CTA2N1P
复合晶体管阵列
特点
结合MMBT4401型晶体管与BSS84型
MOSFET
小型表面贴装封装
PNP / N沟道补可用： CTA2P1N
无铅/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3,4）
A
新产品
A03
B C
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标识信息： A03 ，请参见第6页
订购信息：参见第6页
重量： 0.006克（近似值）
K
H
M
J
D
F
L
C
Q1
G
Q2
S
Q2
SOT-363
暗淡
民
最大
A
0.10
0.30
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65标称
F
0.30
0.40
H
1.80
2.20
J
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.25
8°
0°
α
尺寸：mm
Q1
Q2
E
Q1
B
Q1
D
Q2
最大额定值，器件总
特征
功耗
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
（注1 ）
（注1 ）
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
最大额定值， Q1 ， MMBT4401 NPN晶体管元件
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
60
40
6.0
600
单位
V
V
V
mA
最大额定值，Q2 ， BSS84 P沟道MOSFET元件
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
≤
1.0MΩ
栅源电压
漏电流
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
-50
-50
±20
-130
单位
V
V
V
mA
符号
V
DSS
V
DGR
连续
连续
V
GSS
I
D
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
3.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
4.产品使用日期代码UO制造（ 40周， 2007年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料，可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30295启示录7 - 2
1 6
www.diodes.com
CTA2N1P
Diodes公司
电气特性
， Q1 ， MMBT4401 NPN晶体管元件
特征
开关特性（注5 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
6.0
20
40
80
100
40
0.75
1.0
0.1
40
1.0
250
最大
100
100
300
0.40
0.75
0.95
1.2
6.5
30
15
8.0
500
30
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
I
C
= 100μA ，V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 1.0V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2.0V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
-4
新产品
基地截止电流
基本特征（注5 ）
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
pF
pF
kΩ
x 10
μS
兆赫
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA时，
F = 100MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
V
BE （OFF）的
= 2.0V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
电气特性
， Q2 ， BSS84 P沟道MOSFET元件
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
备注：用于最小化自加热效应5.短持续时间脉冲测试。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= -50V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
V
DS
= -50V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1mA
V
GS
= -5V ，我
D
= 0.100A
V
DS
= -25V ，我
D
= 0.1A
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
-50
-0.8
.05
典型值
10
18
最大
-15
-60
-100
±10
-2.0
10
45
25
12
单位
V
A
A
nA
nA
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DD
= -30V ，我
D
= -0.27A,
R
根
= 50Ω, V
GS
= -10V
DS30295启示录7 - 2
2 6
www.diodes.com
CTA2N1P
Diodes公司
CTA2N1P
复合晶体管阵列
特点
新产品
·
·
·
结合MMBT4401型晶体管与BSS84型
MOSFET
小型表面贴装封装
PNP / N沟道补可用： CTA2P1N
A
SOT-363
暗淡
A
B
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
机械数据
·
·
·
·
·
案例： SOT- 363 ，模压塑料
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
外壳材料 - UL防火等级
分类科幻阳离子94V- 0
终端连接：见图
标记： A03
重0.006克数（大约）
C
Q1
G
Q2
S
Q2
A03
H
K
B C
C
D
F
H
J
M
0.65标称
K
L
M
J
D
F
L
尺寸：mm
Q1
Q2
E
Q1
B
Q1
D
Q2
Maximm等级，共有设备
特征
功率耗散（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
最大额定值， Q1 ， NPN MMBT4401 NPN晶体管元件
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
60
40
6.0
600
单位
V
V
V
mA
最大额定值，Q2 ， BSS84 P沟道MOSFET元件
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
1.0MW
栅源电压
漏电流
连续
连续
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
-50
-50
±20
-130
单位
V
V
V
mA
DS30295修订版A- 2
1第3
CTA2N1P
电气特性， Q1 ， MMBT4401 NPN晶体管元件
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
新产品
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注2 ）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
6.0
20
40
80
100
40
0.75
1.0
0.1
40
1.0
250
最大
100
100
300
0.40
0.75
0.95
1.2
6.5
30
15
8.0
500
30
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100mA时我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 100mA时我
C
= 0
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
I
C
= 100μA ，V
CE
=
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=
I
C
= 10毫安，V
CE
=
I
C
= 150毫安，V
CE
=
I
C
= 500毫安，V
CE
=
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
2.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA时，
F = 100MHz的
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
V
BE （OFF）的
= 2.0V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
电气特性，Q2 ， BSS84 P沟道MOSFET元件
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注2 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
t
D（上）
t
D（关闭）
10
18
ns
ns
V
DD
= -30V ，我
D
= -0.27A,
R
根
= 50W ，V
GS
= -10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
45
25
12
pF
pF
pF
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
-0.8
.05
-2.0
10
V
W
S
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1mA
V
GS
= -5V ，我
D
= 0.100A
V
DS
= -25V ，我
D
= 0.1A
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
-50
-15
-60
-100
±10
V
A
A
nA
nA
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= -50V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
V
DS
= -50V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DS30295修订版A- 2
2 3
CTA2N1P
订购信息
（注3）
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
新产品
设备
CTA2N1P-7
注意事项：
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
A03
A03 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
FEB
2
1999
K
三月
3
2000
L
APR
4
五月
5
2001
M
JUN
6
JUL
7
2002
N
八月
8
SEP
9
2003
O
十月
O
NOV
N
2004
P
DEC
D
YM
2.0
30
VCE集电极 - 发射极电压（ V）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
IC = 30毫安
IC = 1毫安
IC = 10毫安
IC = 100毫安
IC = 300毫安
20
10
CIBO
电容（pF）
5.0
科博
1.0
0.1
1.0
10
50
0.01
0.1
1
10
100
REVERSE伏（V ）
图。 1典型电容（ MMBT4401 ）
IB基极电流（毫安）
图。 2典型集电极饱和区（ MMBT4401 ）
DS30295修订版A- 2
3 3
CTA2N1P
SPICE模型： CTA2N1P
LEAD -FREE
CTA2N1P
复合晶体管阵列
特点
新产品
·
·
·
·
结合MMBT4401型晶体管与BSS84型MOSFET
小型表面贴装封装
PNP / N沟道补可用： CTA2P1N
无铅/符合RoHS （注2 ）
A
SOT-363
暗淡
A
B
C
D
F
H
K
M
民
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标记： A03 ，见第3页
订购信息：见第3页
重0.006克数（大约）
Q1
C
Q1
G
Q2
S
Q2
A03
B C
0.65标称
H
J
K
L
M
a
J
D
F
L
尺寸：mm
Q2
E
Q1
B
Q1
D
Q2
最大额定值，器件总
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
符号
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
最大额定值， Q1 ， MMBT4401 NPN晶体管元件
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
60
40
6.0
600
单位
V
V
V
mA
最大额定值，Q2 ， BSS84 P沟道MOSFET元件
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
1.0MW
栅源电压
漏电流
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
-50
-50
±20
-130
单位
V
V
V
mA
符号
V
DSS
V
DGR
连续
连续
V
GSS
I
D
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
DS30295版本6 - 2
1 7
www.diodes.com
CTA2N1P
Diodes公司
电气特性， Q1 ， MMBT4401 NPN晶体管元件
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
新产品
特征
开关特性（注3 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注3 ）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
BL
民
60
40
6.0
20
40
80
100
40
0.75
1.0
0.1
40
1.0
250
最大
100
100
300
0.40
0.75
0.95
1.2
6.5
30
15
8.0
500
30
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100mA时我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= 100mA时我
C
= 0
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
V
CE
= 35V, V
EB （O FF ）
= 0.4V
I
C
= 100μA ，V
CE
=
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=
I
C
= 10毫安，V
CE
=
I
C
= 150毫安，V
CE
=
I
C
= 500毫安，V
CE
=
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
2.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
CB
= 5.0V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= 0.5V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
V
CE
= 10V ，我
C
= 1.0毫安，
F = 1.0kHz
V
CE
= 10V ，我
C
= 20mA时，
F = 100MHz的
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
V
BE （OFF）的
= 2.0V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
电气特性，Q2 ， BSS84 P沟道MOSFET元件
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注3 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注3 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
D（上）
t
D（关闭）
10
18
ns
ns
V
DD
= -30V ，我
D
= -0.27A,
R
根
= 50W ，V
GS
= -10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
45
25
12
pF
pF
pF
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
-0.8
.05
-2.0
10
V
W
S
V
DS
= V
GS
, I
D
= -1mA
V
GS
= -5V ，我
D
= 0.100A
V
DS
= -25V ，我
D
= 0.1A
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
-50
-15
-60
-100
±10
V
A
A
nA
nA
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
DS
= -50V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
V
DS
= -50V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
DS
= -25V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
备注：用于最小化自加热效应3.短持续时间脉冲测试。
DS30295版本6 - 2
2 7
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CTA2N1P
订购信息
（注4 ）
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
新产品
设备
CTA2N1P-7-F
注意事项：
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
A03
A03 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2001
M
FEB
2
三月
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
JUL
7
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
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3 7
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