
50
0.25
0.1
11
11
125
0.40
10
8
14
μs
V
μA
%
%
1.2 V < V
FB
< 1.9 V
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.75 V ; DAC = 0101
9.0
15
10.3
30
11.5
60
μA
μA
COMP灌电流
COMP = 0.5 V至2.0 V ;
V
FB
= 1.85 V ; DAC = 0101
15
30
60
μA
COMP最大电压
COMP电压敏
跨
输出阻抗
开环DC增益
单位增益带宽
PSRR 1.0 kHz时
软启动
软启动充电电流
软启动放电电流
打嗝模式充电/放电率
山顶软启动充电电压
软启动放电阈值电压
V
FB
= 1.75 V COMP打开; DAC = 0101
V
FB
= 1.85 V COMP打开; DAC = 0101
10
μA
＆ LT ;我
COMP
＆ LT ; +10
μA
注3
0.01
μF
COMP电容
2.4
60
2.7
0.1
32
2.5
90
400
70
0.2
V
V
mmho
MΩ
dB
千赫
dB
0.2 V
≤
SS
≤
3.0 V
0.2 V
≤
SS
≤
3.0 V
15
4.0
3.0
3.3
0.20
30
7.5
4.0
4.0
0.27
50
13
4.2
0.34
μA
μA
V
V
2. V
FB
偏置电流与R值的变化
OSC
按照图4 。
3.通过设计保证。在生产中测试。
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4
CS5302
电气特性（续）
（ 0 ° C＆ LT ;吨
A
< 70 ℃; 0 ℃的<牛逼
J
< 125°C ; 4.7 V < V
CCL
< 14 V ; 10 V < V
CCH
< 20 V ;
C
门（H）的
= 3.3 nF的，C
门（L）的
= 3.3 nF的，R
R（ OSC）的
= 32.4 K，C
COMP
= 1.0 nF的，C
SS
= 0.1
μF,
C
REF
= 0.1
μF,
DAC代码1001 ，C
VCC
= 1.0
μF,
I
LIM
≥
1.0 V ;除非另有规定）。
特征
PWM比较器
最小脉冲宽度
从测量到CSX GATE （H ）
V(V
FB
） = V （ CS
REF
） = 1.0 V， V（ COMP ） = 1.5 V
V之间施加60 mV的步
CSX
和V
CREF
V（ CS1 ） = V （ CS2 ） = V（V
FB
） = V （ CS
REF
) = 0 V;
量V （ COMP），当GATE （H）， 1 ，（H） 2 ，
切换高
350
515
ns
测试条件
民
典型值
最大
单位
通道开始向上偏移
0.3
0.4
0.5
V
门（H）和门（L）的
高电压（ AC）的
低电压（ AC）的
上升时间GATE （H ）
X
上升时间GATE （ L）
X
秋季时间门（H ）
X
秋季时间门（ L）
X
GATE （h）至GATE （L ）延迟
GATE （ L）来GATE （H ）延迟
栅极下拉
振荡器
开关频率
开关频率
开关频率
R
OSC
电压
相位延迟
自适应电压定位
V
DRP
输出电压DAC
OUT
OFFSET
最大V
DRP
电压
电流检测放大器到V
DRP
收益
电流检测和共享
CS
REF
输入偏置电流
CS1 ， CS2输入偏置电流
电流检测放大器增益
电流检测放大器不匹配
电流检测放大器输入
共模范围限制
电流检测输入到I
LIM
收益
电流限制滤波器斜率
V（ CSX ） = V （ CS
REF
) = 0 V
V（ CSX ） = V （ CS
REF
) = 0 V
注4 0
≤
（ CSX
CS
REF
)
≤
50毫伏
注4
0.25 V <我
LIM
< 1.20 V
注4
2.8
5.0
0
5.0
4.0
0.5
0.2
3.15
6.25
10
4.0
2.0
3.53
5.0
V
CCL
2
8.0
26
μA
μA
V/V
mV
V
V/V
毫伏/微秒
CS1 = CS2 = CS
REF
, V
FB
= COMP
测量V
DRP
COMP
（ CS1 = CS2 ）
C
REF
= 50 mV时，
V
FB
= COMP ，测量V
DRP
COMP
15
240
2.4
310
3.0
15
380
3.8
mV
mV
V/V
衡量任何阶段（R
OSC
= 32.4 k)
注4测量任何阶段（R
OSC
= 63.4 k)
注4测量任何阶段（R
OSC
= 16.2 k)
300
150
600
165
400
200
800
1.0
180
500
250
1000
195
千赫
千赫
千赫
V
度
注4测量V
CCLx
门（L）的
X
or
V
CCHx
门（H）的
X
注4测量门（ L）
X
或门（H ）
X
1.0 V < GATE < 8.0 V ; V
CCHx
= 10 V
1.0 V < GATE < 8.0 V ; V
CCLx
= 10 V
8.0 V > GATE > 1.0 V ; V
CCHx
= 10 V
8.0 V > GATE > 1.0 V ; V
CCLx
= 10 V
门（H）的
X
< 2.0 V， GATE （ L）
X
> 2.0 V
门（L）的
X
< 2.0 V， GATE （H ）
X
> 2.0 V
力100
μA
到栅极驱动器，无动力
适用于V
CCHx
和V
CCLx
= 2 V.
30
30
0
0
35
35
35
35
65
65
1.2
1.0
0.5
80
80
80
80
110
110
1.6
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
4.通过设计保证。在生产中测试。
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5
QQ：800888908 复制
