订购数量： ENA0522
CPH6532
三洋半导体
数据表
CPH6532
应用
NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
复合类型与两个NPN晶体管包含在一个包促进高密度安装。
包含这两个芯片是相当于CPH3216 。
超小型封装允许应用设置要小巧玲珑。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
PT
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 600毫米
0.8m)
1unit
2
2
条件
评级
80
80
50
5
1.0
2
200
0.9
1.1
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
安装在陶瓷板（ 600毫米
0.8m)
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCB = 40V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC =百毫安
VCE = 10V ， IC = 300毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
200
420
6
条件
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
560
兆赫
pF
单位
A
A
标记： ET
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
用这样的描述或包含任何三洋半导体的产品在此之前，最近的你
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
11007EA TI IM TC- 00000428号A0522-1 / 4
CPH6532
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
页转到通时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
IC = 500毫安， IB = 10毫安
IC = 300毫安， IB = 6毫安
IC = 500毫安， IB = 10毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 100μA ， RBE = 0Ω
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
80
80
50
5
38
332
40
评级
民
典型值
130
90
0.81
最大
190
135
1.2
单位
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
注）上面所示的特定网络连接的阳离子是为每个单独的晶体管。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7018A-006
2.9
0.15
电气连接
6
5
4
6
5
4
0.2
1 ： Emitter1
2 ： BASE1
3 ： Collector2
4 ： Emitter2
5 ：和Base2
6 ： Collector1
顶视图
0.6
2.8
1.6
0.05
1
2
3
0.6
1
2
0.95
3
0.4
1 ： Emitter1
2 ： BASE1
3 ： Collector2
4 ： Emitter2
5 ：和Base2
6 ： Collector1
三洋： CPH6
开关时间测试电路
IB1
IB2
VR
50
RB
+
100F
VBE = --5V
+
470F
VCC=25V
IC
0.9
PW=20s
D.C.≤1%
输入
0.2
产量
RL
20IB1 = --20IB2 = IC = 500毫安
第A0522-2 / 4
CPH6532
5
3
2
ASO
ICP=2A
IC=1A
10
op
1.4
PC - TA
安装在陶瓷板（ 600毫米
2
0.8mm)
1.2
集电极耗散，电脑 - 含
集电极电流， IC - 一个
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1m
DC
1.1
1.0
0.9
0.8
s
s
100
0
50
s
0m
s
on
er
ATI
0.6
To
TAL
di
1u
SSIP
ATI
NIT
on
0.01
0.1
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板（ 600毫米
2
0.8mm)
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7
集电极 - 发射极电压VCE - V
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式，包括电子
或机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
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产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为三洋半导体产品，你打算使用。
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更改，恕不另行通知。
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10
ms
IT11541
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT10764
QQ：2881677436 复制
